Двухтактный усилитель

 

Изобретение относится к радиотехнике и может использоваться в автоматике, измерительной технике, радиотехнических устройствах. Цель изобретения - расширение диапазона рабочих частот и повышение КПД. Усилитель содержит два входных транзистора 1 и 2, два выходных транзистора 3 и 4, два токозадающих транзистора 5 и 6. В усилитель введены два прямосмещенных диода 7,8, образующих с транзисторами 5 и 6 соответственно отражатели 9, 10 тока, резисторы 13, 14 и два дополнительных транзистора 11, 12, имеющих структуру соответсвенно транзисторов 3 и 4. Предлагаемая схема позволяет расширить полосу пропускания частот усиливаемого 3 и 4. Предлагаемая схема позволяет расширить полосу пропускания частот усиливаемого полезного сигнала благодаря исключению токозадающих транзисторов из взодных цепей, а заодно и паразитных емкостей, вносимых ими. Кроме того, данная схема обеспечивает высокий КПД при любых нагрузках, поскольку в схеме не требуется подбора наминалов резисторов в зависимости от величины нагрузки. 1 ил.

СОЮЗ СОНЕТСНИХ.

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН (51) 4 Н 03 F 3/26

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

ГОСУДАРСТ8ЕННЫЙ КОМИТЕТ

flQ ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4303173/24-09 (22) 08.0 ° 87 (46) 30.05.89. Бюл. N - 20 (72) В.П. Акопов (53) 621.375.026(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

У 1109874, кп. Н 03 F 3/26„11.04.83. (54) ДВУХТАКТНЬЙ УСИЛИТЕЛЬ (57) Изобретение относится к радиотехнике и может использоваться в автоматике, измерительной технике, радиотехнических устр-вах. Цель изобретения — расширение диапазона рабочих частот и повышение КПД. Усилитель содержит два входных транзистора 1 и 2, два выходных транзистора

3 и 4, два токозадающих транзистора

„„Я0„„1483598 А 1

5 и 6. В усилитель введены два прямосмещенных диода 7, 8, образующих с транзисторами 5 и 6 соответственно отражатели 9, 10 тока, резисторы 13, 14 и два дополнительных транзистора 11 12, имеющих структуру транзисторов 3 и 4. Предлагаемая схема позволяет расширить полосу пропускания частот усиливаемого полезного сигнала благодаря исключению токозадающих транзисторов из вход."-г,= . цепей, а заодно и паразитах амкс..тей, вносимых нми. Кроме того, данная схема обеспечивает высокий КПД при любых нагрузках, поскольку в схеме не требуется подбора номиналов резисторов в зависимости от величины нагрузки. 1 ил.

1483598

Изобретение относится к радиотехнике и может использоваться в устройствах автоматики, измерительной техники, радиотехнических устройствах.

Цель изобретения — расширение диапазона рабочих частот и повьппение

КПД.

На чертеже представлена принципиальная электрическая схема двухтактного усилителя.

Двухтактный усилитель содержит первый и второй входные транзисторы

1 и 2, первый и второй выходные тран- 15 зисторы 3 и 4, первый, второй токозадающие транзисторы 5, 6 и первый, второй прямосмещенные диоды 7, 8 образуют соответственно первый, второй отражатели 9, 10 тока, первый 20 и второй дополнительные транзисторы

11, 12 первый и второй резисторы

13, 14 генератор 15 тока.

Двухтактный усилитель работает следующим образом. 25

Б исходном состоянии генератор 15 тока через первый и второй отражатели 9, 10 тока задает начальные токи покоя для входных транзисторов 1 и 2 и выходных транзисторов 3 и 4. Ток 30 покоя выходных транзисторов 3 и 4 создает падение напряжения на резисторах 13 и 14, величина которого недостаточна для отпирания транзисторов 11 и 12, что исключает самопроиз- 35 вольное возрастание тока покоя.

При нарастании положительной полуволны входного сигнала потенциал на эмиттерах транзисторов 1 и 3 увеличивается и растет коллекторный ток 0 транзистора 3. Падение напряжения на резисторе 13 увеличивается, что приводит к отпиранию транзистора 11.

При дальнейшем возрастании коллекторного тока транзистора 3 происходит возрастание эмиттерного тока транзистора 11 и открытый базаэмиттерный переход транзистора 11 и прямосмещенный диод 7 фиксируют падение напряжения на резисторе 13 на одном и том же уровне. Поэтому возраста1ощий коллекторный ток транзистора 3 приводит к соответствующему возрастанию.базового тока транзистора 11. Возрастание же базового тока транзистоРа 11 вследствие свойств "токового зеркала" (отражателя 9 тока), образованного транзистором 5 и прямосмещенным диодом 7, приведет к соответствующему возрастанию базового тока транзистора 3.

Таким образом, при соответствующих величинах нагрузки н входного сигнала происходит соответствующее изменение коллекторного тока транзистора 5, которое строго пропорционально изменению коллекторного тока транзистора 3, благодаря чему в меньшей степени изменяется эмиттерный и соответственно базовый ток транзистора 1, что обеспечивает боль1пое входное сопротивление и высокий КПД работы верхнего плеча двухтактного усилителя.

Аналогично при прохождении отрицательной полуволны сигнала работает нижнее плечо схемы., Предлагаемая схема позволяет расширить полосу пропускания частот усиливаемого полезного сигнала благодаря исключению токозадающих транзисторов во входных цепях, а заодно и паразитных емкостей, вносимых ими, кроме того, данная схема обеспечивает высокий КПД при любых нагрузках, поскольку в схеме не требуется подбор номиналов резисторов в зависимости от величины нагрузки. Высокое входное сопротивление схемы позволяет лучше согласовывать ее с источником входного сигнала.

Формула изобретения

Двухтактный усилитель, содержащий первый и второй входные транзисторы, имеющие разную структуру, базы которых соединены и являются входом двухтактного усилителя, коллекторы соединены и подключены к нагрузке и эмиттерам первого и второго выходных транзисторов, имеющих разную структуру базы которых подключены к эмиттерам соответственно первого и второго входных транзисторов и коллекторам соответственно первого и второго токозадающих транзисторов, включенных по схеме с общим эмиттером, базы которых соединены между собой через генератор тока, при этом первый входной и.первый выходной транзисторы того же плеча двухтактного усилителя имеют разную структуру, отличающийся тем, что, с целью расширенил диапазона рабочих частот и повьппения КПД, введены первый и второй дополнительные транзисСоставитель И. Водяхина

Техред Л.Олийнык. Корректор Э. Лончакова Редактор О. Спесивых

Заказ 2849/53 Тираж 884 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при I KHT CCCP

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина, 101

5 1483598 6 торы, имеющие структуру соответствен- раллельно базаколлекторным переходам но первого и второго выходных тран- соответственно первого и второго дозисторов, первый и второй резисторы,,полнительных транзисторов, эмиттеры первый и второй прямосмещенные диоды, которых соединены с коллекторами

5 включенные параллельно базаэмиттер- соответственно первого и второго вы иым переходам соответственно первого ходных транзисторов и через первый и второго токозадающих транзисторов, и второй резисторы подключены к колобразующие с ними соответственно пер- лекторам первого и второго дополнивый и второй отражатели тока, и па- 10 тельных транзисторов соответственно.