Способ обработки щелочно-галоидных кристаллов

 

Изобретение относится к обработке щелочно-галоидных кристаллов для придания им особых механических свойств и позволяет повысить их предел текучести. На контрольных образцах предварительно определяют предел электрической прочности Епр, скорость перемещения краевых дислокационных диполей U под действием постоянного электрического поля напряженностью Е и пороговую величину напряженности электрического поля Е пор, как величину Е, при превышении которой зависимость максимального электропластического эффекта Δ&Tgr;<SB POS="POST">макс</SB> от величины напряженности электрического поля начинает отклоняться от линейности. На кристалл воздействуют постоянным электрическим полем напряженностью больше Е<SB POS="POST">пор</SB> и меньше Е<SB POS="POST">пр</SB> в течение времени T, которое определяют из выражения √2HU<SP POS="POST">-1</SP>&Tgr;*9810ρ2HU<SP POS="POST">-1</SP>, где H - толщина кристалла. Достигают увеличения предела текучести в 3-5 раз. 2 табл.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (я)л С 30 В 33/00, 29/12

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

2 (21) 4466704/31-26 (22) 01.08.88 (46) 07.11.90. Бюл. N 41 (71) Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе (72) А.Н, Куличенко, С,В. Криштопов и Б.И. Смирнов (53) 621.315.529 (088.8) (56) Whitworth ЯМ., Chargeol. Dislocations

in Ionic crystals. - Advances in Physics, 1975, ч. 24, р. 203-304.

Куличенко А.Н., Смирнов Б.И. Движение дислокаций в кристаллах LIF под действием электрического-поля. — Физика твердого тела, 1986, т. 28, М 9, с. 2796 — 2801, (54) СПОСОБ ОБРАБОТКИ ЩЕЛОЧНО-ГАЛОИДНЫХ КРИСТАЛЛОВ (57) Изобретение относится к обработке щелочно-галоидных кристаллов для придания

Изобретение относится к обработке щелочно-галоидных кристаллов (ЩГК) для придания им особых механических свойств, в частности к обработке таких кристаллов как

NaCI, KCl, LIF, широко используемых в квантовой и обычной оптике.

Целью изобретения является повышение предела текучести кристаллов, Пример 1. На контрольном образце кристалла KCI определяют предел текучести, равный 0,5 МПа, предел электрической прочности, равный 1000 кВ/см. Снимают зависимость величины максимального электропластического эффекта от напряженно„„Я „„1604873 А1 им особых механических свойств и позволяет повысить их предел текучести. На контрольных образцах предварительно определяют предел электрической прочности Епр, скорость перемещения краевых дислокационных диполей V под действием постоянного электрического поля напряженностью Е и пороговую величину напряженности электрического поля Епрр, как величину Е, при превышении которой зависимость максимального электропластического эффекта h,t „c. от величины напряженности электрического поля начинает отклоняться от линейности. На кристалл воздействуют постоянным электрическим полем напряженностью больше

Епор и меньше Епр в течение времени т, котороеопределяютизвыражения V hV < -.Б

< t< 10 V2 hV, гдето — толщина кристал- у ла. Достигают увеличения предела текуче- сти в 3 — 5 раз. 2 табл. сти электрического поля Е. Определяют по д ней, что пороговая величина Епор электрического поля, при которой эта зависимость начинает отклоняться от линейности, равна

25 кВ/см. Измеряют по дислокационным ямкам травления скорости перемещения краевых дислокационных диполей V при напряженности электрического поля 140 кВ/см и устанавливают, что она равна 1 мм/с. Берут кристалл KCI в виде пластины толщиной и, равной 2 мм. Определяют для него минимальную t»H и максимальную tMaxc длительность воздействия электрическим полем напряженностью

140 кВ/см, равную соответственно tM < =

1604873

Таблица1

ЗО

Таблица 2. h V =28с tMaxc.=10V 2 1 V

-1 1

=,23 с.

Воздействуют на кристалл постоянным электрическим полем напряженностью 140 кВ/см в течение 5 с. Для 5 исключения поверхностного пробоя кристалл погружают в полиметилсилоксановую жидкость, Измеряют предел текучести обработанного кристалла. Устанавливают, что он равен 1,5 МПа, т. е, достигнуто увеличе- 10 ние предела текучести в три раз без появления дальнодействующих внутренних напряжений, Пример 2, Процесс проводят, как в примере 1, но изменяют напряженность 15 электрического поля и длительность воздействия.

Результаты измерения пределов текучести кристаллов после обработки электрическим полем в течение 2 с при изменении 20 напряженности электрического поля от 0 до

140 кВ/см представлены в табл. 1, а после обработки при напряженности 30 кВ/см в течение 1 — 10 с — в табл. 2.

Из примеров видно, что предлагаемый 25 способ позволяет в 2 — 3 раза увеличить предел текучести кристалла без появления в нем дальнодействующих внутренних напряжений и без ухудшения его оптического качества, Формула изобретения

Способ обработки щелочно-галоидных кристаллов, включающий воздействие на кристалл постоянным электрическим полем, от лича ю щи и с я тем, что, с целью повышения предела текучести кристаллов, предварительно на контрольном образце кристалла определяют предел электрической прочности кристалла Епр, скорость перемещения краевых дислокационных диполей V под действием электрического поля напряженностью Е, пороговую величину напряженности электрического поля

Епор, как величину Е, при превышении которой зависимость максимального электропластического эффекта Лх от величины напряженности электрического поля начинает отклоняться от линейности, электрическое поле создают напряженностью больше Епор и меньше Епр. а длительность воздействия t, определяют из выражения

Và (М < t < 10 1; h V", где h — толщина кристалла,