Элемент оптической памяти

 

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к оптоэлектронным системам хранения и обработки информации. Целью изобретения является расширение спектрального диапазона оптической чувствительности элемента оптической памяти. Элемент оптической памяти содержит прозрачную диэлектрическую подложку 2, полупрозрачные электроды 3 и 4, размещенный между ними слой органического фотополупроводника 5, обладающего фотоэлектретным и пироэлектрическим эффектом в отсутствии внешнего электрического поля. Слой 5 выполнен из 4-нитро-4-аминодифенила. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

„.,80„„16! 7459 А 1 (51) 5 С 11 С 11/42

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Х Ю 2

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

hO ИЭОБРЕТЕНИЯМ И ОТМРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4491100/24-24 (22) 18.07.88 (46) 30. 12. 90. Нюл. 1! 48 (71) Дрогобычский государственный педагогический инстит.ут им.И.Я.Франко (72) П.Н.Ковальский, Н.М,Кравцив и Н.А.Медвидь (53) 681.327.66 (088.8) (56) Патент США 1! 3660818, кл, 3401723, опублик. 1972.

Авторское свидетельство СССР

В 69956/, кл. (11 С 11/42, 1979, (54) ЭЛЕМЕНТ ОПТИЧЕСКОЙ ПАЫ1ТИ (57) Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к оптоэлектронным системам хранения и обработки информации. Целью изобретения является расширение спектрального диапазона оптической чувствительности элемента оптической памяти. Элемент оптической памяти содержит прозрачную диэлектрическую подложку 2; полупрозрачные электроды 3 и 4, раэме < с нный между ними слой 5 органическо о фотополупроводника, обладающего фото лент. ретным и пироэлектрнческнм эффектом и отсутствии внешнего электрического поля. Слой 5 выполнен из 4-пнтро-4а минодифе нила, 1 ил, 1617459

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к оптоэлектронным системам хранения и обработки информации.

Цель изобретения — расширение спектрального диапазона оптической чувствительности элемента оптической памяти.

На чертеже изображен элемент опти- 10 ческой памяти.

На чертеже показаны пучок 1 света, несущий информацию, прозрачная ди". электрическая подложка 2, полупрозрачные электроды 3 и 4, полученные термическим испарением, слой 5 органического фотополупроводника, обладающегс фотоэлектретным и пироэлектрическим эффектом при отсутствии внешнего электрического поля, и считыванхций пучок 6 света.

Элемент оптической памяти работает следующим образом.

При прохождении пучка света, несущего информацию.1, через диэлектри- 25 ческую подложку 2 и полупрозрачный электрод 3 в активном слое 5 создается фотоэлектретное состояние (оптическая память), характер распределения которого воспроизводит форму пучка света, несущего информацию. Считынающий ИК-свет (пучок 6 света ), вызывает пироэффект в активном слое 5, сигнал которого в каждой точке органического фотопироэлектрика определяется величи35 ной фотоэлектретного состочния и пироэффекта.

Запись и считывание оптической информации можно производить также через один из прозрачных электродов 3 40 или 4.

Активный слой из фотопироэлектрика позволяет многократное считывание оптической информации в широком диапазоне длин волн считывающего пучка 45 света при однократной записи информации. Одновременно такой активный слой устраняет необходимость во внешнем источнике электрического поля в связи с тем, что в органических фоточувствительных пироэлектриках спектральное распределение пироэлектрическоьо эффекта частично перекрывается о длинноволновой примесной фотопроводимостью в видимой области спектра. Этот факт дает возможность при импульсном облучении из области спектров перекрытия фотопроводимэсти и лироэффекта создавать нераннонесные носители, которые под действием возникшего пироэлектрического поля смещаются, а эахватываясь локальными центрами создают неоднородное распределение носителей, вследствие чего образуется фотоэлектретное состояние, т.е. оптическая память в фотопироэлектрике, неличина которого в каждой точке будет определяться экспозицией пространственно распределенного света и величиной пироэлектрического поля. Время действия света при .записи информации не должно превышать тепловой постоянной пироэффекта. В противном случае эа время превышающее тепловую постоянную будет разрушаться оптическая память. При использовании в качестве активного слоя 4-нитро-4-аминодифенила толщиной 0,3-1 мкм тепловая постоянная из-б — 1 меняется от 10 с до 10 с в зависимости от толщины пленки, вида диэлектрика и его толщины, который исьольэуется в качестве подложки.

При считывании оптической информации инфракрасным светом (ИК) длиной волны в диапазоне 1-14 мкм, вызывающим только пироэффект, неличина пироэлектрического сигнала определяется истинным пироэффектом и потенциальным рельефом фотоэлектретного состояния, отображающего записанную оптическую информацию. Время считывания оптической памяти также определяется теплоной постоянной пироэффекта, Время существования фотоэлектретного состояния определяется температурой фотопироэлектрика, глубиной залегания локальных центров и сечением захвата ими носителей, Так фотоэлектретное состояние н 4-нитро4-аминодифениле существует н темноте при комнатной температуре на протяжении 2-3 сут и более, а при понижении температуры, до 220 К, что легко достигается с помощью микрохолодильников, неограничено долго. Стирание записанной информации можно произвести светом, вызывающим фотопронодимость, повышением температуры, а также светом, освобождающим носители с локальных центров.

Формула и э о брет ения

1. Элемент о тичсской памяти, содержащий прозрачную диэлектрическую подложку, иа поверхности которой последовательно рази ;щены первый прозрачный злектрод, светочувствительный

Составитель С,Самуцевич

Редактор А.Ренин Техред Л.Олийнык Корректор С,Черни т

Заказ 4120 Тиран 487 Подписное

ВНКИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Иосква, Ж-35, Рауюская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г.укгород, ул . Гагарина, 101

Ъ 161 запоминающий слой и второй прозрачный электрод, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью расюирения спектрального диапазона оптической чувствительности элемента, светочувствительный запоминаищий слой выполнен из фотополупроводникового органического материала, обладающего фотоэлектретным н пироэлектрическим свой74ß е ствами в отсутствии внешнего электрического поля.

2. Элемент по п.1, о т л и ч а юшийся тем, что в качестве фотополупроводникового органического материала, обладающего фотоэлектретным и пироэлектрнческим свойствами в отсутствии внешнего электрического поля, применен 4-нитро-4-аминодифенил.