Стекло
Изобретение относится к производству легкоплавких стекол, которые могут быть использованы в электронной технике, в частности для изготовления конденсаторной керамики на основе титаната бария. С целью повышения удельного электрического сопротивления и диэлектрической проницаемости стекло содержит следующие компоненты, мас.%: SiOe 2,75-3,26; Bu()3 4,79-7,02-, PbO 5,11-6,05; AleOft 2,34-2,76; 50,53-64,06. lloOj 3,30-3,90, CdO 17,65-27,84. Удельное электрическое сопротивление стекла при 350°С 3-109-1,16-10 °0м.см, диэлектрическая проницаемость при 22,07-23,7. 2 табл. СП
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК (ц С 03 С 3/072
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Н А ВТОРСКОМ / СВИДЕТЕЛЬСТВУ но.
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ
ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ
ПРИ ГКНТ СССР (21) 4463012/33 (22) 19.07.88 (46) 23.02.91. Бюл. Р 7 (71) Минский радиотехнический институт и Институт физики твердого тела и полупроводников АН БССР (72) И,Л.Раков, Н.П. Соловей, А.П.Молочко и А,И.Акимов (53) 666.117.4(088 ° 8) ,(56) Павлушкин Н.М., Журавлев А.К., Легкоплавкие стекла.-М.: Энергия, 1970, с ° 36.
Авторское свидетельство СССР
N- 1414808, кл.С 03 С 3/072, 1987 ° (54) СТЕКЛО (57) Изобретение относится к произИзобретение относится к производству легкоплавких стекол, которые могут быть использованы в электронной технике, в частности для изготовления конденсаторной керамики на основе титаната бария.
Целью изобретения является повышение удельного электрического сопротивления и диэлектрической проницаемости стекла.
Шихту для варки стекла составляют из сырьевых материалов марки ч, х.ч., ч.д.а. Стекла варят в корундизовых тиглях в электрической печи КО-14 при 1150+10 С. Выработку расплава осуществляют в холодную воду для получения гранулята, а также в формы для изготовления обÄÄSUÄÄ 1629263 А 1
2 водству легкоплавких стекол, которые могут быть использованы в электронной технике, в частности для изготовления конденсаторной керамики на основе титаната бария. С целью повышения удельного электрического сопротивления и диэлектрической проницаемости стекло содержит следующие компоненты, мас.7:
S iO g 2, 75-3, 26, В <О у 4, 79-7, 02;
PbO 5, 1 f 6, 05, А1 0, 2, 34-2, 76;
Вi<0у 50,53-64,061 lfoOg 3,30-3,90<
CdO 17,65-27,84. Удельное электрическое сопротивление стекла при
350 С 3-10 -1,16 10 Ом см, диэлектрическая проницаемость при 20 С
22,07-23,7. 2 табл. разцов, необходимых для исследования физико-химических свойств.
В табл. 1 и 2 приведены конкретные составы стекол, а также их физико-химические свойства соответственДанное стекло обладает повышенными значениями диэлектрической проницаемости, что позволяет использовать его в качестве добавок дри изготовлении конденсаторной керамики, ко.торая должна обладать высокими значениями диэлектрической проницаемости. В то же время стекло обладает высокими изоляционными свойствами даже при повышенных температурах.
1629263
Формула изобретения
Стекло,-включающее Sio<, В О, Pb0, А1 О, В1еОа, о т л и ч а ющ е е с я тем, то, с целью повышения удельного электрического сопротивления и диэлектрической проницаемости, оно дополнительно
Таблица 1
Продолжение табл.2
Компоненты
Содержание компонентов, мас.Х, в составе
Свойства
Показатели для состава
1 (2 3
1 2 3
3,26
5,66
6,05
3., 90
2,76
27,84
50,53
2,75
4,79
5,11
3,30
2,34
17,65
64,06
3,03
7,02
5,62
З,б2
2 5 7
19,42
58,?2
Si0g
В,О
Pb0
МоО
А1,,О
Cd0
В) О
1,16 ° 10 3 10
Таблица 2
Показатели для состава
Свойства
94
22,5
93
22,07 г з
77
23,7 кристаллизации в интервалах:
800-890oc:
430 430
445
Не
Не
Не кристал— лизуется н кристаллизукристаллизуется
790
765 785 ется
45 900- 1 000 <0
Редактор С.Пекарь
Заказ 407
Тираж 303
Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5 ((роизводственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина, 101
Температура начала размягчения, С о
Температура полного растекания, С
Удельйое электрическое сосодержит МоО и Cdo при следующем соотношении компонентов, мас.У,;
Sio 9 2,75-3,26
В,О 4,79-7,02
PbO 5, 11-6,05
A1 O 2, 34-2, 76
В 1 0 3 50,53-64,06
МОО> 3,30-3,90
CdO 17,65-27,84
1 противление при 350 С, Ом см
Водоустойчивость
25 (гидролитический класс)
Диэлектрические
30 при ? О С и). = 1кГц:
1
Устойчи35 вость к
Составитель М. Гулюкин
Техред А.Кравчук Корректор Н.Ревская

