Полосковый выключатель

 

Изобретение относится к радиотехнике. Цель изобретения - увеличение потерь запирания. В полосковом выключателе при подаче отрицательного управляющего напряжения полупроводниковые диоды 8 и 9 имеют малую проводимость и не шунтируют области связи 6 и 7. Это обеспечивает возбуждение щелевых резонаторов, образованных замкнутой щелевой линией 5, а также конденсаторами 11 и 12. При этом полупроводниковый диод 10 имеет высокую проводимость и шунтирует отрезок 1, что повышает потери запирания. При подаче положительного управляющего напряжения диоды 8 и 9 имеют высокую проводимость и шунтируют линию 5 в областях связи 6 и 7, тем самым препятствуя возбуждению образованных ими щелевых резонаторов. Диод 10 имеет малую проводимость и практически не шунтирует отрезок 1, по которому электромагнитные колебания распространяются с малыми потерями. Выбор расстояния между областями связи 6 и 7 равным λ<SB POS="POST">N</SB>/2 / где λ<SB POS="POST">N</SB> - длина волны в отрезке 1 микрополосковой линии передачи/ обеспечивает снижение излучения замкнутой щелевой линией 5. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (19) (И) (51)4 Н 01 P 1/15

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н АBTGPCHGMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР! (21) 4361055/24-09 (22) 07 ° 01,88 (46) 30.11.89, Бюл. Ф 44 (71) Новосибирский электротехнический институт (72) В,П.Разинкин и Б.Г,Перлин (53) 621,372.837 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

У 964793, кл. Н 01 Р 1/15, опублик.

1982, Авторское свидетельство ГССР

М 1185437, кл. Н 01 P 1/15, опублик.

1985. (54) ПОЛОСКОВЫЙ ВЫКЛ10ЧАТЕЛЬ (57) Изобретение относится к радиотехнике, Цель изобретения — увеличение потерь запирания, В полосковом выключателе при подаче отрицательного управляющего напряжения полупроводниковые диоды 8 и 9 имеют малую проводимость и.не шунтируют области связи 6 и 7, Это обеспечивает возбужИзобретение относится к радиотехнике и может быть использовано для коммутации сигналов, Целью изобретения является увеличение потерь запирания.

На чертеже изображена конструкция полоскового выключателя.

Полосковый выключатель содержит отрезок 1. микрополосковой линии передачи, включающей диэлектрическую подложку 2, на одной стороне которой расположен полосковый проводник 3, а на другой стороне - слой металлизации 4, в котором выполнена замкнутая щелевая линия 5 передачи, которая дение щелевых резонаторов, образованных замкнутой щелевой линией 5, а также конденсаторами 11 и 12, При этом полупроводниковый диод 10 имеет высокую проводимость и шунтирует отрезок 1, что повышает потери запирания, При подаче положительного управляющего напряжения диоды 8 и 9 имеют высокую проводимость и шунтируют линию 5 в областях связи б и 7, тем самым препятствуя возбуждению образованных ими щелевых резонаторов, Диод

10 имеет малую проводимость и практически не шунтирует отрезок 1, по которому электромагнитные колебания распространяются с малыми потерями.

Выбор расстояния между областями связи 6 и 7 равным „/2 (где %„ — длина волны в отрезке 1 микрополосковой линии передачи), обеспечивает снижение излучения замкнутой щелевой линией 5 ° 1 ил, размещена симметрично относительно продольной оси отрезка 1 и электромагнитно связана с ним первой и второй .областями связи 6 и 7 ° Первый и второй полупроводниковые диоды 8 и 9 включены в замкнутую щелевую линию 5 в первой и второй областях связи 6 и 7 соответственно, Третий полупроводниковый диод 10 включен между полосковым проводником 3 и слоем металлизации 4 посередине между первым и вторым полупроводниковыми диодами

8 и 9 противоположно им, Длина замкнутой щелевой линии 5 выбрана равной

2 9., где h < — длина волны в замкну,1525776 фой щелевой линии 5 на рабочей частоте, а расстояние между первой и второй областями связи 6 и 7 выбрано авным 1I, /2, Где ф„ — длина Волны ф отрезке 1 на рабочей частоте. Первый конденсатор 11 включен в замкнутую фелевую линию 5 на расстоянии ф >/4 т первого полупроводникового диода . Второй конденсатор 12 включен в амкнутую щелевую линию 5 на расстояях Ъщ /2 и Ъ, /4 от первого кондентора 11 и от первого полупроводникого диода 8 соответственно, 15

Полосковый выключатель работает следующим образом, При подаче отрицательного управляюего напряжения первый и второй полуроводниковые диоды 8 и 9 имеют малую 20 роводимость и не шунтируют первую и торую области связи 6 и 7, что обес-„:» ечивает возбуждение щелевых резонато ов, образованных замкнутой щелевой инией 5, а также первым и вторым кон-25 енсаторами 11 и )2, При этом третий олупроводниковый диод 10 имеет высо1, ую проводимость и шунтирует отрезок что повышает потери запирания.

При подаче положительного управляющего напряжения первый и второй полупроводниковые диоды 8 и 9 имеют

ысокую проводимость и шунтируют . амкнутую щелевую линию 5 в первой второй областях связи 6 и 7, тем самым препятствуя возбуждению образованных ими щелевых резонаторов,Трефий полупроводниковый диод 10 имеет

Малую проводимость и практически не rHP7eT отрезок 1 по которому 40

Электромагнитные колебания распространяются с малыми потерями, Выбор расстояния между первой и

Второй областями связи 6 и 7 равным ф„/2 обеспечивает снижение излучения замкнутой щелевой линией 5.

Формула и э обретения

Полосковый выключатель, содержащий отрезок микрополосковой линии передачи, включающий диэлектрическую подложку, на одной стороне которой расположен полосковый проводник, а на другой стороне — слой металлизао ции, в котором выполнена замкнутая щелевая линия передачи, которая размещена симметрично относительно продольной оси отрезка микрополосковой линии передачи и электромагнитно связана с ним первой и второй областями связи, первый полупроводниковый диод включен в замкнутую щелевую линию передачи в первой области связи, а первый конденсатор включен в замкнутую щелевую линию передачи на расстоянии hщ/4 от первого полупроводникового диода, где 3 — длина волны в замкнутой щелевой линии передачи на рабочей частоте, о т— л и ч а ю шийся тем, что, с целью повьппения потерь эапирания, длина замкнутой щелевой линии передачи выбрана равной 2 h<, расстояние между первой и второй областями связи выбрано равным A„/2, где „ длина волны в отрезке микрополосковой линии передачи на рабочей частоге, введены второй и третий полупроводниковые диоды и второй конденсатор, который включен в замкнутую щелевую линию передачи на расстояниях

%щ/4 от первого полупроводникового диода и Ъщ /2 от первого конденсатора, второй полупроводниковый диод включен в замкнутую щелевую линию передачи во второй области связи однополярно первому полупроводниковому диоду, а третий полупроводниковый диод включен между полосковым проводником и слоем металлизации, посередине между первым и вторым полупроводниковыми диодами .противополярно им.

1525776

Составитель М.Литвиненко

Техред Л.Сердюкова

Корректор М,Пожо

Редактор M.Öèòêèíà

Заказ 7234/48 Тираж 616 Подписное

ВНИИПИ,Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат Патент, г. -Ужгород, ул, Гагар .а, !! l! л Гага ива 101