Люминесцентный материал

 

Изобретение относится к технике люминофоров, а именно к люминесцентному материалу на основе оксидов редкоземельного элемента, иттрия и ванадия, используемому в электронной промышленности. Цель изобретения - повышение интенсивности свечения и квантового выхода люминесцентного материала. Шихту, содержащую рассчитанные количества оксидов иттрия, редкоземельного элемента, ванадия и фторида иттрия, гомогенизируют, прессуют в таблетки и отжигают в инертной атмосфере при 800-900°С в течение 10 ч, при 500°С - 1 ч, при 700°С - 1 ч и при 900°С - 10 ч. Полученный люминесцентный материал имеет следующий состав, мол.%: фторид иттрия 26,0-29,0, оксид иттрия 26,0-28,5, оксид РЗЭ 0,3-2,5, оксид ванадия 42,5-43,5, где РЗЭ - неодим, европий или тербий. Интенсивность свечения люминесцентного материала 130-170%, квантовый выход 0,8-0,95. 1 з.п. ф-лы, 1 табл.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК (19) (И) »51) 5

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4369608/31-26 (22) 01 ° 02.88 (46) 15. 12. 90. Бюл. № 46 (71) Московский институт радиотехни— ки, электроники и автоматики (72) Е.В.Васильев, Д.К.Горбунов, А.А.Евдокимов, Н,H,Евтихиев, В.И.Спицын, Ф.M.Ñïèðèäîíîâ, А.В.Шестаков и В.Ф.Папуловский (53) 621.3 ° 032.35:546.641 657:

:661 663 881 (088.8) (56) Johnson L.À., Thomos R.À. Maser осс ilation in CaWO4 .И + . — Phys.

Rev., v.131, 1963, р.2038-2045.

O Conner J.R. Optical and laser

properties of Nd and Eu » doped

YVO<. — Trans. Met. Cociety AINE, 1967, v.239, р.362-365. (54) ЛЮМИНЕСЦЕ НТ Hbtf1 МАТЕРИАЛ (57) Изобретение относится к технике люминофоров, а именно к люминесцентному материалу на основе оксидов редИзобретение относится к технике люминофоров, а именно к люминесцентному материалу, содержащему оксиды редкоземельного элемента, иттрия и ванадия, используемому в электронике, интегральной оптике и лазерной технике.

Цель изобретения — повышение интенсивности свечения и квантового выхода люминесце нт ного материала .

Пример. Зихту следующего состава, мол.X: » 0 26 О, Nd Oy 2,5, YF> 29,0 и Ч О 42,5, гомогенизируют путем многократного перетирания в коземельного элемента, иттрия и ванадия, используемому в электронной промышленности. Цель изобретения — повышение интенсивности свечения и квантового выхода люминесцентного материала. Шихту, содержащую рассчитанные количества оксидов иттрия, редкоземельного элемента, ванадия и фторида иттрия, гомогенизируют, прессуют в таблетки и отжигают в о инертной атмосфере при 800-900 С в течение 10 ч при 500 С вЂ” 1 ч, при

700 С вЂ” 1 ч и при 900 С вЂ” 10 ч. Полученный люминесцентный материал имеет следующий состав, мол.7: фторид иттрия 26,0-29,0, оксид иттрия 26,028,5, оксид РЗЭ 0,3-2,5, оксид ванадия 42,5-43,5, где РЗЭ вЂ” неодим, европий или тербий . Интенсивность свечения люминесцентного материала

130-170%, квантовый выход 0,8-0,95.

1 з.п. ф-лы, 1 табл.

1 агатовой ступке со спиртом, прессуют в таблетки и поэтапно отжигают в атмосфере очищенного инертного газа (азота или аргона): при 800 С в течео ние 10 ч при 500 С вЂ” 1 ч при

700 С вЂ” 1 ч и при 900 С вЂ” 10 ч.

Полученный люл»инесцентный материал з+ имеет интенсивное свечение Nd в

1,5 раза выше, чем у известного материала: квантовый выход — 0,92 (для известного люминесцентного л»атериала

0,85).

В таблице представлены данные по интенсивности свечения и квантовому

1613477 выходу люминесцентного материала по изобретению при различном содержании составляющих его компонентов.

Возбуждение свечения осуществляют

УФ-излучением ртутной лампы в области

5 длин волн 0,33-0,44 мкм. и квантового выхода, он дополнительно содержит фторид иттрия при следующем содержании компонентов, мол.7:

Фторид иттрия 26-29

Оксид иттрия 26;0-28,5

Оксид редкоземельного элемента 0,3-2,5

Оксид ванадия 42,5-43,5

Ф о р м у л а и э о б р е т е н и я

2. Люминесцентный материал по п.1,отличающийся тем, что он содержит в качестве оксида редкоземельного элемента оксид неодима или европия или тербия.

1. Люиинесцентный материал, содержащий оксиды редкоземельного элемента, иттрия и ванадия, о т л и ч а ю шийся тем, что, с целью повьиаення интенсивности свечения

Состав люминесцентного материала, мол.Х Относительная Квантовый интенсивность, выход, Ж

У<0> Еи<О> ТЬ О NdzO> YF5 VKO< отнед.

Составитель В. Божевольнов

Редакто JI.Ï÷ëë р . ч аплинская Техред Л,Олийнык Корректор М.Шароши

Заказ 3866 Тираж 570 Подписное

ВНИИ1Ы Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

1 1303 5, Москва, Ж-3 5, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-иэда гедьскии комбинат "Патент", г.Ужгород, ул . Гагарина, 101

26 0 2,5

28,5 0,3

28,5 2,0

26,5 1,5

27,0 2,0

25,0 2,7

29,0 0,3

26,0 — 2,5

28 5 — Π3

285-20

265 — 15

27 Π— 2 О

25,0 — 2,7

29 Π— Π3

26,0

28,5

28,5

26,5

27,0

25,0

29,0

29,0

27,7

26,0

29,0

28,0

30,0

24,7

29,0

27,7

26,0

29,0

28,0

30,0

24,7

2,5 29,0

0,3 27,7

2,0 26,0

1,5 29,0

2,0 29,0

2,7 30,0

2,3 24,7

42,5

43,5

43,0

43,0

43,0

42,3

46,0

42,5

43,5

43,5

43,0

43,0

42,3

46,0

42,5

43,5

43,0

43,0

42,0

42,3

4$;О

1,5

1,7

1,4

1,3

1,3

0,8

0,7

1,5

1,7

1,4

1,3

1,3

0,8

0,7

1,5

1,7

1,4

1,3

1,3

0,8

0,7

0,85

0,85

0,95

0,99

0,95

0,70

0,70

0,80

0,95

0,80

0,90

0,80

0i 70

0,70

0,92

0,98

0,92

0,89

0,88

0,75

0,75