Устройство для контроля диодных матриц

Авторы патента:

G01R31/26 - испытание отдельных полупроводниковых приборов (измерение содержания примесей G01N)

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при контроле полупроводниковых диодов. Цель изобретения - повышение производительности и достоверности контроля - достигается за счет введения блока 7 контроля токов и коммутатора 4. Кроме того, устройство содержит генератор 1 тока, коммутатор 2, блок 3 для подключения испытуемых диодов, блок 5 контроля напряжения, блок 6 синхронизации, генератор 8 импульсов и блок 9 регистрации. 1 ил.

COIO3 СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК (19) (II) (51)5 С О) R 31/26

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4326528/24-21 (22) 09.13,87 (46) 23.04.90. Бюл. У .15 (72) В. И. Малецкий (53) 621.382.2 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

И 1100589, кл. С 01 К 31/26, 1982. (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ КОНТРОЛЯ ДИОДНЫХ

МАТРИЦ (57) Изобретение относится к измерительной технике и может быть ис2 пользовано при контроле полупроводниковых диодов. Цель изобретениявЂ” повышение производительности и достоверности контроля вЂ” достигается за счет введения блока ? контроля токов и коммутатора 4. Кроме того, устройство содержит генератор 1 така, коммутатор 2, блок 3 для подключения испытуемых диодов, блок 5 контроля напряжения, блок 6 синхронизации, генератор 8 импульсов,и блок 9 регистрации. 1 ил.

1559319

Блок 7 контроля тока обеспечивает потенциал общей шины на входе и сравнение втекающего тока контролируемого диода с заданными значениями максимального и минимального токов.

Результат сравнения по команде блока 6 передается с выхода блока 7 в блок 9 регистрации.

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при контроле диодных матриц и диодных сборок, Цель изобретения вЂ” повышение произво,,дительности идостоверности контроля.

На чертеже представлена структурная схема устройства.

Устройство содержит генератор 1 тоха; первый коммутатор 2, блок 3 подключения контролируемых диодов, второй коммутатор 4, блок 5 контроля напряжения, блок 6 синхронизации, блок 7 контроля тока, генератор 8 импульсов, блок 9 регистрации.

Устройство работает следующим образом.

По фронту входного импульса от генератора 8 импульсов сигнал с пер- 20 вого выхода блока 6 синхронизации передается в первый коммутатор 2 для подключения первого диода в блоке 3 для подключения диодов. Входной импульс также запускает генератор l тока через пятый выход блока 6 синхронизации. При превышении прямого падения напряжения koíòðîëèðóåìoãî диода над заданным значением сигнал

"Брак" с блока 5 контроля напряжения 30 поступает в блок 9 регистрации, Следующий входной импульс генератора 8 импульсов вызывает соответствующее подключение коммутатора 2 к выводу второго диода и контроля прямого падения напряжения. Аналогично производится проверка третьего и четвертого диодов. По пятому тактовому импульсу генератора 8 импульсов блок 6 синхронизации выдает сиг- 40 нал и первый коммутатор 2 для подктпочения всех первых выводов контролируемых диодов 3 к генератору 1 тока. При этом производится контроль разбаланса тока g,I всех возможных параллельно включенных пар диодов в диодной матрице, причем вывод одного иэ диодов пары подключается к общей шине, а вывод второго диодавЂ” к входу блока 7 контроля тока. - 50

Составитель В.Сум

Изобретение:позволяет повысить производительность и достоверность контроля диодных матриц.

15 Формула изобретении

Устройство для контроля диодных матриц, содердащее генератор импульсов, генератор тока, выход которого соединен с входом блока контроля напряжения и первым входом первого коммутатора, выход которого подключен к первому входу блока для подключе-... ния диодов, выход блока контроля напряжения соединен с первым входом блока регистрации, о т л и ч а ювЂ” щ е е с я тем, что, с целью повы шения производительности и достоверности контроля, оно снабжено вторым коммутатором, блоком контроля тока, блоком синхронизации, причем выход генератора импульсов соединен с вхо" дом блока синхронизации, первый выход которого подключен к второму входу первого коммутатора, второй выход блока синхронизации соединен с входом второго коммутатора, первый выход которого подключен к второму входу блока для подключения диодов, а второй выход второго коммутатора подключен к первому входу блока контроля тока, второй вход которого соединен с третьим выходом блока синхронизации, четвертый выход которого подключен к второму входу блока регистрации, третий вход которого соединен с выходом блока контроля тока, а пятый выход блока синхронизации подключен к входу генератора тока. цов

Редактор Н.Лазаренко Техред А КРавчук

Корректор С.Шевкун

Заказ 837 Тираж 556 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 101

Изобретение относится к электроизмерительной технике и предназначено для определения ширины коллектора высоковольтного транзистора

Устройство для контроля транзистора с инверсным коэффициентом усиления более 1 // 1555692

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для определения типа проводимости и исправности транзисторов

Способ определения мощности излучения полупроводникового диода // 1550443

Изобретение относится к электронной технике и предназначено для опред

Устройство для испытания полупроводниковых приборов // 1545174

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для испытания изделий электронной техники

Устройство для отбраковки мощных транзисторов // 1536987

Способ определения однородности лавинного пробоя диодов с положительным температурным коэффициентом напряжения // 1536982

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых приборов с лавинным пробоем, в частности для ограничительных диодов

Устройство для автоматического измерения параметров варикапов // 1534414

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения активной составляющей проводимости, емкости и добротности варикапов в параллельной схеме замещения, например, при технологическом контроле параметров полупроводниковых приборов и других как нелинейных, так и линейных объектов, а также в подсистемах технической диагностики радиотехнических элементов автоматизированных систем контроля различной радиоэлектронной аппаратуры

Устройство автоматического измерения области безопасной работы транзисторов // 1529941

Способ контроля свч полевых транзисторов на пластине // 1529940

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для технологического контроля в широкой полосе частот полевых транзисторов непосредственно на пластине

Способ отбраковки дрейфовых транзисторов // 1528159

Способ измерения падения напряжения на полупроводнике в мдпдм-структуре и устройство для его осуществления // 2101720

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Устройство для определения электрофизических параметров полупроводниковых пластин // 2101721

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Способ контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления элементов с вольтамперной характеристикой s-типа и устройство для его осуществления // 2105989

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Устройство для определения качества изготовления тиристоров // 2112989

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2112990

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Способ определения поверхностного изгиба зон полупроводника s в мдп-структуре // 2117956

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Устройство и способ измерения поверхностного сопротивления полупроводниковых пластин // 2121732

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2128349

Устройство для контроля светодиодов // 2130617

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Устройство диагностирования тиристорного преобразователя // 2133042

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим