Патент ссср 163362

Авторы патента:

C30B25 - Выращивание монокристаллов путем химических реакций реакционноспособных газов, например химическим осаждением из паровой фазы

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБАИК

ОПИСА НИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ № 16ЗЗ62

Класс

40д, 1зв

МПК

С 22т

Заявлено 08.1!.1962 (¹ 764156/22-2) Опубликовано 22Х1.1964. Бюллетень № 12

ГОСУДАРСТВЕ Н Н Ы И

КОМИТЕТ ПО ДЕЛАМ

ИЗОБРЕ ГЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

СССР

УДК

Подписная группа № 1б

А. Я. Нашельский, Л. И. Марина и С. В. Якобсон

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ФОСФИДА -ГАД.Д.НЯ =.., Известен способ получения игольчатых монокристаллов фосфида галлия, основанный на восстановлении моноокиси галлия парообразным фосфором.

Предложено для получения монокристаллов фосфида галлия реакцию взаимодействия паров фосфора с моноокисью галлия осуществлять в токе инертного газа, В результате указанной реакции, протекающей непрерывно до полного использования исходных реагентов, удается получить значительно более крупные монокристаллы, часть которых выделяется в форме пластин.

Предмет изобретения

Способ получения монокристаллов фосфида

r аллия путем взаимодействия (реакции) паров фосфора с моноокисью галлия, отлич а ю шийся тем, что, с целью полного использования исходных реагентов и получения более крупных и пластинчатых монокристаллов, реакцию осуществляют в токе инертного газа.

Похожие патенты:

Патент 161707 // 161707

Патент 160829 // 160829

Устройство для наращивания монокристаллических пленок из паровой фазы вещества // 146282

Способ получения монокристаллов германия и кремния с заданным содержанием примесей // 107450

Способ получения регулярных нитевидных кристаллов кремния // 2117081

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов, предназначено для получения нитевидных кристаллов (НК) с воспроизводимыми геометрическими параметрами

Способ получения эпитаксиальных структур нитридов элементов группы a3 // 2132890

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых соединений типа А3N и может быть использовано при изготовлении эпитаксиальных структур различного назначения

Способ получения монокристаллических слоев оксида цинка на неориентирующих подложках // 2139596

Способ получения высокочистых кристаллических соединений и устройство для его осуществления // 2143014

Монокристаллический sic и способ его получения // 2154698

Способ изготовления исходного поликристаллического кремния в виде пластин с большой площадью поверхности и камера для осаждения кремния // 2158324

Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов и может быть использовано для производства исходного поликристаллического кремния в процессе его осаждения из пара или парогазовой фазы силанов на нагретые основы

Монокристаллический sic и способ его получения // 2160327

Способ эпитаксиального выращивания карбида кремния и реактор для его осуществления // 2162117

Способ термообработки монокристаллов фосфида галлия // 1682416

Изобретение относится к технологии полупроводниковых соединений, может использоваться в производстве сптоэлектронных приборов и интегральных схем, обеспечивает улучшение структурного совершенства кристалла Способ включает нагрев монокристалла до 750-800°С в атмосфере инертного газа при давлении 3- 15 атм, выдержку 60-120 мин, охлаждение и при 200-300°С снижение давления до атмосферного со скоростью 0,3-3,0 атм/мин