Способ формирования знаков совмещения на полупроводниковой подложке
СОЮЗ СОВЕТСНИХ
СОЦИО ДИСТИЧЕСНИХ
РЕаЪВЛИИ гссуди ственный комитет пО изсБРетениям и ОткРцтиям
Г1РИ ГКНТ СССР
;(чб} 23. 12. 90. Бюл, Ф 47 (21) 4428366/24-21 (22) 23 05 88 (72) И.П.Баргий, А.С.Дзян и В.H.Мацкевич (53} 621,382.092(088.8) (56) Патент СИА Р 4268347, кл. В 44 С 1/22, 1983.
Гузь Н.В., Журавлев В.П. Прецизионное совмецение технологических слоев по рельефным знакам // Электронная промышленность. - 1984, И 11 (26), с. 28-31. (54) СПОСОБ ФОРИИРОВД1ИЯ ЗНАКОВ СОВМЕЩЕНИЯ HA ПОЛУПРОВОДНИКОВОИ ПОДЛОЖКЕ (57) Изобретение относится к технолоИзобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для совмещения технологических рисунков в проекционной фотолитогра, фии при изготовлении интегральных схем.
Цель изобретения - повышение контрастности знаков совмещения путем обработки подложки в водном растворе щелочи с добавлением поверхностноактивного вещества перед плаэмохимическим травлением углублений в подложке, которые используются в качестве знаков совмещения. Это позволяет получить рельефную поверхность углубления, которая имеет хорошую ,рассеиваюц>ую способность по отношению к свету.
»,1Л 1552ИО
1)5 Н 01 2 1 312. C 03 z w ÔÝ"%ИЕВВЗЮЪЪВМа аМУн
2 гии изготовления интегральных схем.
Цель изобретения - повышение конт:растности знаков совмещения. На по верхности подложки создают маску.
Проводят обработку подложки в водном рас дворе, содержа:.1ем О, 01-3, 00 мас. Ф поверхностно активного вещества и
0,001-0,100 мас,3 щелочи. Выполняют плазмохимическое травление подложки в плазме галогенсодер>«ащего газа.
Каталитическое воздействие на процесс травления атомов щелочных метал" лов позволяет получить поверхность углублений с раэвитыл рельефом. Это способствует поглощению света, падающего на знаки совмещения, и повыша- р ет их контрастность. 3 ил.
На фиг. 1 показана подложка 1 с маской 2, на фиг. 2 - подложка с маской после обработки в растворе со слоем 3 поверхностно-активного вещества и щелочи, на фи;-. 3 - подлож ка с маской после травления углубления 4.
П р и и е р. Кремниевые подложки ,1 (см. фиг. 1) диаметром 100 мл1 ори-, ентацией (100) и (111) о«исляются 40 толщины окисла 500 А или 1000 A. Ha часть пластин наносится слой нитрида кремния толциной 1500 А. Наску 2 для травления знаков совмещения получает методом проекционной фотолитографии.
Размер ячейки знака совмещения 3х3 или 5х5 мкм. Обработку пластин водным раствором, содержащим 0,01
1552940
НосТН подложки в результате обработки в растворе, скорость травления увеличивается. Поверхность углублений 4 (см. Фиг. 3) имеет развитый рельеФ. Глубина травления 2-2,5 мкм.
При этом контрастность знаков 0,80 9 °
Ф о р.м у л а и з о б р е т е н и я
4 м8. д
Составитель В. Рубцов
Техред N,äèäöê Корректор И.ИУска, Редактор Т.Иагова г
«ю эм е ° »ам
Заказ 4333 .Тираж 461 Подписное
f ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР
113035, Москва, Ж"35, Раушская наб., д. 4/5
Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул.Гагарина 101
3,00 мас.3 поверхностно-актйвного вещества и 0,001-0,1 мас. щелочи, про, водят на автомате гидромеханической отмывки 04 ЧЩ-125-005, Режимы обра" ботки: нанесение в течение 15+3 с п1 и скорости вращения 1000+200 об/мин сушка в течение 20+3 с при скорости вращения 3500+200 об/мин, цетки не используются. В качестве поверхностно-активного вецества применяются; сйачиватель CB-104П, синтенол ДС-10, оксифос. В качестве щелочи используют КОН и МаОН. Плазмохимическое травление проводят на установках 08. 15
ПХ0-100Т-004 (смесь С, + 10 0„ давление 40 Па, напряжение анода
1,5 кВ ток 0,5 А). В результате каталитического воздействия на процесс травления атомов щелочных металлов, находящихся в слое 3 (см. фиг. 2) поверхностно-активного вещества и щелочи, который образуется на поверхСпособ формирования знаков совмещения на полупроводниковой подложке, включающий создание маски на поверх" ности подложки и плазмохимическоЕ травление подложки в плазме .галоген" содержащего газа, о т л и ч,а ю .шийся тем, что, с целью повыше"
/ ния контрастности знаков совмещения, перед плазмохимическим травлением проводят обработку подложки в водном растворе, содержащем 0,01-3,00 мас,.ь поверхностно активного вещества и, 0,001-0,100 мас.3 щелочи.
