Преобразователь уровня

 

Изобретение относится к цифровой технике и предназначено для преобразования уровней КМОП, ТТЛ, И<SP POS="POST">2</SP>Л, ЭСЛ элементов в уровни ТТЛ элементов БИС. Преобразователь уровня содержит сложный инвертор, два транзистора N-P-N-типа, два транзистора P-N-P-типа и три резистора. Введение второго транзистора N-P-N-типа и двух транзисторов P-N-P-типа позволяет расширить динамический диапазон допустимых входных напряжений и управлять порогом срабатывания за счет преобразования напряжения на информационном и управляющем входах в токи и сравнения этих токов. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

РЕСПУБЛИК

А1

„.Я0„„1531208 (51)4 Н 03 К 19/08

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ASTOPGKOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

APM fHHT СССР! (21) 4396126/24-21 (22) 22.03.88 (46) 23. 12.89. Бюл. Р 47 (71) Таганрогский радиотехнический институт им. В.Д.Калиыкова (72) С.П.Хяжкун, lO.И.Рогозов и А.Б.Гаричкин (53) 621.374 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

У 1173551 ° кл. Н 03 К 19/091, 1984.

Авторское свидетельство СССР

В 902262, кл. Н 03 К 19/088, 1980. (54) ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ УРОВНЯ (57) Изобретение относится к цифроИзобретение относится к цифровой технике и предназначено для преобразования уровней КМОП, ТТЛ, И Л, ЭСЛ элементов в уровни ТТЛ элеиентов.

Целью изобретения является расширение области применения за счет преобразования в уровни ТТЛ элементов

БИС уровней КМОП, И Л, ЭСЛ и других и элементов.

На чертеже приведена принципиальная схема преобразователя уровня.

Преобразователь уровня содержит источник 1 тока, первый транзистор

2 п-р-п-типа, коллектор которого соединен со входом сложного инвертора 3, выход которого является выходом устройства 4 ° эмиттер транзистора 2 соединен с общей шиной, а база подключена к базе и коллектору второ,го транзистора 5 и через первый резистор 6 соединена с управляющяи входом 7, источник 1 тока выполнен на

2 вой технике и предназначено для преобразования уровней КМОП, ТТЛ, И Л, Ф

ЭСЛ элементов в уровни ТТЛ элементов

БИС. Преобразователь уровня содержит сложный инвертор, два транзистора п-р-п-типа, два транзистора р-и-ртипа и три резистора. Введение второго транзистора и-р-и-типа и двух транзисторов р-и-р-типа позволяет расширить динамический диапазон допусти.иьюс входных напряжений и управлять порогом срабатывания за счет преоб разования напряжения на информацион» ном и управляющем входах в токи и сравнения этих токов ° 1 ил. третьем 8 и четвертом 9 транзисторах р-п-р-типа, эмиттеры которых соединены с шиной 10 питания, коллектор транзистора 9 соединен с кол лектором транзистора 2, база — с базой и коллектором транзистора 9 и соответственно через второй t 1 и третий 12 резисторы — с общей шиной и информационным входом.

Преобразователь уровня работает следующим образом.

На управляющий вход 7 подается опорное напряжение, задающее коллекторный ток транзистора 2. Величина напряжения на управляющем входе 7 выбирается такии образок, чтобы при наличии на информационнои входе t3 напряжения порога, например КМОП элемента, токи коллекторов транзисторов 8 и 2 были равны (для элементов

ТТЛ, И Л, ЭСЛ и другого типа выби1. ,рается иное соответствующее напряже1531208 4 ние на управляющем входе 7). При наличии на информационном входе 13 напряжения высокого уровня уменьшается ток через переходы база — эмиттер транзисторов 9 и 8. Ток коллек5 тора транзистора 8 становится меньше тока коллектора транзистора 2. Уменьшается напряжение на входе сложного инвертора 3, от запирается и на выходе устройства 4 формируется высокий уровень ТТЛ элементов БИС.

При напряжении низкого уровня на информационном входе 13 возрастает ток через переходы база — эмиттер транзисторов 9 и 8. Коллекторный ток транзистора 8 превышает коллекторный ток транзистора 2. Возрастает напряжение на входе сложного инвертора

3, он открывается, на выходе устрой- 2 ства 4 формируется низкий уровень

ТТЛ элементов БИС.

Широкийдиапазон преобразуемых входныхуровней обеспечивается соотношениемноминалов резисторов 12 и 11.

Сопротивление резистора 12 превышает сопротивление резистора 11 во столько раз, во сколько максимальное напряжение высокого уровня входного сигнала больше напряжения питания (u„) предлагаемого устройства. При напряжении питания +5 В t 10X достаточно соотношение R, ЗК„, так как уровни более 15 В в современных системах логических элементов не применяются.

Транзисторы 2 и 5, 8 и 9 включены 35 по схеме "токового зеркала".

Предложенный преобразователь уровня способен преобразовывать в уровни ТТЛ элементов БИС уровни ТТЛ, КИОП, ДТЛ, И Л, ЭСЛ и других элемен- 40 тов. Устройство работает от одного источника питания. Применение преобразователя уровня в БИС позволяет сократить объем оборудования, уменьшить массу и габариты систем в целом, так как отпадает необходимость во внешних к

БИС преобразователях уровней, различных для систем на основе логических элементов. Управляющий вход 7 опорного напряжения может быть один для всех входных преобразователей уровня в БИС. формула изобретения

Преобразователь уровня, содержащий источник тока, первый транзистор п-р-п-типа, эмиттер которого соединен с общей шиной, а коллектор подключен к входу сложного инвертора, выход которого соединен с выходом устройства, о т л и ч а ю щ и й— с я тем, что, с целью расширения области применения, в него введен второй транзистор п-р-р-типа, эмиттер которого соединен с общей шиной, база и коллектор — с базой первого транзистора и через первый резистор подключены к управляющему входу, а источник тока выполнен на третьем и четвертом транзисторах р-и-р-типа и втором и третьем резисторах, при этом коллектор третьего транзистора соединен с коллектором первого транзистора, эмиттер -с шиной питания и эмиттером четвертого транзистора, база и коллектор которого соединены с базой третьего транзистора и соответственно через второй и третий резисторы подкючены к общей шине и информационному входу.

1531208

Составитель А,Янов

ТехРед Л.Сердюкова

Корректор О. Ципле

Редактор Г.Волкова

Заказ 7966/56 Тирах 884 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ухгород, ул. Гагарина, 101