Способ получения монокристаллов на основе иттрий- алюминиевого граната

Авторы патента:

Киселева Т.И.

Крутова Л.И.

Пензина Э.Э.

Письменный В.А.

Попов Л.Г.

Сандуленко В.А.

C30B29/28 - с формулой A₃Me₅O₁₂, где A - редкоземельный металл, а Me - Fe, Ga, Sc, Cr, Co или Al, например гранаты

C30B11/02 - без использования растворителей (C30B 11/06 имеет преимущество)

Способ получения монокристаллов на основе иттрий-алюминиевого граната, включающий выращивание вертикальной направленной кристаллизацией расплава с легирующей добавкой в молибденовом контейнере в атмосфере смеси аргона с водородом, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода оптически однородных монокристаллов, пригодных для использования в качестве пассивных лазерных затворов с высокой апертурой, в качестве легирующей добавки берут хром с концентрацией не более 6 10²⁰ см^-3 с магнием или кальцием с концентрацией не более 4 10²⁰ см^-3, а после выращивания их отжигают при 1000 - 1200^oC в течение 20 - 55 ч.

Изобретение относится к изготовлению ферромагнитных монокристаллических изделий для электронной техники, в частности к технологии изготовления сферических резонаторов из монокристаллов феррогранатов

Магнитный монокристаллический материал // 1517384

Шихта для получения феррит-гранатовой магнитной монокристаллической пленки // 1496337

Способ получения монокристаллов гадолиний-галлиевого граната // 1453960

Способ выращивания монокристаллов кальций-ниобий-галлиевого граната // 1414015

Изобретение относится к электронной технике и позволяет повысить качество монокристаллов

Способ получения монокристаллов гадолиний-галлиевого граната // 1354791

Изобретение относится к способу получения монокристаллов гадолиний-галлиевого граната и позволяет увеличить выход монокристаллов диаметром до 80 мм за счет уменьшения длины конусной части до 5-15 мм

Способ выращивания монокристаллов гадолиний-галлиевого граната // 1347513

Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов гадо лииий-гашшевого граната и позволяет увеличить выход годных монокристаллов диаметром 105-110 мм с апот-; ностью дефектов кристаллической структуры i7 см

Монокристаллический лазерный стержень и способ его получения // 1345684

Изобретение относится к квантовой электронике

Способ получения монокристаллов гадолиний-галлиевого граната // 1319641

Способ выращивания монокристаллов иттрий-алюминиевого граната, легированного неодимом // 1294032

Способ получения кристаллов селенида цинка // 1558041

Изобретение относится к лазерной технике , в частности к способам получения кристаллов для изготовления оптических элементов С02-лазеров, и может найти применение в химической промышленности при выращивании кристаллов селенида цинка

Способ выращивания монокристаллов из раствора-расплава // 1496325

Способ получения кристаллов органических веществ // 1473382

Изобретение относится к выращиванию кристаллов, конкретно органических кристаллов особо чистых веществ, и позволяет повысить сте пень чистоты кристаллов и увеличить производительность процесса

Способ получения кристаллов селенида цинка // 1468023

Изобретение относится к выращиванию (фисталпов и позволяет получить кристаллы диаметром более 60 мм с коэффициентом поглощения не более 32 10 см на длине волны 10.6 мкм

Способ получения щелочногалоидных кристаллов // 1431392

Изобретение относится к техно-, логни получения материалов для изготовления оптических элементов ИК- техники и позволяет упростить способ получения кристаллов и удалить из камеры .токсичные и агрессивные гйзы Способ получения щелочногалоидных кристаллов включает нагрев Исходного сьфья в герметичной кймере под давлением инертного газа 1-2 атм до расплавления, снижение давления инертного газа до 0,01-0, 2 атм и выращи- ;йание кристалла

Способ выращивания монокристаллов теллурида кадмия // 1431391

Изобретение относится к способам получения полупроводникового материала, может быть использовано в электронной технике, обеспечивает уменьшение плотности дислокаций, исключение двойников и упрощение способа

Способ получения сцинтилляционного материала // 1429601

Изобретение относится к технологии получения сцинтилляционного материала на основе щелочНо-галоидных монокристаллов , может быть использовано в химической промышленности и обеспечивает улучшение спектрометрических характеристик материала за счет снижения концентрации продуктов неполного сгорания органических примесей

Способ получения монокристаллов иодидов щелочных металлов // 1367547

Монокристаллический материал для спектрометрических сцинтилляторов и способ его получения // 1362088

Изобретение относится к выращиванию монокристаллов из расплава, которые используют в сцинтилляционных счетчиках для регистрации и спектрометрии ионизирующих излучений

Способ получения сцинтилляционных щелочно-галоидных кристаллов // 1304442

Изобретение относится к способам получения сцинтилляционных щелочно-галоидных кристаллов и обеспечивает повышение производительности процесса при сохранении оптического качества кристаллов, а также одновременное получение сцинтилляционного элемента для низкофонового спектрометра, содержащего световод

Способ выращивания монокристаллов полупроводниковых соединений // 2105831

Изобретение относится к получению сложных полупроводниковых соединений типа A3B5 и A4B6