Способ обнаружения дефектов сегнетоэлектрического носителя информации

Авторы патента:

G11C11/22 - с использованием сегнетоэлектрических элементов

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для контроля однородности сегнетоэлектрических пластин при изготовлении носителей информации. Цель изобретения - повышение достоверности способа. Способ основан на регистрации формы интерференционных полос прошедшего через монодоменизированную сегнетоэлектрическую пластину монохраматического излучения до и после переполяризации сегнетоэлектрика и идентификации дефектов с деформацией формы интерференционных полос, что позволяет выявить дефекты сегнетоэлектрика различной физической природы. 2 ил.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН (19) (1И

А1 (51)5 G 11 С 11/22

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А ВТОРСКОМ,Ф СВИДЕТЕЛЬСТВУ

4й 4

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

1 (21) 3835874/3 1-24 (22) 04.01.85 (46) 15.04.90. Бюл, В 14 .(71) Уральский государственный университет им. А.M.Ãoðüêoão (72) В.Я.Шур, Н.В.Коровина и А.Л.Груверман (53) 681.327(088.8) (56) ФТТ, 1977, т.19, В 8, с.1238вЂ”

1244.

J. of Appl. Plys, 41, В 6, 1970, р.2321-2325. (54) СПОСОБ ОБНАРУЖЕНИЯ ДЕФЕКТОВ

СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО НОСИТЕЛЯ ИНФОРМАЦИИ (57) Изобретение относится к вычисИзобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для контроля однородности сегнетоэлектрических пластин при изготовлении носителей информации на их основе.

Цель изобретения вЂ” повышение достоверности способа обнаружения дефектов сегнетоэлектрического носителя информации.

На фиг.! и 2 приведены графики.

Физическая сущность способа основана на том, что при монодоменизации сегнетоэлектрической пластины вблизи областей, имеющих дефекты электрической природы, возникают объемные заряды, создающие при переключении поляризации связанные внутренние поля, вызывающие, в свою очередь, локальные изменения двулуче2 лительной технике и может быть использовано для контроля однородности сегнетоэлектрических пластин при изготовлении носителей информации. Цель изобретения вЂ” повышение достоверности способа. Способ основан на регистрации формы интерференционных полос прошедшего через монодоменизированную сегнетоэлектрическую пластину монохроматического излучения до и после переполяризации сегнетоэлектрика и идентификации дефектов с деформацией формы интерференционных полос, что позволяет выявить дефекты сегнетоэлектрика различной физической природы. 2 ил. преломления и, как следствие, деформацию интерференционных полос прошедшего через носитель монохроматического излучения.

Монодоменизацию пластины осуществляют электрическим полем с напряженностью, достаточной для переключения поляризации во всем объеме, после чего регистрируют форму и положение интерференционных полос. 3атем к пластине прикладывают электрическое поле противоположного направления и повторно регистрируют форму и положение полос. Деформация полос свидетельствует о наличии дефектов в исследуемом объеме сегнетоэлектрика.

Предложенный способ обладает боль.rueA достоверностью по сравнению с известными, так как позволяет выяв1557587 лять дефекты носителя информации различной природы.. формула изобретения

Способ обнаружения дефектов сегнетоэлектрического носителя информации, включающий регистрацию формы интерференционных полос прошедшего через монодоменизированную сегнетоэлектрическую пластину монохроматического излучения, о т л и ч а ювЂ” шийся тем, что, с целью повышения его достоверности, монодоменизированную сегнетоэлектрическую пла5 стиву переполяриэуют, а наличие дефектов идентифицируют с деформацией формы интерференционных полос прошедшего через пластину монохроматического излучения до и после переполяриэации.

1557587 дб,яка

ХОО

Составитель В.Костин

:Редактор Т.Федотов Техред М;Ходанич Корректор М. Шароши

Заказ 719 Тираж 485 Подписно

ВНИИПИ Государственного комитета о изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035 Москва, %-35, Рауаская наб., д. 4/5Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 101

Способ обнаружения дефектов сегнетоэлектрического носителя информации

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в сегнетоэлектрических накопителях информации

Запоминающее устройство // 1536441

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к пьезокерамическим запоминающим устройствам, и может быть использовано в перепрограммируемых накопительных устройствах

Устройство для считывания информации с биморфного пьезокерамического накопителя // 1522287

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в перепрограммируемых накопительных устройствах

Сегнетоэлектрический накопитель информации // 1348907

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах вычислительных машин

Способ считывания информации в матричном биморфном сегнетоэлектрическом накопителе информации // 1309084

Изобретение относится к вычис, 1ительной технике и может быть использовано при изготовлении и эксплуатации запоминающих устройств

Сегнетоэлектрический накопитель информации // 1283853

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в полупостоянных запоминающих устройствах вычислительных машин

Запоминающий транспарант // 1240237

Сегнетоэлектрическое запоминающее устройство // 1187218

Способ записи и считывания информации в сегнетоэлектрическом элементе памяти // 1180977

Способ изготовления сегнетоэлектрических элементов памяти // 1133620

Композиция материала запоминающего устройства, способ его изготовления, энергонезависимое запоминающее устройство, способ его изготовления, способ запоминания и воспроизведения двух независимых бит двоичных данных в одной ячейке памяти энергонезависимого запоминающего устройства // 2124765

Способ создания трехмерной оптической памяти // 2143752

Изобретение относится к средствам создания оптической памяти и может быть использовано для осуществления в оптической среде

Сегнетоэлектрическое устройство обработки данных // 2184400

Изобретение относится к устройствам обработки и/или хранения данных с активной или пассивной электрической адресацией

Способ выполнения операций записи и считывания в памяти с пассивной матричной адресацией и устройство для осуществления этого способа // 2239888

Изобретение относится к способу выполнения операций записи и считывания в памяти с пассивной матричной адресацией, образованной набором ячеек памяти, содержащих электрически поляризуемый материал, обладающий свойством остаточной поляризации, и к устройству для осуществления указанного способа

Адресация матричной памяти // 2239889

Изобретение относится к способу управления набором ячеек памяти или дисплеем с пассивной матричной адресацией, содержащими электрически поляризуемый материал, обладающий гистерезисом, преимущественно ферроэлектрический материал

Энергонезависимая пассивная матрица, способ считывания из подобной матрицы и устройство трехмерного хранения данных // 2245584

Изобретение относится к запоминающему устройству на основе энергонезависимой матричной памяти

Способ неразрушающего считывания данных и устройство для осуществления данного способа // 2250518

Изобретение относится к способу определения логического состояния ячейки памяти в запоминающем устройстве, к устройствам для сопоставления фаз, к неразрушающему считыванию содержимого ячеек памяти, содержащих поляризуемый материал

Ферроэлектрический запоминающий контур и способ его изготовления // 2259605

Изобретение относится к Ферроэлектрическому запоминающему контуру и способу его изготовления

Ферроэлектрический или электретный запоминающий контур // 2269830

Изобретение относится к ферроэлектрическому или электретному запоминающему контуру (С) с повышенной стойкостью к усталости

Трехмерное запоминающее устройство // 2274913

Изобретение относится к устройствам хранения и/или обработки данных, основанным на использовании тонких ферроэлектрических пленок, в частности к ферроэлектрическому или электретному трехмерному запоминающему устройству