Способ получения полупроводниковых пленок на основе германия

Авторы патента:

C23C16/04 - нанесение покрытия на выбранные участки поверхности, например с использованием масок

ОПЙСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

K АВТОРСКОМУ СЗНДНЕЛ":::САВВУ

l6 5420

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от агт. свидетельства ¹

Кл. 12с, 2

МПК В 01d

Заявлено 21.11.1962 (№ 765536/23-4) с присоединением заявки №

Приоритет

Государственный комитет по делам

ИЗО О т.;; 11

N отко:..г. и:.!: ССР

Опубликовано 12.Х.1964. Бюллетень № 19

Дата опубликования описания 28.XI.1964

УДК

F г гс I I г „,, .3. „

Авторы изобретения

H. И. Четвериков и В. A. Заяц

Заявитель

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЕНОК

НА ОСНОВЕ ГЕРМАНИЯ

GeC14+ 2H> < 4НС1+(.Зе

Иодплсная группа № 88

Известен способ получения полупроводниковых пленок на основе германия нз газовой фазы при реакции пиролиза в токе водорода на подогретой подложке.

С целью получения покрытия заданной формы на выбранном участке подложки предложен способ, по которому подло>кку с трафаретом помещают в зону певыпадепия германия, непосредственно предшествующу1о зоне выпадения, при t 570 С и под углом в

10 по отношению к направлен>по тока водорода. По предлагаемому способу лоток водорода со скоростью 12 вЂ” 18 л час, насыщенный парами тетрахлорида германия (GeCl.I) М

0,6 вЂ” 1%, попадает в нагретую зону кварцевой трубы при t 570 + 10 С. Температуру поддер>кивают постоянной с точностью +5 С вдоль участка кварцевой трубы длиной, превыша1ощей длину держателя на несколько сантиметров. При этом тетрахлорид разлагается по следующей схеме:

Оса>кдепие происходит па держателе из спектрально-чистого гряфпта, не содержащего бора, располо>кепного под углом в 10 к оси трубы, причем не по всей поверхности держателя, начинаясь в нескольких са11тиметрах от нагретого края.

1 IpH оса>кдеllни ня держателе резl о ol раIIH IHI3alorcH две зоны: осаждения ii непокрытого держателя. Наличие двух зон обусло 3лепо тем, что каждой температуре соответст5 вует критическая плотность оса>кдаемых частиц. Если в зоне непокрытого держателя создать локальные пересыщения чañòHö германия, т. е. повысить их плотность, то онп HH-Iнут осаждаться.

В зону невыпадения помещают стеклянные подложки, па графитовый держатель или на них кладут фигурные графитовые илн фигурIlbIc герхlаниевые пластины, рисунок когзръ|х

15 должен быть воспроизведен на стеклянных

Hoдло>кках. г1e>K+у подло>кко11 H графитовым или германиевы;1 трафаретом создается повышенная плотность паров германия благодаря эффекту адсорбцин. Осаждение про20 исхо;1ит только на участках соприкосновения стеклянных подло>кек с трафаретами.

По предлагаемому способу получаются мелкокристаллические германиевые пленки

25 (размеры кристаллов 3 вЂ” 5 л1к) lia стекляш1ых подложках при t 570 С+10 C требуемой конфигурации. Время пребывания в нагревателе с температурой 570 +10 С выбирают в зависимости от требуемо" толщины плсцкп, 30

165420

Предмет изобретения

Составитель Н. Грехнева

Техред Ю. В. Баранов Корректор Т. С.,Прожжина

Редактор Герасимова

Заказ 2819/7 Тираж 750 Формат бум. 60 X 90 /8 Объем 0,1 изд. л. Цена 5 кон.

ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2

Способ получения полупроводниковых пленок на основе германия из газовой фазы при реакции пиролиза в токе водорода, отличающийся тем, что, с целью получения покрытия заданной формы на выбранном участке подложки, подложку с трафаретом помещают в зону невыпадения германия под углом 10 по отношению к направлению тока водорода при

5 температу ре 570 С.

Способ и устройство для плазменной обработки внутренней поверхности пластиковых бутылок // 2199792

Изобретение относится к производству тары

Способ мониторинга хода процесса с использованием газа-реагента, содержащего один или несколько газообразных углеводородов // 2291914

Изобретение относится к процессу, например химической инфильтрации или химического осаждения из паровой фазы или цементации, осуществляемому в печи

Самозатачивающийся режущий инструмент с твердым покрытием // 2305623

Изобретение относится к созданию самозатачивающихся ножей и других режущих инструментов, имеющих лезвия, снабженные твердым покрытием

Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа // 2371515

Изобретение относится к устройству плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа для образования слоя покрытия на пленке

Защищенные поверхности сплавов в микроканальных устройствах, катализаторы, катализаторы на основе оксида алюминия, катализаторы-полупродукты и способы изготовления катализаторов и микроканальных устройств // 2403967

Изобретение относится к микроканальным реакторам и катализаторам, содержащим слой металлического алюминида, изготовление которых связано с процессом формирования промежуточного слоя алюминидного металла

Способ получения иридиевых покрытий // 2082821

Изобретение относится к области химии, связанной с получением покрытий из тугоплавких металлов химической кристаллизацией из газовой фазы, в частности, для защиты конструкционных материалов от коррозии, и может быть использовано в области квантовой электроники, например для создания оптических элементов мощных лазеров

Способ получения композиционного материала для режущего инструмента // 1760779

Изобретение относится к металлургии, а именно к способам получения композиционного твердосплавного слоистого материала нанесением покрытия из тугоплавких соединений титана на заготовки из твердых сплавов методом химического осаждения из парогазовой фазы

Теневая маска, закрепленная на субстрате магнитным способом // 2502830

Группа изобретений относится к нанесению покрытий. Устройство для осаждения латерально структурированных слоев на субстрат посредством теневой маски, поверхностно наложенной на предназначенную для нанесения покрытия поверхность субстрата, включает держатель субстрата. Держатель субстрата имеет первые магнитные зоны, предназначенные для магнитного притяжения соответствующих этим первым магнитным зонам вторых магнитных зон теневой маски. Первые магнитные зоны выполнены с возможностью приведения в активное положение с притяжением вторых магнитных зон к поверхности субстрата и с возможностью приведения в неактивное положение для наложения или снятия теневой маски. Причем первые магнитные зоны образованы расположенными в выемках контактной поверхности держателя субстрата, в частности постоянными магнитными элементами, которые по месторасположению соответствуют вторым магнитным зонам. Теневая маска включает расположенные в виде сетки перемычки из магнитного материала, контактная поверхность которых переходит в вогнутую или наклонную боковую поверхность перемычек. Обеспечивается наложение маски на поверхность субстрата без зазоров. 3 н. и 9 з.п. ф-лы, 15 ил.

Способ очистки для установок нанесения покрытий // 2554838

Изобретение относится к способу очистки вспомогательных поверхностей установок для нанесения покрытий, которые содержат камеру для нанесения покрытия. Перед нанесением покрытия наносят антиадгезионный слой на вспомогательные поверхности камеры для нанесения покрытия. После нанесения покрытия осуществляют обработку вспомогательных поверхностей с помощью струйной обработки сухим льдом и/или снегом CO2. В результате упрощается очистка поверхности детали и при этом исключается их износ. 3 з.п. ф-лы, 4 ил.