Способ получения сверхпроводящего тонкого слоя

 

Изобретение относится к технологин получения ПЛРНОК сверхпроводников . Целью изобретения является повыпение критической температуры Те пленок и улучшение их сверхпроводящих свойств. Взаимодействие YBaCcO- пленбк с материалом подложки (MgO, Si).приводит к ухудшению сверхпроводящих свойств. Для исключения этого взаимодействия предложено перед нанесением пленки YBa2CubOT наносить на подложку слой YgBaCuO. Способ позволяет наносить пленки YBa CujOf.jT., 90 К. / С

СаОЗ СОжтОМХ

РЯСОУЬЛИН

QII (И) (я)у H 01 L 39/00

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н llATKHTY

ГОСУДФРСТ8ЕННЫЙ HOMHTKT

ПО ИЭОЬРЕТЕНИЯМ И ОМИРМТИЯМ

ПРИ ГКНТ CCCP (21) 4356251/25 (22) 28,07.88 (31) 8701779 (32) 28.07.87 (33) NL (4б) 26.02 .91 . Бюл . У 8 (7l) Н.В.Филип Глоэлампенфабрикен (ю) (72) Вильхельмус Хорнелнс Хер, Хорн млис Адрианус Хенрикус Антониус Иутсарс и Хенрикус Альбертус Иария Ван

Хал (NL) (53) б21. 31 3 (088. 8) (зб) Phys Rev В, 35, (16), р,88218823, 1987.

Extended Abstracts for MRS Symposium of High Temperature. Superconductors, Anaheim, April 23-24.

Изобретение относится к технологии получения сверхпроводящих тонких сло ъв, Целью изобретения является повыаение критической темпепатуры и улучюение сверхпроводящих свойств слоя sa счет Исключения реакции между материалом подложки и сверхпроводящим тонким слоем.

Исключение взаимодействия сверхпроводящего тонкого слоя ТЗа СизОт с подлозкой достигается sa счет того, что сверхпроводящий тонкий слой осг дают на подложке, поверхность кото рой состоит иэ соединения, имеющего. состав, лежащий на линии раздела фаз с УВа Си От ф фаэовой диаграммы

У О - ВаΠ— CuO.

2 (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СВЕРХПРОВОДЯЩЕГО ТОНКОГО СЛОЯ (57) Изобретение относится к техноnorm получения пл нок сверхпроводников. Целью изобретения является повышение критической температчры Те планок и улучщенне их сверхпроводящих свойств . Взаимодействие УВаСиОпленок с материалом подложки (ИВО, Si),ïðèâîäèò к ухудшению сверхпроводящих свойств. Для исключения этого взаимодействия предложено перед нанесением пл нки УВа СпэО q наносить на подложку слой Y BaCuO ° Способ позволяет наносить пленки

YBaãCuçOò-В Тс 90 К

Нанлучюне результаты были получены при использовании подложек, поверхность которых состоит из У ВаСц0, .

На фиг.1 пр дстав ена диаграмма фазового состояния Y Π— ВаО - CuO, на которой показаны как УВа Cu>0 $

3. так н Y BaCuO< — соединения, находящиеся на линии раздела Фаз; на Фиг.2 результат измерения электрическогo сопротивления сверхпроводящего тонкого слоя на подложке иэ Y ВаСиО в зависимости от температуры.

Свврхпрводящий тонкий слой

УВа СиЗОт f > температурная зааисмность электросопротнвления котар -n показана на фиг.2, был нанесен ;..ри помощи плазм. нного распыления н» подложку нэ УвВаСиО, Посла нанес1632382 ния сверхпроводящий ToHKHA -.лой бьн подвергнут окислению при 900 С в течение 24 ч и затем охлажден до аа

vоЙс 111 сл(). «а счет исклкче. 1Ж реакции между материалом подл >л-ки и сверхпрводящим тонким слов.», сверхпроводящий тонкий слой наносят на подловху, состав которой соответствует линни равд па фаз мелду материалом поаловкн н сверхпроводящим тонким слоем на диаграмме состояния

Y О - BaO - CuO, 2.Способ по и.1, о т л и ч а ю— шийся тем, что поверхность подложки представляет собой слой из

У< ВаСиОГ

Формула изобретения

1.Способ попучения сверхпроводящего тонкого слоя, состоящий s нанесении слоя YSa>Cu>0 g на подпояску, отличающийся тем, что, с целью повиюення критической температур:я и улучшения сверхпроводящих

Си0

20

10

100

200 — T(K) 015

Во

20о 02

Составитель И.Фальсковский

Техред A.Êðàâ÷óê Корректор С.Черни

Редактор A.Ëåæíèíà

Под!1исиое

Тираж 355

Заказ 559

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям нри ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж=35, Раушская наб., д. 4/5

Проиэводственно-издательский кон1ишат "11атент", г.ужгор< д, ун. Гагарина, 1 "1