Квазиоптическое устройство с переменным коэффициентом отражения

 

Изобретение может быть использовано в квазиоптических устройствах. Цель - обеспечение независимости коэффициента отражения от поляризации. Устройство состоит из трех одинаковых диэлектрических пластин (ДП) 1, 2 и 3, установленных параллельно. Крайние ДП 1 и 3 установлены неподвижно, а средняя ДП 2 установлена с возможностью перемещения вдоль оси, перпендикулярной ДП 1, 2 и 3. Изменение коэффициента отражения устройства осуществляется путем перемещения ДП 2 и происходит из-за изменения фазовых соотношений пучка электромагнитных волн, многократно переотражающихся между поверхностями ДП 1, 2 и 3. Величина коэффициента отражения не зависит от поляризации, поскольку пучок электромагнитных волн падает перпендикулярно ДП 1, 2 и 3, а диэлектрик является изотропным. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН щ)5 Н 01 P 3/20 1/24

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А ВТОРСКОМ,Ф СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4487164/24-09 (22) 19,07.88 (46) 15.07.90. Бюл. М 26 (72 ) А. М. Афонин, А. В. Ко злов и А. В. Теребилов (53) 621. 372.852. 3 (088. 8) (56) Авторское свидетельство СССР

Р 289465, кл. Н 01 Р 3/20, 1969.

Авторское свидетельство СССР

h> 357635, кл. Н 01 P 3/20, 1971. (54) КВАЗИОПТИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО С

IIEPEMEHHbIM КОЭФФИЦИЕНТОМ ОТРАЖЕНИЯ (57) Изобретение может быть использовано в квазиоптических устройствах. Цель — обеспечение независимости коэффициента отражения от поляризации. Устройство состоит из трех

ÄÄSUÄÄ 1578778 А1

2 одинаковых диэлектрич еских пластин (ДП) 1,2 и 3, установленных параллельно. Крайние ДП 1 и 3 установлены неподвижно, а средняя ДП 2 установлена с возможностью перемещения вдоль оси, перпендикулярной ДП 1, 2 и 3. Изменение коэффициента отражения устройства осуществляется путем перемещения ДП 2 и происходит из-за изменения фазовых соотношении пучка электромагнитных волн, многократно пер еотражающихся между поверхностями ДП 1, 2 и 3. Величина коэффициента отражения не зависит от поляризации, поскольку пучок электромагнитных волн падает перпендикулярно ДП

1, 2 и 3, а диэлектрик является изотропным. 1 ил.

1578778 где 4 — длина волны в свободно1Г пр остр анс тв е; — диэлектрическая проницаемость материала диэлектрических пластин, а расстояние D между крайними диэлектрическими пластинами D = d(1 +

+ 2 jff). Величина коэффициента отражения не зависит от поляризации падающего волнового пучка, Изобретение относится к технике

КВЧ и ГВЧ и может быгь использовано в квазиоптических устройствах.

Цель изобретения — обеспечение

5 независимости коэффициента отражения от поляризации.

На чертеже представлена конструкция устройства.

Квазиоптическое устройство с переменным коэффициентом отражения состоит из трех одинаковых диэлектрических пластин 1, 2 и 3, установленных параллельно. Крайние диэлектрические пластины 1 и 3 установлены неподвижно, а средняя диэлектрическая пластина 2 установлена с возможностью перемещения вдоль оси, перпендикулярной диэлектрическим пластинам 1,2 и 3. 20

Устройство работает следующим обр азом.

Электромагнитный волновой пучок . падает на квазиоптическое устройство с переменным коэффициентом отраже- 25 . ния, перпендикулярно диэлектрическим ппастинам 1, 2 и 3, и,переотражаясь между всеми их поверхностями, частично отражается„ а частично проходит на выход. Минимальный коэффициент отражения реализуется, когда средняя диэлектрическая пластина 2 расположена на одинаковом расстоянии от крайних диэлектрических пластин 1 и 3. При смещении средней диэлектрической пластины 2 увеличивается коэффициент отражения. Наибольшая крутизна регулировки достигается, когда толщина d. всех диэлектрических пластин 1, 2 и 3 удовлетворяет > соотношению

Формула из обр етения

Квазиоптическое устройство с переменным коэффициентом отражения, содержащее две диэлектрические пластины, установленные перпендикулярно направлению распространения волнового пучка, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью обеспечения независимости коэффициента отражения от поляризации, введена третья диэлектрическая пластина, параллельная первым двум, при этом все диэлектрические плас,тины имеют равную толщину

d удовлетворяющую соотношению

d = К- arctg

/(2!(7 ), где а — длина волны в свободном прос тр анс тв е;

Я вЂ” диэлектрическая проницаемость материала диэлектрических пластин, и крайние диэлектрические ппастины размещены на расстоянии d(1+2 Й) одна от другой, а средняя установлена с возможностью перемещения вдоль оси, перпендикулярной диэлектрическим пп ас тинам.

d = Л 17 - arctg

/ (2&5, Составитель С.Подковырин

Техред П,Олийнык . Корректор Л.Патай

Редактор А.Долинич

Заказ 1921 Тир аж 443 Подпи сное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г.Ужгород, ул. Гагарина,101