Способ контроля надежности интегральных микросхем

Авторы патента:

G01R31/303 - интегральных схем (G01R 31/305-G01R 31/315 имеют преимущество)

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для диагностического контроля и отбраковки предрасположенных к коррозии интегральных микросхем. Цель изобретения - снижение продолжительности контроля. На интегральные микросхемы 1 подают напряжение питания от блока 4 питания через блок 2 коммутации, охлаждают в камере 5 холода и измеряют с помощью измерителя 3 тока утечки информативный электрический параметр - ток утечки контролируемой интегральной микросхемы при критическом значении температуры. За критическое значение температуры принимают значение температуры, соответствующее точке выпадения росы находящегося в подкорпусном пространстве микросхемы газа, ненадежной считают микросхему, если значение тока утечки при критическом значении температуры превышает среднее значение тока утечки контролируемой партии микросхем. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

РЕСПУБЛИН (51)5 G 01 R 31/28

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ABTGPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ

flO ИЗОБРЕТЕНИЯМ И (ЛНРЫТИЯМ

ПРИ ГННТ СССР (21) 4404390/24-21 (22) 05.04.88 (46+ 30.09.9О. Бюл . В 36 (72) А.Н.Шершень (53) 621.317.799 (088.8) (56) Патент ФРГ В 2414340, кл. С 01 R 31/26, 1980.

Авторское свидетельство СССР

У .1228052, кл. G 01 R 31/28, 1986. (54) СПОСОБ КОНТРОЛЯ НАДЕЖНОСТИ

ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ (57) Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для диагностического контроля и отбраковки предрасположенных к коррозии интегральных микросхем. Цель изобретения - снижение продолжительности контроля, На интегральные мик2 росхемы 1 подают напряжение питания от блока 4 питания через блок 2 коммутации, охлаждают в камере 5 холода и измеряют с помощью измерителя 3 тока утечки информативный электрический параметр вЂ” ток утечки контролируемой интегральной микросхемы при критическом значении температуры. За критическое значение температуры принимают значение температуры, соответствующее точке выпадения росы находящегося в подкорпусном пространстве микросхемы газа, ненадежной считают микросхему, если значение тока утечки при крити.ческом значении температуры превышает среднее значение тока утечки контролируемой партии микросхем. 1 s и.ф-лы., 1 ил.

1596288

Изобретение относится к измеритель, ной технике и может быть использовано для диагностического контроля и отl браковки предрасположенных к коррозии интегральных микросхем (ИС).

Цель изобретения - снижение продолжительности контроля.

На чертеже показана схема реализации способа. 10

Схема содержит контролируемую интегральную схему 1, блок 2 коммутации, измеритель 3 тока утечки, блок

4 питания,. камеру 5 холода.

Способ реализуется следующим обра- 15 эом»

Контролируемую партию ИС устанав- ливают в автономные контактирующие устройства, расположенные на печатной плате, и помещают ее в камеру 5 холода, в которой поддерживается критическое значение отрицательной температуры, В качестве критического значения температуры выбирают температуру точки выпадения росы. находя- 25 щегося в подкорпусном пространстве

ИС 1 газа. Плату с ИС 1 выдерживают в камере в течение часа, затем включают питание ИС и, коммутируя его, блоком 2 коммутации поочередно измеряют с помощью измерителя 3. токи утечки каждого экземпляра ИС. Экземпляры ИС с повышенным более чем на

1-3 порядка значениями токов утечки, по сравнению со средним значением тока утечки контролируемой партии иикровЂ”

35 схем, бракуют, Дефекты выявляются за счет того, что при понижении температуры в герметических корпусах ИС увеличивается относительная влажность находящегося там газа, при этом увеличивается и адсорбция молекул воды кристаллом и изоляционными слоями, Температура за.мерзания адсорбированной влаги ниже

0 С, так как при тонком слое жидкость может находиться в переохлажденном состоянии. Проведенные измерения показали, что для ИС серии 564 максимальные значения токов ут ч к полу . чены при температуре вЂ” 30 С. Так как увеличение токов утечки при пониженных температурах обусловлено адсорбцией влаги, ток утечки в этих условиях и выбран в качестве критерия.

Пример ° . В связи с получением данных о повышенной интенсивности откаэов при эксплуатации РЭА (по дефекту "коррозия") была подвергнута проверке партия KMOII ИС типа 564ЛЕ5 (50 шт. ), Нормативными документами на ИС. серию 564 установлена предельная влажность в подкорпусном объеме

0,05%, что соответствует точке вы0 падения росы вЂ” 30 C которая принята в качестве критической температуры.

Результаты измерений: тока утечки 43 экземпляров ИС при t=-30 С находились в пределах 0,$-16,3 нА, а у 7. экземпляров вЂ” в пределах 63500 нА.

Проведенные затем исследования отбракованных 7 экэ. ИС (со вскрыти ем) подтв ердили предр асположенно ст ь их к коррозии, Таким образом, способ позволяет по результатам одного измерения производить отбраковку предрасположенных к коррозии ИС и, соответственно, повысить эксплуатационную надежность иэ гот авли ваемой р адиоэлектронной аппаратуры, . в которой использованы эти

ИС при снижении времени контроля.

Формул а изобретения

1, Способ контроля надежности интегральныхх микро схем, э аключающийся в том, что, охлаждают испытуемую интегральную микросхему до заданной температуры, измеряют ток утечки между шиной питания и общей шиной испытуемой микросхемы, о т л и ч а ювЂ” шийся тем, что, с целью снижения продолжительности контроля, э аданную температуру охлаждения выбирают ниже или равной точке выпадения росы газа, находящегося в подкорпусном простран- ° стве испытуемой микросхемы, сравнивают ток утечки при заданной температуре со средним значением тока утечки, определенным на статистически достоверной выборке интегральных микросхем того же типа, считают испытуемую интегральную микросхему ненадежной, если измеренный ток утечки превышает среднее значение не менее чем в заданное число раэ, .

2. Способ поп, 1, отличаюшийся тем, что интегральную микросхему считают ненадежной, если измеренный ток утечки превьппает среднее значение в 1О и болЕе раэ.

Способ контроля надежности интегральных микросхем

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике в микроэлектронике и предназначено для отбраковки запоминающих устройств, имеющих дефектные ячейки памяти

Устройство для функционального контроля больших интегральных микросхем // 1583887

Изобретение относится к контрольно-испытательной технике и может быть использовано для функционального контроля больших интегральных схем, имеющих выходы с третьим состоянием

Устройство для автоматизированной функциональной настройки гибридных интегральных микросхем // 1552135

Изобретение относится к электронике и может быть использовано при настройке гибридных интегральных микросхем (ГИМС)

Способ контроля отсутствия обрывов и коротких замыканий на корпус или подложку внешних выводов твердотельных интегральных схем с изолирующими диодами // 1541542

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и может быть использовано при производстве и контроле твердотельных интегральных схем с изолирующими диодами

Способ отбраковки интегральных схем // 1539696

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к контролю в производстве интегральных микросхем

Устройство для автоматического контроля больших интегральных схем // 1529220

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и может быть использовано для контроля электрических /статических и динамических/ параметров и функционирования цифровых логических БИС, в частности схем с эмиттерно-связанной логикой

Устройство для измерения электрических параметров интегральных микросхем // 1504633

Изобретение относится к технике контроля качества и надежности радиоэлементов, интегральных микросхем, электронных устройств и блоков и может быть использовано для контроля их статических параметров и функционального контроля

Устройство для подключения интегральных схем и цифровых блоков к контрольно-испытательной аппаратуре с контролем контактирования // 1500954

Устройство для контроля контактирования интегральных схем // 1483411

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и может быть использовано для контроля контактирования выводов интегральных схем

Способ контроля качества интегральных схем // 1458842

Изобретение относится к области контроля изделий электронной техники

Способ отбора интегральных схем повышенной надежности // 2295735

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано для выделения из партии интегральных схем (ИС) схемы повышенной надежности

Способ разделения интегральных микросхем по радиационной стойкости и надежности // 2311654

Изобретение относится к области испытания объектов электронной техники, в частности предназначено для отбраковки образцов интегральных микросхем с аномально низкой радиационной стойкостью и надежностью

Измерительный источник-преобразователь напряжения и тока // 1670632

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в составе автоматизированных измерительных комплексов для контроля параметров интегральных микросхем

Способ параметрического контроля мдп-интегральных схем // 1674022

Изобретение относится к микроэлектронике

Устройство контроля ресурса передающих квантово-электронных модулей // 1674023

Способ теплового контроля качества объемных интегральных схем // 1675908

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для неразрушающего контроля качества объемных интегральных схем

Устройство для фиксации обрывов и коротких замыканий на корпус или подложку внешних выводов твердотельных интегральных схем с диодной изоляцией // 1691790

Изобретение относится к контрольноизмерительной технике и может быть использовано при производстве и контроле интегральных схем с диодной изоляцией в процессе испытаний на виброустойчивость и воздействие акустических шумов

Устройство для контроля контактирования выводов интегральной схемы // 1712907

Изобретение относится к электронной технике

Способ электротермотренировки интегральных микросхем // 2554660

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано для повышения качества электротермотренировки интегральных микросхем. Технический результат: повышение надежности микросхем. Сущность: на выводы питания и на вывод ″земля″ микросхемы подают последовательности импульсов напряжения. Фронт нарастания импульсов, подаваемых на вывод ″земля″, формируют с задержкой относительно фронта нарастания соответствующего импульса на выводе питания. Спад импульсов на выводе “земля” формируют до начала формирования спада соответствующего импульса на выводе питания. 4 ил.

Способ оценки стойкости цифровой электронной аппаратуры к воздействию ионизирующих излучений (варианты) // 2578053

Изобретение относится к области исследования радиационной стойкости полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем, и в большей степени интегральных микросхем (ИМС) с последовательной и комбинационной обработкой логических сигналов. Сущность изобретения заключается в том, что путем сопоставления и конверсии различных данных по стойкости к дозовым эффектам при статическом или импульсном облучении на моделирующих установках (МУ), по стойкости к эффектам мощности дозы при импульсном облучении на МУ, по стойкости к воздействию эффектов мощности дозы ИЛИ при имитационном моделировании, по стойкости к низкоинтенсивному излучению факторов космического пространства (КП) и по данным спецификаций о динамических параметрах ППП и ИМС на основе общей концепции генерации критического заряда в чувствительном объеме νS, вызывающего эффекты SEU и SET в цифровых электронных схемах. 4 н. и 23 з.п. ф-лы, 16 ил., 12 табл.