Способ контроля распределения пористости по площади диэлектрических пленок на проводящем основании

 

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для контроля пористости диэлектрических пленок на проводящем основании. Целью изобретения является упрощение способа. Цель достигается тем, что на проводящее основание с диэлектрической пленкой наносят электролит. Дополнительно приводят в контакт с ним по крайней мере один металлический электрод, покрытый беспориотой диэлектрической пленкой. Измеряют емкость конденсатора, образованного металлическим электродом, покрытым беспористой диэлектрической пленкой и электролитом до проведения электролиза и после. По соотношению этих емкостей судят о пористости контролируемой пленки. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН (gl)g G 01 N l5/08

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ABTOPCHOMV СВИДВтВЛЬСтВМ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

Il0 ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГННТ ССОР (21) 4443188/25 (22) 19 04,88 (46) 15»02 ° 91 ° Бюл М 6 (71) Харьковский авиационный институт им, Н,Е,Жуковского (72) BiГ ° Грицай и.А СКузнецов (53) 543,542(088 ° 8) (56) Авторское свидетельство СССР

У 324570, кла С 01 N 27/24, 1971, Повышение эффективности пузырькового метода исследования пористос ти пленок Si0, — Полупроводниковая техника и микроэлектроника, 1974, 11 14, с, 79-81 ° (54) СПОСОБ КОНТРОЛЯ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ

ПОРИСТОСТИ ПО ПЛОЩАДИ ДИЭЛЕКТРИЧЕС»

КИХ ПЛЕНОК НА ПРОВОДЯ1!!ЕМ ОСНОВАНИИ (57) Изобретение относится к измериИзобретение относится к измери» тельной технике и может быть исполь» зовано для контроля пористости диэлектрических пленок на проводящем основании °

Цель способа - повышение его экс прес снос ти

На чертеже приведена принципиальная схема устройства для осуществления способа

Устройство содержит проводящее основание 1 с диэлектрической плен» кой 2, электролит 3, матрицу покры» тых беспористой диэлектрической пленкой 4 плоских одинаковых элект» родов 5, измеритель 6 емкости конденсаторов и источник 7 питания для проведения электролиза.

ÄÄSUÄ„1627926 A 1

2 тельной технике и может быть использовано для контроля пористости диэлектрических пленок на проводящем основании Целью изобретения является упрощение способа. Цель достигается тем, что на проводящее основание с диэлектрической пленкой наносят электролит, Дополнительно приводят в контакт с ним по крайней мере один металлический электрод, покрытый беспориотой диэлектрической пленкой, Измеряют емкость конденсатора, обрезованного металлическим электродом, покрытым беспористой диэлектрической пленкой и электролитом до проведения электролиза и после, По соотношению этих емкостей судят о пористости контролируемой пленки, 1 ил.

Способ осуществляют следующим образом, На проводящее основание 1 с диэлектрической пленкой 2 наносят электролит 3, дополнительно приводят в контакт с ним матрицу электродов 5 покрытых пленкой 4, измеряют электрические емкости конденсаторов, образованных электролитом 3 и электродами 5, измерителем 6 емкости до проведения электролиза, когда замкнуты контакты 8 и 9,и после, когда замкнуты контакты 8 и 10 Источник 7 питания создает необходимое напряжение для проведения электролиза. По соотношению этих емкостей судят о распределении пористости по площади контролируемой пленки

1627926

При проведении электролиза происходит выделение газа из пор контро» лируемой диэлектрической пленки, который вытесняет электролит, находя» щийся между контролируемой и беспо» ристой диэлектрическими пленками, в результате чего уменьшается площадь пленки электролита между ними, а сле» довательно,и емкости конденсаторов, образованных металлическими электро дами, покрытыми беспористой диэлектрической пленкой и слоем электролита между контролируемой и беспористой диэлектрическими пленками Таким п6» разом, существует прямая связь между количеством пузырьков газа. выделяю шихся из пор контролируемой диэлект» рической пленки при проведении электролиза, и емкостями конденсаторов, образованных электролитом и матрицей электродов, покрытых беспористой ди электрической пленкой, смоченной электролитом

Пример осуществления способа

Измерялась пористость термической окисной пленки SiOg на кремниевых пластинах КЭФ-4,5. В качестве электр ролита применялся пассивный по отношению к кремнию и его окислам одно» нормальный водный раствор серной кис» лоты. Площадь контакта металлического электрода матрицы, покрытого беспористой диэлектрической пленкой (поли амидной), составляла 2,5xlO м, тол-5 2 шина контролируемой окисиой пленки

-0

8xlO и Напряжение подавалось от источника питания ТЭС-15 и составля» ло 3-6 В, Измерение емкости проводилось прибором Л2 28 и изменялось в пределах 80-40 пФ, ток электролиза

10 -10 А время электролиза 5 10 с в зависимости от напряжения элект ролиза. По изменению емкости конденсаторов до и после электролиза изме рено распределение пористости по площади пластины

Способ обеспечивает снижение трудоемкости и времени контроля порис тости

Формула изобретения

Способ контроля распределения пористости по площади диэлектрических пленок на проводящем основании,вклю» чающий нанесение на диэлектрическую пленку электролита и контроль парис тости при проведении электролиза, отличающийся тем, что, 25 с целью повышения экспрессности спо соба, приводят в контакт с электро литом матрицу изолированных беспо ристой диэлектрической пленкой одикаковых плоских электродов, измеряют одновременно электрические емкости конденсаторов, образованных элект ролнтом и матрицей электродов, и по отношению электрических емкостей этих конденсаторов до и после элект35 ролиза судят о распределении порис тости по площади диэлектрических пленок, 1627926

Составитель Л,Загнитько

Техред Л.Олийнык Корректор М, Шароши

Редактор А,Долинич

Заказ 335

Тираж 379

Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 101