Резонансный формирователь вращающегося магнитного поля для доменной памяти

Авторы патента:

РЕЗОНАСНЫЙ ФОРМИРОВАТЕЛЬ ВРАЩАЮЩЕГОСЯ МАГНИТНОГО ПОЛЯ ДЛЯ ДОМЕННОЙ ПАМЯТИ, содержащий источник магнитного поля в виде ортогональных катушек индуктивности, включенных параллельно с накопительными элементами в виде конденсаторов, тактовые ключи на транзисторах и разделительные элементы в виде диодов, отличающиеся тем, что , с целью упрощения резонансного формирователя вращающегося магнитного поля, он содержит дополнительный ключ на транзисторе и разделительные трансформаторы, первичные обмотки которых подклбчены к коллекторам соответствующих тактовых ключей и к положительной шине питания, крайние выводы вторичных обмоток разделительных трансформаторов подключены к соответствующим катушкам индуктивности, конденсаторам и анодам четырех диожов, катоды которых подключены к коллектору дополнительного ключа, причем эммитер дополнительного ключа и средние выводы вторичных обмоток разделительных трансформаторов подключены к шине нулевого потенциала.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (SH 4 С 11 С 11/14

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ г

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 3670871/24-24 (22) 08.12.83 (46) 07 ° 09 ° 89 ° Вюл. К" 33 (71) Симферопольский государственный университет (72) Ю.A. Степанипплн и В.В. Солощенко (53) 681 ° 327.66(088.8) (56) Патент Японии К" 56-31677, кл. G 11 С 11/14, опублик. 1981.

Патент Японии 1," 56-43549, кл. С 11 С 11/14, опублик. 1981. (54) (57) РЕ3011АЕ1СпЬ1Й ФОРМИРОВАТЕЛЬ

ВРАЩАЮЦЕГОСЯ МАГЛИТ11ОГО ПОЛЯ ДЛЯ ДОМЕНН0А ПАМЯТИ, содержащий источник магнитного поля в виде ортогональных катушек индуктивности, включенных . параллельно с накопительными элементами в виде конденсаторов, тактовые ключи на транзисторах и разделительИзобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД) °

Цель изобретения вЂ” упрощение резонансного фор|лирователя вращающегося магнитного поля для доменной памяти.

На фиг, 1 показана принципиальная схема резонансного формирователя вращающегося магнитного поля; на фиг.2вЂ” эпюры сигналов ча шинах управления и элементах формирователя.

Резонансный формирователь вращающегося магнитного поля для доменной памяти содержит шины 1-3 управления, тактовые ключи 4 и 5 на транзисторах, „„SU„„Л Ы6480

2 ные элементы в виде диодов, о т и ич а ю шийся тем, что, с целью упрощения резонансного формирователя вращающегося магнитного поля, он содержит дополнительньп ключ на транзисторе и разделительные трансформаторы, первичные обмотки которых подключены к коллекторам соответствукицих тактовых ключей и к положительной шине питания, крайние выводы вторичmrx обмоток разделительных трансформаторов подключены к соответствующим катушкам индуктнвности, конденсаторам и анодам четырех диодов, катоды которых подключены к коллектору дополнительного ключа, причем эммиттер дополнительного ключа и средние выводы вторичных обмоток разделительных трансформаторов подключены к шине нулевого потенциала. дополнительньш ключ 6 на транзисторе, разделительные трансформаторы 7 и 8, диоды 9-12, конденсаторы 13 и 14, ортогональные катушки 15 и 16 индук,тивности. 00

Формирователь работает следующим образом.

В результате резонанса токов в ортогональных катушках 15 и 16 индуктивности (фиг. 2б) формируется переменный синусоидальный ток II с частотой тактовых импульсов U, поступанхцих в устройство с шин 1 и 3 управления (фиг ° 2а). Импульсы, поступакзцие с шины 2, открывают лополнительньй ключ 6 в моменты принудительной остановки поля. Резонансные цепи ка3 1506480 4 тушка вЂ” конденсатор оказываются зам- ключена к выходной обмотке трансфоркнутьми накоротко и все колебания матора 7, который в этот момент замкв них мгновенно прекращаются, причем нут накоротко (сопротивление его выв момент включения коротящего ключа > ходной обмотки близко к нулю), в каток в контуре катушки 16 и конденса- тушке 15 некоторое время поддерживатора 14 проходит через нулевое значе- ется затухающий ток. Таким образом, ние и поэтому прекращается одновре- в ортогональных катушках индуктнвменно с включением коротящего ключа, ности формируется диаграмма токов, а ток в контуре катушки 15 и конден- 10 соответствующая оптимальной форме сатора 13 проходит через максималь- вращанк егс ся поля в старт-стопном ное значение и, так как катушка под- режиме.

Составитель Ю. Розенталь

Редактор Н. Тупица Техред А.Кравчук Корректор О. Кравцова

Заказ 5443/52 Тираж 558 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета rto изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Иосква, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-иэдательский комбинат "Патент", r.ужгород, ул. Гагарина,101

Резонансный формирователь вращающегося магнитного поля для доменной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении магнитооптических запоминающих устройств

Магнитооптический носитель информации // 1503688

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении магнитооптических запоминающих устройств.Целью изобретения является увеличение отношения сигнал/шум при считывании информации

Устройство для контроля доменной памяти // 1501160

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для контроля и испытаний на надежность запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах

Способ определения знака гиромагнитного отношения в доменосодержащих пленках // 1501159

Изобретение относится к микроэлектронике и вычислительной технике и может быть использовано для контроля параметров доменосодержащих пленок

Индуктивно-частотный способ измерения константы магнитострикции тонких магнитных пленок с цилиндрическими доменами // 1501158

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при контроле доменосодержащих пленок для запоминающих устройств цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Формирователь импульсного тока для управляющих элементов накопителя на цилиндрических магнитных доменах // 1499400

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств с накопителями на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Устройство управления для кассетной памяти на цилиндрических магнитных доменах // 1495850

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности, к устройствам управления для памяти на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД) в кассетном исполнении и может быть использовано в составе внешних запоминающих устройств на ЦМД в устройствах с числовым программным управлением

Способ продвижения цилиндрических магнитных доменов в доменосодержащей пленке // 1494039

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Логический элемент // 1492382

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД) для внешней памяти ЭВМ

Способ получения носителя информации // 1481857

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке магнитооптических управляемых транспарантов

Магнитный носитель информации // 2128372

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Способ сверхбыстрого перемагничивания // 2279147

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Усовершенствованное многоразрядное магнитное запоминающее устройство с произвольной выборкой и способы его функционирования и производства // 2310928

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Запоминающее устройство с диэлектрическим слоем на основе пленок диэлектриков и способ его получения // 2343587

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Канал продвижения плоских магнитных доменов // 2053576

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Способ цифровой магнитной записи и воспроизведения информации // 2059295

Способ магнитной записи и воспроизведения информации // 2063070

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Магниторезистивная ячейка памяти // 2066483

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Магнитный носитель информации // 2074574

Способ управления продвижением плоских магнитных доменов // 2084971

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)