Плоская спиральная антенна

 

Изобретение относится к антенной технике. Цель изобретения - уменьшение вертикального размера. Антенна содержит спиральный излучатель 1, спираль 2, диэлектрическую подложку 3, диэлектрический слой 4, поглощающий слой 5, токопроводящий экран 6, согласующий эл-т 7 и СВЧ соединитель 8. В антенне функции резонатора осуществляют слои 4 и 5 и спираль 2, выполненная из токопроводящего материала. Основной вклад в излучение антенны дают токовая область излучателя 1 и сдвинутая по фазе токовая область спирали 2, фаза которой определяется слоями 5 и 4 и экраном 6. Цель достигается введением спирали 2 и слоя 4. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК ()9) (И) ()) 4 Н 01 q )/36

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

К А BTOPCKOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 428214)/24-09 (22) 13.07.87 (46) 30.07.89. Бюл. )(28 (72) Н.С,)(аркун и В.В.Чебьппев (53) 62),396.677.45 (088.8) (56) Патент СНА Р 319253), кл. Н О) g 1/36, 29.07.1965. (54) ПЛОСКАЯ СПИРАЛЬНАЯ АНТЕННА (57) Изобретение относится к антенНоА технике. Цель изобретения уменьшение вертикального размера, Антенна содержит спиральный излучатель 1, спираль 2, диэлектрическую

2 подложку 3, диэлектрический слой 4, поглощающий слой 5, токопроводящий экран 6, согласующий эл-т 7 и СВЧсоединитель 8. В антенне функции резонатора осуществляют слои 4 и 5 и спираль 2, выполненная из токопроводящего материала. Основной вклад в излучение антенны дают токовая область излучателя 1 и сдвинутая по фазе токовая область спирали 2, фаза которой определяется слоями 5 и

4 и экраном 6 ° Цель достигается введением спирали 2 и слоя 4. 1 ил.

Формула изобретения

Плоская спиральная антенна, содержащая спиральный излучатель, размещенный на диэлектрической подложке, установленной с воздушным зазором над токопроводящим экраном, поглощающий слой и согласующий элемент, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения вертикального размера, введена спираль, выполненная из токопроводящего материала на поглощающем слое соосно со спиральным излучателем, и дополнительный диэлектрический слой, размещенный между токопроводящим экраном и поглощающим слоем.

Составитель В.Хандамиров

Редактор Т.Лазоренко Техред М.Дидык

Подписное

Заказ 445)/52 Тираж 615

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открьггиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r.Óæãîðîä, ул. Гагарина,!01

3 1497667

Изобретение относится к антенной технике, а именно к спиральным антеннам.

Цель изобретения — уменьшение

5 вертикального размера.

Па чертеже представлена плоская спиральная антенна, разрез.

Плоская спиральная антенна содержит спиральный излучатель 1, спи- 10 раль 2, диэлектрическую подложку 3, дополнительный диэлектрический слой

4, поглощающий слой 5, токопроводящий экран 6, согласующий элемент 7, СВЧ-соединитель 8. 15

Плоская спиральная антенна работает следующим образом.

От генератора через СВЧ вЂ соединитель 8 и согласующий элемент поступает электромагнитная энергия, возбуждая в точках питания спирального излучателя 1 поверхностную волну. Спиральный излучатель 1 излучает электромагнитную волну как в верхнее полупространство, так и в нижнее, где она возбуждает поверхностную волну в спирали 2. Эта поверхностная волна излучается и складывается синфазно с электромагнитной волной, излучаемой спиральным излучателем 1. При этом электромагнитная волна, бегущая по ветвям спирали 2 к периферии, затухает, благодаря н.1личию поглощающего слоя 5. .Поэтому основной вклад в излучение нлос- 35 кой спиральной антенны дают токовая область спирального излучателя 1 и сдвинутая по фазе токовая область спирали 2, фаза которой определяется поглощающим слоем 5, дополнительным 40 диэлектрическим слоем 4 и токопроводящим экраном 6. Таким образом, в предложенном устройстве функции резонатора осуществляет дополнительный диэлектрический слой 4 с поглощающим слоем 5 и спиралью 2, Наилучшие результаты получены в случае, когда на один виток спирального излучателя 1 приходится два витка спирали 2, толщина дополнительного диэлектрического слоя 4 составляет

0,01 % ц, где щ — максимальная рабочая длина волны, эквивалентное а поверхностное сопротивление поглощающего слоя составляет 70 OM/11, а расстояние между спиральным излучателем 1 и спиралью 2 равно 0,0313 )

1 значение относительной диэлектрической проницаемости 2, 56.

Это позволяет значительно (.в 4, 8 раза) уменьшить габариты плоской спиральной антенны по сравнению с прототипом при одновременном повышении коэффициента усиления на

2,2 дБ в полосе частоты (2:1).