Способ контроля качества наклеивания тензорезисторов
Изобретение относится к измерительной технике, а именно к тензометрии. Цель изобретения - повышение точности контроля качества наклеивания путем уменьшен1/- погрешности, обусловленной различиями тем пературных характеристик сопротивлений сравниваемых тензорезисторов, Для этого контролируемый и эталонный (качественно наклеенный ) тензорезисторы подвергают тестовому нагреву током с постоянной мгновенной мощностью скачком подводимым током с постоянной мгновенной мощностью и сравнивают при этом приращения их сопротивлений в интервале времени 3 Тн - ТНн, где Тн - постоянная времени нагрева эталонного наклеенного тензорезистора, а ТНц - постоянная времени нагрева полностью неприклееного тензорезистора той же партии
СО)03 СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК (5П5 G 01 В 7/18
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ
ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ
ПРИ ГКНТ СССР
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ . К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (Я фь.
О
, Ы > (21) 4257982/28 (22) 28.06.87 (46) 30.11.91, Бюл, N. 44 (72) В. Е. Рогаткин (53) 531.781.2(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР
N 1293475, кл, 6 01 В 7/18, 1985, Авторское свидетельство СССР
М 724919, кл. G 01 В 7/18, 1980, (54) СПОСОБ КОНТОРОЛЯ КАЧЕСТВА НАКЛЕИВАНИЯ ТЕНЗОРЕЗИСТОРОВ (57) Изобретение относится к измерительной технике, а именно к тензометрии. Цель изобретения — повышение точности контроля
Изобретение относится к измерительной технике, а именно к тензометрии.
Целью изобретения является повышение точности контроля путем уменьшения погрешности, обусловленной различиями .температурных характеристик сопротивления сравниваемых тензорезисторов
Способ осуществля ют следующим образом.
Исходя из условия сохранения работоспособности и метрологического качества тензорезистора, выбирают величину тестового электрического тока с постоянной мгновенной амплитудой, в качестве которого может рассматриваться либо постоянный, либо знакоперемениый ок, амплитуда которого мгновенно возрастает в момент включения от нуля до максимума, модуль которого далее остается неизменным. Предварительно определяют постоянную времени нагрева таким током (током постоянной мгновенной мощности и скачком подводимой к проводнику) полностью неприклеенного тенэоре. Ы» 1549273 А1 качества наклеивания путем уменьшени погрешности, обусловленной различиями тем пературных характеристик сопротивлений сравниваемых тензореэисторов, Для этого контролируемый и эталонный (качественно наклеенный) тензорезисторы подвергают тестовому нагреву током с постоянной мгновенной мощностью скачком подводимым током с постоянной мгновенной мощностью и сравнивают при этом приращения их сопротивлений s интервале времени 3 Т, — T», где Тн - постоянная времени нагрева эталонного наклеенного тензорезистора, а Т„„— постоянная времени нагрева полностью неприклееного теиэореэистора той же партии. зистора из контролируемой партии, т.е. тензорезистора, окруженного со всех сторон воздухом. Для этого подают тестовый ток на неприклеенный тенэорезистор и фиксируют зависимость AR<=f(T ) временнОго изменения приращения сопротивления неприклеенного тенэорезистора, по которой определяют постоянную времени нагрева Т „, неприклеенного теизореэистора, т,е. время, за которое произойдет основное температурное изменение сопротивления его (=63% от максимальной величины). Далее на образец материала конструкции, подлежащей тензометрии, наклеивают тенэореэистор иэ выбранной контролируемой партии и при действии тестового импульса тока с постоянной мгновенной амплитудой и длительностью Т„„записывают график зависимости ARz = р (г) временного изменения приращения сопротивления теизорезистора, который потом подвергают проверке на качество наклеивания одним иэ известных разрушающих методов. например, токовым нагревом до обугливлния его
154М73
Составитель Е.Щелина
Редактор Н.Тимонина Техред M.Moðãå÷òàë Корректор О,Кундрик
Заказ 4645 ° Тираж Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб„4/5
Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 101 основы. Если разрушающий метод показывает высокое качество наклеивания, зависимость М =р(т) принимают за эталонную для данной партии контролируемых тензорезисторов и для данного материала конс- - 5 рукции, по которой определяют постоянную времени нагрева Т„эталонного, качественНо наклеенного тензореэистора. На каждый контролируемый i-й тензорезистор той же партии, наклеенный на конструкцию из того 10 же материала, подают тестовый импульс тока с постоянной мгновенной амплитудой и длительностью Тли и при этом записывают временную зависимость ARE = ф (г), которую сравнивают с эталонной ЛЯ2 = р(т). 15
Независимо от температурной характеристики сопротивления все тензорезисторы контролируемой партии, не имеющие дефек-та наклейки, будут иметь одинаковые постоянные времени нагрева, равные Т, и за "20 время действия тока с постоянной мгновенной амплитудой, равное ЗТн, произойдет примерно 97 температурного приращения их сопротивления. Для некачественно наклеенных тензорезисторов, т,е. имеющих 25 непроклеи основы, характерно увеличенное по сравнению с Тн значение постоянной времени нагрева, стремящегося к Т, . в пределе по мере роста площади непроклея.
Поэтому для оценки качества наклеивания 30 сравнивают не полностью зависимость
ЬЧ = ф (tj с зависимостьюЛ Вг= p(r), а лишь приращения сопротивления каждого
1-ro тензорезистора и эталонного в интервале времени ЗТ» — Тнл. В результате тако о сравнения контролируемого тензорезистора с эталонным остаточная систематическая погрешность определения качества наклеивания не превысит 3 от величины максимальногоразбросатемпературных характеристик сопротивления тензорезисторов в пар ии.
Формула изобретения
Способ контроля качества наклеивания тензорезисторов, заключающийся в том, что на контролируемый и эталонный качественно наклеенные тензорезисторы подают тестовый импульс электрического тока, в течение которого регистрируют изменения сопротивления тензоразисторов, по результатам сравнения которых ог1ределяют качество наклеивания контролируемого тензорезистора, отличающийся тем, что, с целью повышения точности контроля путем уменьшения погрешности, обусловленной различиями температурных характеристик сопротивления сравниваемых тензореэисторов, на тензорезисторы подают импульс тока с постоянной мгновенной амплитудой и длительнот. ью, равной предварительно определенно . постоянной времени нагрева этим током r...ëíoñòûî неприклееннога тензорезистора,
