Микрополосковая нагрузка

 

Изобретение относится к технике СВЧ и может быть использовано в миниатюрных устройствах. Цель изобретения - увеличение полосы рабочих частот. Микрополосковая нагрузка содержит диэлектрическую подложку 1, на одной стороне которой размещено заземляющее основание 2, а на другой стороне - токонесущий проводник 3 и резистивный слой 4, связанный с ним через введенную индуктивность 5. Удельное сопротивление R резистивного слоя 4 и его погонная емкость C выбраны из соотношений 2φFRС = 5 - 8, R = (3,16 - 4,47)<SP POS="POST">.</SP>Z<SB POS="POST">0</SB>, где F - средняя частота

Z<SB POS="POST">0</SB> - волновое сопротивление входа. Сочетание выбора погонной емкости C и удельного сопротивления R в соответствии с соотношениями, приведенными выше, и индуктивность 5 позволяют существенно расширить полосу рабочих частот. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

09) 111) (51)5 Н 01 Р 1/26 °

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н А BTOPCHOIVIV СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4408016/24-09, (22) 11.04.88 (46) 15.03.90. Вюл. М - 10 (72) Г.Н.Висков (53) 621.372.855.4(088.8) (56) Патент ФРГ )) 2260058, кл. Н 01 Р1/26,,1975.

Патент США У 354 1474, кл. 333- 22

1970 ° (54) МИКРОПОЛОСКОВАЯ НАГРУЗКА (57) Изобретение относится к технике СВЧ и м.б. использовано в мини- атюрных устр-вах. Цель изобретения— увеличение полосы рабочих частот.

Микрополосковая нагрузка содержит

2 диэлектрическую подложку 1,, на одной стороне которой размещено заземляющее основание 2, а на другой сторонетоконесущий проводник 3 и резистивный слой 4, связанный с ним через введенную индуктивность 5 ° Удельное сопротивление R резистивного слоя 4 и его погонная емкость С выбраны из соотношений 2nfRC 5-8, R (3, 164,47) ° Е, где Х -средняя частота,"

Z — волновое сопротивление входа.

Сочетание выбора погонной емкости С ,и удельного сопротивления К в соот-. ветствии с соотношениями, приведенными выше,и индуктивность 5 позволяют су,щественно расширить полосу рабочих частот. 1 ил. 8

1550590 ствительной части и нулю мнимой части выражения

--- cth 1 к о

К2н ЕС где (= — --- (! + ))

9 где Z — волновое сопротивление отрезка микрополосковой линии с потерями, образованного резистивным слоем 4, диэлектрической подложкой 1 и заземляющим основанием 2.

1О

20

R = (3,16-4,47) Zo, Формула изобретения

30

2 и ЕКС = 5-8;

R = (3, 16-4, 47) Z

40 где f — средняя частота;

Zo — волновое сопротивление на входе.

Составитель В.Алыбин

Редактор Т.Парфенова Техред М.Ходанич Корректор Э.Лончакова

Тираж 435

Заказ 277

Подписное

РчИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж 35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,101

Изобретение относится к технике

С Ч и может быть использовано в мин атюрных устройствах, Целью изобретения является увеличение полосы рабочих частот.

На чертеже показана конструкция м крополосковой нагрузки.

Иикрополосковая нагрузка содержит диэлектрическую подложку I, на одной ( с гороне которой размещено эаземляющ е основание 2, а на другой сторон — токонесущий проводник 3 и резист вный слой 4, связанный с ним через и дуктивность 5. Удельное сопротивл зние R резистивного слоя 4 и его пргонная емкость С выбраны иэ соотЬ ношений

2 fRC = 5-8;

r е Š— средняя частота;

Z — волновое сопротивление о входа.

Микрополосковая нагрузка работае следующим образом.

СВЧ-сигнал, поступающий на токон сущий проводник 3, рассеивается в р эистивном слое 4. Индуктивность 5 с ужит для согласования резистивног слоя 4 с микрополосковой линией, о разованной токонесущим проводник м 3, диэлектрической подложкой 1 и э земляющим основанием 2.

Выбором соотношения 2lifRC = 5-8 о еспечивается большое затухание

С Ч-сигнала на единицу длины волны п и малых габаритах, что способствуе увеличению диапазона рабочих частот.

Второе соотношение получено с учетом первого соотношения иэ условия обеспечения согласования, которое

Ъ полняется при равенстве единице дей.Сочетание выбора погонной емкости

С и удельного сопротивления R н соответствии с приведенными соотношениями и индуктивности 5 позволяет существенно расширить рабочую полосу частот °

Микрополосковая нагрузка, содержащая диэлектрическую подложку, на одной стороне которой размещено заземляющее основание, а на другой стороне — токонесущий проводник и реэистивный слой, связанный с ним, о тл и ч а ю щ а я с я тем, что, с целью увеличения полосы рабочих частот, сокращения габаритов, реэистивный слой соединен с токонесущим проводником через введенную индуктивность, а его удельное сопротивление R и погонная емкость С выбраны из соотношений