Детектор амплитудно-модулированных сигналов

 

Изобретение относится к радиотехнике. Цель изобретения - расширение частотного и динамического диапазонов. Детектор содержит транзистор 1, коллекторную нагрузку 2, состоящую из резистора 3 и дросселя 4, конденсаторы 5 и 7 и резистор 6 смещения. Включение конденсатора 7 параллельно коллекторному р-п-переходу транзистора 1 уменьшает уровень сигнала, детектируемого этим переходом. Цель достигается за счет шунтирования данного перехода конденсатором 7 на частоте сигнала. Детектор по пп.2 и 3 ф-лы отличается выполнением коллекторной нагрузки 2 в виде резистора 3 с сопротивлением, много меньшим сопротивления резистора 6 смещения, или в виде дросселя 4 с потерями. 2 з.п. ф-лы, 6 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК D4 Н 03 D 1/18

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Есм х.2

Фиг f

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

1 (21) 4242911/24-09 (22) 11.05.87 (46) 15.10.89. Бюл. В 38 (72) А.А.Кириллов (53) 62 1.376.23 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

Ф 1363429, кл. Н 03 D 1/18, 1986. (54) ДЕТЕКТОР АМПЛИТУДНО-МОДУЛИРОВАННЫХ СИГНАЛОВ (57) Изобретение относится к рациотехнике. Цель изобретения — расширение частотного и динамического диапазонов. Детектор содержит транзистор 1, коллекторную нагрузку 2, состоящую

„„90„„1515340 А1

2 из резистора 3 и дросселя 4, конден саторы 5 и 7 и резистор 6 смещения.

Включение конденсатора 7 параллельно коллекторному р-п-переходу транзистора 1 уменьшает уровень сигнала, детектируемого этим переходом. Цель достигается за счет шунтирования данного перехода конденсатором 7 на частоте сигнала. Детектор по пп.2 и 3 ф-лы отличается выполнением коллекторной нагрузки 2 в виде резистора 3 с сопротивлением, много меньшим сопротивления резистора 6 смещения, или в виде дросселя 4 с потерями. 2 з.п.ф-лы, 6 ил.

1515340

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в радиоприемных и электроизмерительных устройствах.

Цель изобретения — расширение час тотного и динамического диапазонов.

На фиг.1 приведена структурная электрическая схема детектора амплитуд,о-модулированных сигналов; на фиг.2 — примеры его выполнения.

Детектор амплитудно-модулированных сигналов содержит транзистор 1, коллекторную нагрузку,2, состоящую иэ резистора 3 и дросселя 4, первый конден-15 сатор 5, резистор 6 смещения и второй конденсатор 7.

Детектор амплитудно-модулированных сигналов, показанный на фиг.3, включает разделительный конденсатор 8, а на 20 фиг.4 — дополнительный конденсатор 9.

Детектор амплитудно-модулированных сигналов работает следующим образом.

Сигнал переменного тока И через

6х первый конденсатор 5 поступает на пе- 25 реход база — эмиттер транзистора 1, который детектпрует его аналогично ,обычному диоду. Через переход база— коллектор транзистора 1 протекает постояпный ток от источника питания Е « через резистор 6 смсщея, переход база — коллектор транзистора 1 и коллектор ую нагрузку 2, 3а счет проте, кания коллекторного тока в область базы ипжектпруются неосновные носители

35 н количестве, достато.-гном для выравнивания концентрации дырок в базе по отношеш ю к змиттеру. При этом прекращаетсл диффузия дырок из об.пасти эмиттера в область базы и, как следствие, 40 уменьшается потенциальный барьер перехода база — змиттер, что позволяет детектировать сигналы с малым уровнем.

Одновременно входной сигнал проникает через е:1костп моHтажа и коллектоРа 45 (не показаны) да переход база — коллектор. Однако их детектирование коллекторпым р-и-переходом транзистора 1 вызывает незначительные изменения потенциала коллектора, так как емкости монтажа и коллектора не успевают сохранять потенциал постоянного тока вспедствпе малой постоянной времени разряда коллекторной нагрузки 2. Включение второго конденсатора 7 парал55 леньно коллекторному р-п-переходу уменьшает уровень сигнала, детектируемого коллекторным Р-II-ïåðåõîäoì, эа счет шунтирования этого перехода вторым конденсатором 7 на частоте сигнала. Это позволяет сохранить режим транзистора 1 в более, широком частотном и динамическом диапазонах. Аналогично работают детекторы, показанные на фиг. 2 — 6.

Детектор, показанный на фиг.4, работает в более узком частотном диапазоне вблизи резонансной частоты колебательного контура, состоящего иэ дросселя 4 (катушки индуктивности) и дополнительного конденсатора 9 ° Принцип его работы аналогичен описанному выше, В нем уменьшена возможность попадания входного сигнала на коллекторный р-п-переход транзистора 1 за счет действия большого резонансного сопротивления контура на частоте входного сигнала и малого сопротивления на частоте выходного сигнала.

Величина резистора 6 смещения, обеспечиваюшего необходимый ток через переход коллектор - база, составляет десятки-сотни килоом, а величина резистора 3 — десятки-сотни ом. В этом случае потенциал коллектора точно равен падению напряжения на резисторе

3 в коллекторной нагрузке и может быть уменьшен включением параллельно резистору 3 дросселя 4. Потери в дросселе могут быть обеспечены также за счет использования определенного провода. Величина резистора определяет величину входного сопротивления детектора амплитудно-модулированных сигналов. Поэтому выполнение коллекторной нагрузки 2 в виде параллельного колебательного контура (фиг,4) позволяет увеличить входное сопротивление.

Ф о р м у л а и э обретения

1. Детектор амплитудно-модулированных сигналов, содержащий транзистор, между эмиттером которого и общей шиной включен первый. конденсатор, между базой и выводом источника питания — резистор смещения, а между коллектором и общей шиной — коллекторная нагрузка, при этом база и змиттер транзистора являются соответственно входом и первым выходом детектора амплитудно-модулированных сигналов, отличающийся тем, что, с целью расширения частотного и динамического диапазонов, введен второй конденсатор, включенный между базой и

1515340 коллектором транзистора, при этом коллектор транзистора является вторым выходом детектора амплитудно-модулиро- ванных сигналов.

2, Детектор по п.1, о т л и ч а ю— шийся тем, что коллекторная нагрузка выполнена в виде резистора с сопротивлением, много меньшим сопротивления резистора смещения.

3. Детектор по п.1, о т л и ч а ю— шийся тем, что коллекторная нагрузка выполнена в виде дросселя с потерями.

1515340

+ 108 иг, Составитель А.Осипович

Техред М.Моргентал Корректор M,Максимишинец

Редактор А.Лежнина

Заказ 6293/55 Тираж 884 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям прн ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 101