Патент ссср 164907

Авторы патента:

Ф. Набиуллин, Е. М. Герцик, М. С. Сладкое, С. Ш. Шлионска

, В. М. Долгов ПАТЕ

H01L21/302 - для изменения физических свойств или формы их поверхностей, например травление, полирование, резка

164907

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Кл. 21g, 11

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 15.11.1963 (№ 819156/26-25) МПК Н 011

С присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 04.1Х.1964 г. Бюллетень № 17

Дата опубликования описания 8.Х.1964

Государственный комитет йо делам изобретений и открытий СССР

Л вторы изобретения Ф. Х. Набиуллин, Е. М, Герцик, М. С. Сладков, С. Ш. Шлионска и В. М. Долгов

Заявитель

СПОСОБ ХИМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЬ!Х ПРИБОРОВ

Предмет изобретения

Подписная аруппа Л3 82

Для защиты поверхности полупроводниковых приборов при их обработке путем химического травления известны различные способы нанесения защитных покрытий в виде пленок, например парафина, битума и др.

Известные способы защиты не подлежащей тр авлению поверхности полупроводниковых приборов путем нанесения покрытий достаточно трудоемки.

В предлагаемом способе защиту поверхности, не подлежащей травлению, осуществляют путем прижатия ее, например с помощью вакуумного присоса.

Предлагаемый способ позволяет увеличить производительность труда и упростить защиту поверхности приборов от травления. Со ласно изобретению, предлагаемый способ заключается в следующем: при удалении путем химического травления диффузионного слоя с нерабочей поверхности кремниевых заготовок фотоэлектрических преобразователей будущую рабочую сторону заготовки с диффузионным слоем изолируют путем прижатия ее, например с помощью вакуумного присоса, прижимная площадка которого снабжена

5 кольцевым пояском из эластичного и кислотостойкого материала.

l0 Способ химической обработки поверхности полупроводниковых приборов, например заготовок кремниевых фотоэлектрических преобразователей, путем травления, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью увеличения произlS водительности труда и упрощения защиты поверхности от травителя, не подлежащую травлению поверхность заготовки защищают путем прижатия ее, например с помощью вакуумного присоса, прижимная площадка ко20 торого снабжена кольцевым пояском из эластичного и кислотостойкого материала.

Похожие патенты:

Патент 158633 // 158633

Способ изготовления полупроводниковых пластин // 2105380

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение технологичности процессов механической обработки, выхода годных пластин, в частности, из материалов группы A3B5 в случае получения пластин с допуском диаметра 0,3 мм и менее

Способ глубокого анизотропного травления кремниевой пластины и устройство для глубокого анизотропного травления кремниевой пластины // 2127926

Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности, к технологии изготовления полупроводниковых структур, являющихся элементной базой функциональной микроэлектроники и может быть использовано в технологии изготовления интегральных газовых датчиков с тонкими мембранами /1- 5 мкм/, а также мембран для рентгеновских фотошаблонов

Способ изготовления полупроводникового светоизлучающего элемента // 2146842

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых лазерных диодов и светодиодов

Способ обработки полупроводниковых пластин // 2249881

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых структур, получаемых:- путем механического утонения структур с нерабочей стороны структур до фиксированной толщины, например до толщины 6-20 мкм;- путем термического соединения (сварки через окисел) двух пластин разной проводимости, легирования и кристаллографической ориентации и механического утонения одной из пластин до фиксированной толщины, например до толщины 6-10 мкм;- путем механической или химико-механической доводки структур для выравнивания планарного рельефа, удаления дефектов с использованием Stop-процесса

Способ профилирования тугоплавких и химически стойких материалов // 2252280

Изобретение относится к способам термохимического травления тугоплавких химически стойких материалов, в частности к методам локального травления их поверхности, например, с использованием локального лазерного облучения

Станок для обработки полупроводниковых пластин // 2260872

Устройство для обработки полупроводниковых пластин // 2273075

Изобретение относится к технике полупроводникового производства и может быть использовано для формирования многоуровневых межсоединений СБИС, в частности, для планаризации поверхности межслойного диэлектрика, межуровневого диэлектрика, для получения вертикальных проводников, диффузионно-барьерных слоев и адгезионных слоев на операциях подготовки поверхности пластин, например, при химико-механической полировке с последующей отмывкой их (гидромеханической, мегазвуковой и др.)

Способ получения фотошаблонных заготовок // 2274925

Изобретение относится к электронной промышленности, а именно к фотошаблонным заготовкам (ФШЗ), предназначенным для формирования рисунка микроизображения при изготовлении интегральных схем

Способ изготовления пластин монокристаллов // 2284073

Изобретение относится к области оптоэлектроники и может быть использовано при изготовлении пластин из слитков или булей монокристаллов, например, сапфиров

Устройство для обработки полупроводниковых пластин // 2295172

Изобретение относится к производству изделий электронной техники и может быть использовано, например, на операциях очистки полупроводниковых пластин с помощью щеток и мегазвука