Способ получения генерации в области 4,3 мкм в со @ -лазере с оптической накачкой
1зЗВца (l 1, . „!7/ ;
ОПИСАНИЕ ИЗОБ1",!:, " Д
77а77аая7 7"7» 77лп" 77 7 re (r
1ll !
,,:1 Tft- )
7,,1„-,-, „
)1 „. 7 11) 1
)!., а
7) 7
f)ji ), 7.
7 r - л: )1) l7..:) 7)I 7
;!),,; r-: l !)с, i 77,, ),, Е - I i r !, f j . i r i
- !).-,л«, Ф;, ),, / ."„. ;.::» ", "."!
""1Ю)- . - !..0 М1АЯ1;.1 - l " ГМ
1-. " -. -- ! 6- °" г()Г .))ЛДнзл, Г) jgiлч „111 111)>))! l 11 1
ПО йлОгГ Г-1 .)1И-111 11 О11.11 1.,Г;!11Л1,!
111 и ГН1-11 !"..ОЛ
И ABl РРСЧ !,МУ С.ЕМ Х3„ .1 i 1
1 . ) Г)7 .it ii .,; i ) l .-,, 7CI
))а))о Ili:l : ill Г .,)Г!))
1;, Г)1Г) ГГ -j il" ) ), ;rr i,!! Iic, 7. CI!7e
vtjI 1 rl ii)li i lt,::, i». )!1,, )) ! (),,, ),, i).t . !r Ii: t7 r!t;r;, . :) и .о ) : . !,)1,:!,- Г,,) !, мл) °, .л,- i Ici t l tj k t, . " !, i л вЂ, ). t . » ",, ) if-j
)! : ",; :,; t! t,i 7 г, ;II 1rðj и(l ° ) и (1), П - " .i " ; !(jt i л .7!77 I 7Л)Л, i !,;:, . !) r tfjfi )) . ;7, Г71зоб)ре".ение относится K квант ). элг v. TpcrH) jjr е f может быть ис попь,.- И" ИГ «ЛЯ Г!) паН1л)! И::ÒÎ×HË)CË )Г()ГP.»â€”,:.Т)! ГО 1 11)У!C,IHI) rj tTI)зла Г)!7Е ДЛИН ! и 4,2-.4, 5 мкм. 11елью иэс)бретение ч: 1е ся и.) вьп)!ен)1е 1Л1Ц CI -лазера с ) и лес1 Jf . и:) к Я)1ко! ). посо б лГГГ)луче геие1 а лии c) об- асти 4, 3 мкм реа. уГ НСя В yt т )C)i r т))Г,СОдвржащЕМ дВЕ ."f: Ñ КИ СГ ЯзаННЧЕ ЧЕРЕЗ 7ЕЛЕКТИВ:,";..Мнит КН лвты В КОТОРЬГХ СОДЕР". я рвали-;нь!е иэотогические разио-илности углекислого газа. Оптичеси, !:. к у во зб ужа! « и ГГык моле к ул ГО
: "т;лляют излучением, полученным с л) ,...-.:- )71- ОО 1 — 1О О)1 или 1ОО t нэот и замещеиньк молекуЛ СО-.
1 табл. рс .Г тки 3, а также камеру 4 с рабо :.!) г1)едой СО -лазера, излучающего
7бласти 4,3 мкм, размещеннун) в опгичееком резонаторе, содержа1пем отрезан дее з ркало 5, окно б и вык. r) иое зеркало 7, На торце камеры - . со стороны отражающегГ) эерка) а 5 установлено боков)е ок1, В, Окна 6,Я расположены под
1 угл. и Брюстера по отиоп)ени)о к о и ре— зоиатора образованного зеркалами 5 7
«» взаи1ио ортогональных плоскостях, и образуют селективиьй узел резонатора, при этом окно 6 выполнено в вид пластинь иэ германия, а боковое окно <Я -- в виде пластины из LiF, C, 1jr1cjctб полу ения излучения в об« -«111 t,Ç мкм в О.,-лл зере с оптилес)530040
Частота перехода оо г-in i (07. 3),см
ИэотопичесИэотопическвя
33ереход
Частота перехода ОО I—
30 О (0Z n), c
Переход
Частотная отстройха, си хая раэновндпость раэноаид ность
33с 3600
33с 36па
3 3с 36о а
33,38О
l3, 380 7с 36пт гс360д
37.с 3601
3 7c 16< 3 "0
32с3603"и
32с36о38о
l0R(l6) 925,924
30R(34) 937>584
033(гв) 3о37,367
9R(IR) 3039,074
3ОР(34) 903,1335
30Р(6) 956,385
l0R(l8 ) 074, 622
9R(40) 3090,028
I0P(40) 033,742
308(34) 076,548
9Р(32) 3046,353
С и.
12 1Ü
<2r 1СО
"Г "О г "een ,ic )en r iаn
1т К
С О
1т )C
r, n
I0P(37) 97.5,809
i0P(33) 037,595
9Р(27) l037,362
9P(7.5) 3039)066
30Р(33) 003,865
30Р(33) 056,162
30R(l3) 074,50 3
98(37) 3090,071
I0P(3l) 03I)756
30R(25) 076,550
0Р(37) 3046,380
0,025
О,О31
0,005
О,ОО8
0,030
0,023
n,ог9
0)007
О,034
0,002
0,029 кой някячкой реализуется следующим образом, Рабочая среда CA -лазера в камере 4 эффективно возбуждается импульснь3м поперечным электрическим разрядом, при этом заселяется колео бательный уровень 00 2 молекул СОо.
Возбужденные молекулы ГО облучяют импульсом лазерного излучения,полученным на переходе (00 1 — !О О изотопоэамещенных молекул ГО н генераторе импульсного излучения в области
10,4 мкм, выбранных тяк, что разность частот 33.1 переходов $00 7 — 10 1) о возбужденных молекул СА< и ГОО 1 о
10 0 иэотопозамещенных молекул СО< не превьппает 0,03 см, длительность переднего фронта импульса лазерного излучения не превьппает 25 нс, при этом переход 3 00 7. — 10 1) возбужден- 20 них молекул СО нясь1щается и дости2 о гяется инверсия на переходе 110 1
10 О), генерирующем излучение с длиной волны в области 4,3 мкм. В случае облучения воэбужденньж молекул СО< 25 импульсом лазерного излучения в о6ласти 9„4 мкм, полученным ня переходе )OO 1 — 07о О) изотопозамещенной мол1 кули ГО, насыщается переход (00 2 — 02 1) возбужденной молекулы
СО,7 и достигается инверсия на переходе (О? I — 10 Oj генерирующем излучение в области 4,3 мкм, В таблице приведены возможные варианты выбора иэотопозамещенных молекул СО
35 в кювете 1 и возбуждаемых молекул
СО в камере 4, указаны совпадающие по частоте переходы, я также величины разностей частот (чястотнь3е отстройки) соответству3ощих перехо- 40 дов, В лазере излучение с длиной волны в области 4,3 мкм формируется в резонаторе, образованном зеркалами 5,7 и германиевым окном 6, при этом подавление генерации в области 45
1 длин волн 9,4 мкм или 10,4 мкм осуществляется боковым ок;1ом Я из ЫГ непрозрачным в этих диапазонах длин волн, При замене зеркала 5 дифракционной решеткой лазер допускает перестройку длины волны генерации в дияпазоне 4,2-4,5 мкм, Изобретение позволяет .простить устройство СО -лазера с излучением в области 4,3 мкм, а также позволяет повысить КПД лазера в 2-3 раза за счет использования в качестве генератора излучения оптической накачки
О
СА2-лазера на переходах 100 1
10 0) и (00 1 — 02 0 изотопозямещенних молекул.
Формула изобретения
Способ получения генерации в области 4,3 мкм в ГО -лазере с оптической накачкой, вкл3очяющий возбуждение колебательного уровня 00 7. молекул СО и облучение возбужденных молекул CA импульсом излучения до насыщения перехода между уровнем о
00 2 и верхним лазерным уровнем Во9бужденных молекул СО, о т л и ч ающий с я тем, что, с целью повьппения КПД лазера, возбужденные молекулы ГО облучают импульсом лазерного излучения, полученного на переходе (00 1 — 1000j или (00 1
02 0) изотопоэамещенных молекул СО вибрянных так, что разность частот переходов (00 2 — 10 1) или 00 2
О? 1) возбужденных молекул СО и соответственно переходоя $0091
10 О) или 00 1 — 02 О изотопоэа" мещенних молекул СО не превышает
0 03 cM, при этом длительность ь
) л переднего фронта импульса лазерного излучения удовлетворяет условию .ц(25 нс, 1530040
Составитель В,Иванов
Техред Л.Сердюкова
Корректор В.Кабацки
Редактор B,Tðóá÷åíêo
Заказ 874 Тираж 303 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета ло изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР
113035, Москва, Ж-35, Раувская наб., д, 4/5
Производственно-издательский комбинат "Патент", r. Узтород, уп. Гагарина, 101


