Раствор для диффузионного легирования кремния фосфором

Авторы патента:

H01L21/225 - диффузия из твердой фазы в твердую фазу или обратно, например легирование оксидного слоя

Раствор для диффузионного легирования кремния фосфором, содержащий органический растворитель, ортофосфорную кислоту и пленкообразующий компонент, отличающийся тем, что, с целью повышения уровня легирования диффузионных слоев толщиной более 50 мкм, в качестве пленкообразующего компонента используют эфир германия Ge(OC_nH_2n+1)₄ где 3 n 6, при следующем соотношении компонентов, мас.%: Органический растворитель - 45 - 70 Ортофосфорная кислота (70%-ная) - 20 - 40 Эфир германия - 5 - 20

Способ изготовления твердого источника диффузии бора // 1479973

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, а именно к изготовлению твердых источников диффузии бора

Способ изготовления твердых планарных источников диффузии бора на основе нитрида бора // 1454157

Изобретение относится к технологии создания высоколегированных P+ - слоев в кремниевых пластинах диаметром 100 мм мм при температурах диффузии 725 - 975°С

Пленкообразующий раствор для легирования пластин кремния и способ его приготовления // 1424632

Способ приготовления пленкообразующих растворов для получения поверхностного источника диффузии примесей в кремний // 1400376

Способ изготовления источника диффузионного легирования // 1347794

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности к технологии получения полупроводниковых структур с высокой равномерностью степени легирования диффузионных слоев

Способ изготовления многослойных структур n+pnpp+ типа // 1340476

Способ изготовления полупроводниковых структур с температурной компенсацией // 1131388

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано как при разработке и изготовлении полупроводниковых интегральных микросхем, так и при разработке и изготовлении дискретных полупроводниковых приборов

Способ формирования сильнолегированных областей в многослойных структурах // 1098455

Донорный раствор для получения поверхностного источника диффузии // 1040975

Способ изготовления p-n-перехода, легированного элементами или изотопами с аномально высоким сечением поглощения нейтронов // 2156009

Способ получения электропроводящего полианилинового слоя // 2315066

Изобретение относится к области проводящих полимеров, в частности полианилина, и может быть использовано для получения высокопроводящих полианилиновых слоев, волокон, проводящих элементов и устройств на их основе

Способ диффузии фосфора из твердого планарного источника // 2359355

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности может быть использовано для глубокой диффузии фосфора при формировании диффузионных кремниевых структур

Способ диффузии бора // 2361316

Изобретение относится к технологии получения силовых кремниевых транзисторов, в частности для формирования активной базовой области

Способ диффузии фосфора из фосфорно-силикатных пленок // 2371807

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов и интегральных схем (ИС), в частности к способам диффузии фосфора

Способ нанесения борных и фосфорных легирующих композиций для изготовления солнечных фотоэлектрических элементов (сфэ) // 2444810

Изобретение относится к технологии изготовления оптоэлектронных приборов, в частности солнечных фотоэлектрических элементов (СФЭ)

Диффузант для легирования полупроводников типа a3b5 // 2050031

Установка легирования полупроводников в коронном разряде // 2017264

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к установкам для легирования полупроводников при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Способ изготовления полупроводниковых структур с температурной компенсацией // 1531753

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при производстве интегральных микросхем и дискретных полупроводниковых приборов

Способ изготовления p - n-переходов с лавинным пробоем // 1563506

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов и может быть использовано для изготовления кремниевых p - n-переходов, работающих в области лавинного пробоя