Способ получения кристаллов соединений а @ в @

Авторы патента:

C30B29/48 - соединения типа A_IIB_VI

C30B11 - Выращивание монокристаллов обычным замораживанием или замораживанием при температурном градиенте, например по методу Бриджмена-Стокбаргера (C30B 13/00, C30B 15/00,C30B 17/00,C30B 19/00 имеют преимущество; под защитной жидкостью C30B 27/00)

Изобретение касается .выращивания Кристаллов соединений А- В . Цель - улучшение оптических характеристик кристаллов за счет снижения содержания примеси кислорода. В графитовый тигель загружают исходную загрузку и навеску тиокарбамида или селенокарбамида. в случае сульфидов и селенидов соответственно. Ростовую камеру герметизируют, вакуумируют и заполняют аргоном. Включают нагрев, после дезоксидация проводят вакуумирование и заполнение ростовой камеры инертным газом. После расплавления соединения проводят кристаллизацию направленной кристаллизацией. Дезоксидация позволяет уменьшить содержание примеси кислорода на 2 - 3 порядка и повысить коэффициент пропускания. 2 ил.

СОЮЗ СОВЕТСНИК

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН

А1

09) (Ю

ГООУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (46) 07.02.93. Бюл. Р 5 (21) 4236728/26 (22) 29.04.87 (72) В.А.Кобзарь-Зленко, В.Н.Кулик и В.К.Комарь (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ СОНДИНЕНИЙ А - В"- (57) Изобретение касается выращивания кристаллов соединений A - В . ЦельвЂ” улучшение оптических характеристик кристаллов за счет снижения содержаi

Изобретение касается выращивания кристаллов соединений А В и может .найти применение в химической промышленности.

Цель изобретения вЂ” улучшение оптических характеристик кристаллов эа счет снижения содержания примеси кислорода.

На фиг.1 и 2 показаны спектры про пускания кристаллов сульфида цинка и кадмия соответственно, где кривые

1 - спектры кристаллов, полученных без дезоксидации, кривые 2 вЂ” спектры кристалллов, полученных с дезоксн,цацией.

П р .и м е р 1. Способ выращивания кристаллов с. одновременной дезоксидацией кристаллнзнруемого соединения осуществляют следующим образом.

Навеску селенида цинка в количестве 480 г, в которой согласно химическому анализу содержится 0,38 мас. Е (51)5 С 30 В 11/00 29/48 ния примеси кислорода. В графитовый тигель загружают исходную загрузку и навеску тиокарбамида или селенокарбамида в случае сульфидов и селенидов соответственно. Ростовую камеру герметизируют, вакуумируют и заполняют аргоном. Включают нагрев, после дезоксидации проводят вакуумирование и заполнение ростовой камеры инертным газом. После расплавления соединения проводят кристаллизацию направлепной кристаллизацией. Дезоксидация позволяет уменьшить содержание приме" си кислорода па 2 вЂ” 3 порядка и повысить коэффициент пропускания. 2 an.

2 оксида цинка, смешивают в полиэтиленовой банке р 4.,6 г селенокарбамида См и загружают в графитовый тигель, кото" рый устанавливают в ростовой камере на штоке механизма возвратно-поступательного перемещения. Печь герметизируют, вакуумируют и объем печи - ; @hi заполняют агроном. Включают нагрев и ь ф .сплавляют исходную шихту в тигле, Q) протяг иа» его через зону температурного градиента со скоростью . (рф

30 вЂ” 50 мм/ч. При повышении температуры происходит разложение селенокарбамида и деэоксидация кристаллиэуемого соединения выделяющимися газообразными продуктами. Затем камеру вакуумнруют и напускают необходимое давление инертного газа. Сплавленную в тигле исходную шихту кристаллизуют, установив тигель механизмом пере- . мещения в исходное положение и протягивая через. зону температурного градиента со скоростью 5 мм/ч. 1478680

Исследования показывают> что после деэоксидации концентрация кислорода уменьшается на 2 3 порядка:, "Ф/

Составитель Н.Ярмолюк

Техред Л.Олийнык КорректоР В.Гирняк

Редактдр Л.Курасова

° В ФФФ Э Ю

Ю В ЮВФ Заказ 1094,-- Тираж ". . . Подписное

ВНИИПИ государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5 маемся вмюае е вюаЬюв юю ° ЮЮФВЮФВЮФЭВВМ Ф МЪВЮВ ° ЬЮВВЮ Производственно-издательский комбинат "Патент", г,ужгород, ул. Гагарина,101, t

Пример 2. Навеску сульфида цинка в количестве 410 r, содержащую

0,22 мас. Х оксидных соединений сме- шивают с б r тиокарбамида и загружают в графитовый тигель. Далее процесс осуществляют, «ак в примере

Пример 3. Навеску сульфида кадмия в количестве 340 r содержащую

0,2 мас. Е оксидных соединений, смешивают с 5 г тиокербамида и эагру™ шают в графитовый тигель. Далее процесс осуществляют, «ак в примере 1.

Формула изобретения

Способ получения кристаллов соединений А В, включающий нагрев исходной загрузки, вакуумирование и эаполненне рабочего объема инертным газом и последующую направленную кристал-. лизацию расплава, о т л и ч а ю.. шийся тем, что, с целью улучше

10 ния оптических характеристик кристал.лов за счет снижения содержания примеси кислорода, на .стадии нагрева проводят дополнительную очистку искодной загрузки дезоксидацией в атмосфере инертного газа, при этом дезоксидацию сульфидов ведут в при" сутствии тиокарбамида, а деэоксидацию селенидов - в присутствии селенокарбамида,

Изобретение относится к выращиванию (фисталпов и позволяет получить кристаллы диаметром более 60 мм с коэффициентом поглощения не более 32 10 см на длине волны 10.6 мкм

Способ выращивания монокристаллов теллурида кадмия // 1431391

Изобретение относится к способам получения полупроводникового материала, может быть использовано в электронной технике, обеспечивает уменьшение плотности дислокаций, исключение двойников и упрощение способа

Способ выращивания кристаллов селенида цинка // 1157889

Полупроводниковый сцинтилляционный материал // 826769

Способ получения кристаллов органических веществ // 1473382

Изобретение относится к выращиванию кристаллов, конкретно органических кристаллов особо чистых веществ, и позволяет повысить сте пень чистоты кристаллов и увеличить производительность процесса

Способ получения сцинтиллятора на основе иодида цезия // 1471546

Способ получения кристаллов селенида цинка // 1468023

Способ получения криокристаллов и устройство для его осуществления // 1458448

Изобретение относится к области низких температур, а именно к получению монокристаллических криокристаллов: ксенона, криптона, аргона, которые могут быть использованы как сцинтштляционные материалы, и обеспечивает/улучшение оптических свойств кристалла и возможность многократного исследования этих свойств

Способ выращивания кристаллов сложных оксидов // 1457463

Изобретение относится к выращиванию кристалловJ может быть использовано в химической и электронной отраслях про Ф1шленности при производстве кристаллон квантовой электроники и позволяет улучшить,оптическую одиородность кристаллов

Способ выращивания кристаллов корунда // 1445270

Способ получения щелочногалоидных кристаллов // 1431392

Изобретение относится к техно-, логни получения материалов для изготовления оптических элементов ИК- техники и позволяет упростить способ получения кристаллов и удалить из камеры .токсичные и агрессивные гйзы Способ получения щелочногалоидных кристаллов включает нагрев Исходного сьфья в герметичной кймере под давлением инертного газа 1-2 атм до расплавления, снижение давления инертного газа до 0,01-0, 2 атм и выращи- ;йание кристалла

Способ выращивания монокристаллов теллурида кадмия // 1431391

Способ получения сцинтилляционного материала // 1429601

Изобретение относится к технологии получения сцинтилляционного материала на основе щелочНо-галоидных монокристаллов , может быть использовано в химической промышленности и обеспечивает улучшение спектрометрических характеристик материала за счет снижения концентрации продуктов неполного сгорания органических примесей

Способ получения твердых растворов на основе галогенидов таллия // 1380293

Способ выращивания монокристаллов полупроводниковых соединений // 2105831

Изобретение относится к получению сложных полупроводниковых соединений типа A3B5 и A4B6

Устройство для получения термоэлектрических материалов // 2107116

Изобретение относится к термоэлектрическому приборостроению и может найти применение в создании высокоэффективных преобразователей на основе полупроводниковых материалов для прямого преобразования тепловой энергии в электрическую, например, в холодильниках, термостатах, агрегатах для кондиционирования воздуха и других устройствах

Способ выращивания звездчатых монокристаллов тугоплавких окислов по методу вернейля // 2124077

Изобретение относится к производству монокристаллов корунда и других тугоплавких веществ по методу Вернейля, в частности кристаллов сапфира и рубина с эффектом астеризма, которые иначе называются звездчатыми

Способ получения высококачественных монокристаллических заготовок // 2127774

Изобретение относится к металлургии, преимущественно к технологии получения литых монокристаллических заготовок из сплавов, содержащих Fe-Co-Ni-Al-Cu-Ti (ЮНДКТ)

Способ получения никелида титана и сплавов на его основе // 2132415

Способ получения окрашенных монокристаллов (его варианты) // 2132416

Способ получения монокристаллов (его варианты) // 2133787

Изобретение относится к выращиванию синтетических монокристаллов и промышленно применимо при изготовлении ювелирных изделий, а также высокопрочных оптических деталей (небольших окон, линз, призм и т.п.)