Усилитель мощности

 

Изобретение относится к радиотехнике. Цель изобретения - повышение КПД. Усилитель мощности содержит транзисторы (Т) 1-4, диоды 5 и 6. резисторы 7-10, нагрузку 11, низковольтный и высоковольтный источники 12 и 13 питания. Цель достигается выбором структуры Т 2, одинаковой со структурой Т 1 и 3, что дает возможность управлять Т 3, подключенным своим эмиттером через резистор 8 к шине источника 12. Резистор 10 шунтирует переход база-эмиттер Т 4 и уменьшает длительность переходных процессов при коммутации источников 12 и 13. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ сОцИАлистических

РЕСПУБЛИК (sl)5 Н 03 F 3/26

ГОСУДАРСТВЕННО КОМИТЕТ

Il0 ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ., i Jc i1,1 . ) А

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4624232/09 (22) 22 12.88 (46) 15.02.91, Бюл. N 6 (71) Бердское специальное конструкторское бюро (72) В.В.Люмицкий (53) 621.375.026(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

М 1298850, кл, Н ДЗ F 3/26, 1984. (54) УСИЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИ (57) Изобретение относится к радиотехнике.

Цель изобретения — повышение КПД. Усили„„!Ж„„1б28183 А1 тель мощности содержит транзисторы (Т)

1-4, диоды 5 и 6. резисторы 7 — 10, нагрузку

11, низковольтный и высоковольтный источники 12 и 13 питания. Цель достигается выбором структуры Т 2; одинаковой со структурой Т 1 и 3, что дает возможность управлять Т 3, подключенным своим эмиттером через резистор 8 к шине источника 12.

Резистор 10 шунтирует переход база-эмиттер Т 4 и уменьшает длительность переходных процессов при коммутации источников

12 и 13, 1 ил.

1628183

Изобретение относится к радиотехнике и может использоваться при создании мощных усилителей переменного напряжения.

Цель изобретения — повышение КПД.

Иа чертеже представлена принципиальнаяя электрическая схема усилителя мощности, Усилитель мощности содержит первый

1, второй 2, третий 3 и четвертый 4 транзисторы, первый 5 и второй 6 диоды, первый 7, второй 8, третий 9 и четвертый 10 резисторы, нагрузку 11, а также низковольтный 12 и высоковольтный 13 источники питания.

Усилитель мощности работает следующим образом.

Входной сигнал поступает на базу первого транзистора 1 через первый диод 5.

Первый транзистор 1 усиливает этот сигнал и через нагрузку 11 протекает ток от низковольтного источника 12 питания .

По мере возрастания входного сигнала напряжение на участке коллектор-эмиттер первого транзистора 1 падает в результате при определенном входном сигнале второй транзистор 2 закрывается, что приводит к открыванию третьего транзистора 3 и четвертого транзистора 4. В результате через нагрузку 11 начинает протекать ток от высоковольтного источника 13 питания.

Второй диод 6 в это время закрыт обратным напряжением. Поскольку эмиттер третьего транзистора 3 подключен к шине низковольтного источника 12 питания, то при возрастании уровня сигнала переход база-эмиттер четвертого транзистора 4 полностью насыщается, так как третий транзистор 3 запитан раэностным напряжением источников 12 и 13 питания, которое значительно больше, чем напряжение насыщения перехода база-эмиттер четвертого транзистора 4

013- 012 0бзнас4, где 012, 01з- напряжение низковольтного и высоковольтного источников 12 и 13 питания, 0юзяас4 — НаПряжЕНИЕ НаСЫщЕНИя базаэмиттер четвертого транзистора 4.

Для того, чтобы переход база-эмиттер четвертого транзистора 4 мог насыщаться, второй резистор 8 должен быть выбран иэ соотношения

U13- U12 = 06зяас4+ 0кзяасз+ UR8 ь (1) где Окзяасз — напряжение насыщения участка коллектор-эмиттер третьего транзистора 3;

URg — падение напряжения на втором резисторе 8, При этом напряжение между коллектором и эмиттером четвертого транзистора 4 становится минимально возможным для выбранного типа транзистора и равным напряжению насыщенного участка коллекторэмиттеР 0,з»,4, так как оно в пРеДлагаемой схеме не зависит от напряжений на других

ЭЛЕМЕНтаХ СХЕМЫ 0кзяас4 НЕ ВХОДИТ В ВЫРажение (1).

При уменьшении уровня входного сигнала процессы протекают в обратном порядке.

Выбор структуры второго транзистора 2 одинаковой со структурой первого 1 и третьего 3 транзисторов необходим, так как только в этом случае имеется воэможность управлять третьим транзистором 3, подключенным своим эмиттером через второй резистор 8 к шине низковольтного источника

12 питания.

Четвертый резистор 10 шунтирует переход база-эмиттер четвертого транзистора 4 уменьшает длительность переходных процессов при коммутации высоковольтного и низковольтного источников 13 и 12 питания, На основании усилителя мощности можно построить двухтактный усилитель мощности и сделать большее число ступеней переключения питания. Также допустимо подключение базы второго транзистора 2 к шине низковольтного источника

12 питания. но при этом пропадает следящая отрицательная обратная связь.

Формула изобретения

Усилитель мощности, содержащий первый транзистор, эмиттер которого через нагрузку соединен с общей шиной, база через последовательно соединенные первый диод и первый резистор подключена к эмиттеру второго транзистора, коллектор которого соединен с базой третьего транзистора, четвертый транзистор, коллектор которого соединен с коллектором первого транзистора, базой второго транзистора и через второй диод подключен к шине низковольтного источника питания, эмиггер четвертого транзистора подключен к шине высоковольтного источника питания, база — к коллектору третьего транзистора, эмиттер которого соединен с первым выводом второго резистора, при этом точка соединения первого диода и первого резистора является входом усилителя мощности, а структура четвертого транзистора противоположна структуре первого и третьего транзисторов, о т л и ч аю шийся тем, что. с целью повышения КПД, в него введены третий и четвертый резисторы, включенные между шиной высоковольтного источника питания и соответственно базой и коллектором третьего транзистора, второй вывод второго резистора подключен

1628183

Составитель И,Водяхина

Техред M,Ìîðãåíòàë Корректор Л.Патей

Редактор Л.Пчолинская

Заказ 347 Тираж 455 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 к шине низковольтного источника пита- структуру первого и третьего транзистония, при этом второй транзистор имеет ров.