Способ легирования кремниевых пластин, включающий имплантацию в них ионов бора с энергиями 30 - 60 кэВ и дозами, меньшими 4 10¹⁶ см^-2, и электрическую активацию бора последующим нагревом облучением импульсами света, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности за счет получения поверхностной концентрации свободных носителей заряда, превышающей дозу имплантации, нагрев осуществляют на воздухе импульсами света длительностью 25 10^-3 - 10 с, при этом число импульсов и их энергетические параметры выбирают из условия обеспечения температуры T имплантированного слоя T.пл._II T < T.пл._si, где T.пл._II - температура разложения тетраборида, T.пл._si - температура плавления кремния.

Способ обработки полупроводниковых материалов // 1523000

Способ легирования пластин кремния // 1507129

Устройство для зонной плавки с градиентом температуры // 1503597

Способ изготовления мдп-транзисторов // 1499614

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления МДП- транзисторов интегральных микросхем

Способ изготовления мдп-транзисторов // 1464797

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления интегральных микросхем

Способ формирования омических контактов на арсениде галлия // 1459538

Способ легирования слоя поликристаллического кремния // 1452399

Способ изготовления мдп-транзисторов // 1452398

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления МДП БИС

Способ изготовления мдп-больших интегральных схем // 1436768

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления ИС на МДП-транзисторах

Устройство для удаления поверхностных загрязнений с подложки (варианты) // 2114486

Изобретение относится к устройствам для удаления нежелательных поверхностных примесей с плоской или имеющей нерегулярную форму поверхности подложки 12 высокоэнергетическим излучением

Способ получения структур кремния-на-изоляторе методом зонной перекристаллизации и устройство для его осуществления // 2133520

Способ изготовления трехмерно расположенных проводящих и соединительных структур для объемных и энергетических потоков // 2242063

Изобретение относится к способу изготовления трехмерно расположенных проводящих и соединительных структур для объемных и энергетических потоков

Система контроля технологического процесса для лазеров, используемых в литографии // 2258253

Изобретение относится к системам контроля и, в частности, к системам контроля работы лазеров

Способ халькогенизации поверхности gaas // 2406182

Изобретение относится к технологии арсенид галлиевой микроэлектроники и может быть использовано для снижения плотности поверхностных состояний как на свободной поверхности полупроводника, так и на границе раздела металл-полупроводник и диэлектрик-полупроводник

Способ формирования эмиттера ионов для лазерной десорбции-ионизации химических соединений // 2426191

Изобретение относится к способам создания подложек, применимых в качестве эмиттеров ионов химических соединений в аналитических приборах, предназначенных для определения состава и количества химических соединений в аналитических приборах, в частности в масс-спектрометрах и спектрометрах ионной подвижности

Способ восстановления порогового напряжения мдп-транзисторных структур после воздействия плазменных обработок // 2426192

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и предназначено для создания полупроводниковых приборов на основе МДП-транзисторных структур, технология изготовления которых предусматривает использование плазменных обработок на этапе формирования металлизации приборов

Способ получения слоя поликристаллического кремния // 2431215

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано при изготовлении микро-, наноэлектронных и оптоэлектронных устройств, в частности тонкопленочных транзисторов, ячеек энергонезависимой памяти, солнечных элементов

Способ образования на подложке упорядоченного массива наноразмерных сфероидов // 2444084

Изобретение относится к микроэлектронике, оптической и оптоэлектронной технике, к нелитографическим микротехнологиям формирования на подложках тонкопленочных рисунков из наносимых на ее поверхность веществ

Способ формирования топологии интегральной микросхемы // 2098885

Изобретение относится к производству микросхем и может быть использовано при формировании функциональных слоев микросхем (в т.ч