Патент ссср 161075
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЫИААИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК
Оп
ИЗОБ
Заявлен
ГОСУАЛРСТВЕННЫЙ
КОМИТЕТ IIO АЕЛАМ и ЗОБ Рете ни Й и откРыти и
IÕÑÐ
Онубликова
Подписная группа ЛФ 82
Г. М. Авакьянц, В. И. Мурыгин, А. Б. Павлинов, и А. В, Юровский
В. А, Сабликов
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ИНДУКТИВНЫЙ ЭЛЕМЕНТ
Предмет изобретения
H3I3ecTlIbl 1ндуктивные элементы i!3 основе р-и-перекодов с тонкой базой, содержащей неистошенные глубокие примесные уровни.
11редлагаемын полунроводниковыи индук-:èâíûé элемент отли 13ется от известнык тем, что оаза диода легнроззана примесью, например золотом, создаю1цей глубокие уровни, а то IILI! í3 базы прибора выорана такой, что
1;p;i приложении ооратного напряжения происко ит пОлное пс!)скрытие ее Объемным зарядом. Пред,чагаемОС сочетание В приборе Hii..1уктив11ости н отрицательного сопротивления позволяет повысить дооротность элемента.
Предлагаемьш полупроводниковьш индуктивный элемент выпо i;ieii в ви!е диода из кpeii! II»I с электроп1ым типом прозодимости удельным сопротивлением 100 о11 сл; и-р-псрекод и омнческий контакт получены нпланлсilèåм cooTвстствсн11о алюминия и 30.,ота, содержащего О,!,"„сурьчы. Толщина
f1pèái7p3 п0!pяgiiа 15 .11к. Ин h кTIfвHhl! I эффект и отрицательное сопротивление у диодов иче1от често при напряккенияк, которые г;ревьзшают напряжение, соответствующее полному перекрытию объемным зарядом базо oiI o0,13cTIl;ii!0.l ll. 13 н нтс рва, ге IlicToT 400—
20000 гп и11дуктнвность предлагаемык диодов м Ожст 10стн гать н сскО 1 ькн к дссяткоlз з1илл11I е:1ри. а доброт;1ость — несколькик единиц. ! !спользование для изготог Ieii;III элементо з кремния, специаль:1о легнрованногÎ такимн
11римесячи как золото, ме lh, железо. марга,.ец, цинк н др., откроет широк1е возможности для 133рьирова:шя величин идуктивности. добротност1 и частотlloio предела шгдукТlili,hl. ДНОДОВ.
Полупроводниковый индуктивный элемент, 11 ы и 0 л н е . I! 1 hl й, н 3 п р и м е и и 3 к 13 с м н и я, 13 В н д с диода, o T.l è ÷ 3!0ù lf é ñ ÿ тем, ITo, с цель|о гизы не11ия добротности элеме11та путем соч.I3 п1я в нем индуктив11ости и отрицательного сопротивления, база диода лепзрована пр:1. Ic hIo. например золотом, создающей глубокие уров.lil. 3 то,.пцина оазы выбрана такой, iTn прн прззложении 00!p3TIIO! о напряжения пронскодит полное перекрытие ее объемным зарядом.
