Квантрон моноимпульсного лазера

 

Изобретение относится к квантовой электронике, а именно к конструкциям квантронов моноимпульсных лазеров. Цель - повышение энергии излучения в моноимпульсном режиме работы. Поставленная цель достигается тем, что в цилиндрический отражатель 1 квантрона моноимпульсного лазера, содержащий расположенные в нем активные элементы 3 и по крайней мере одну лампу 2 накачки, введены перегородки 4 из материала, поглощающего излучение на длинах волн генерации. Перегородки 4 ориентированы определенным образом относительно оси симметрии ламп 2 накачки и расположены между активными элементами 3. 2 ил.

Изобретение относится к квантовой электронике, а именно к устройствам квантронов моноимпульсных лазеров. Цель - повышение энергии излучения в моноимпульсном режиме работы. На фиг. 1 изображен квантрон с тремя активными элементами и одной лампой накачки; на фиг. 2 - вариант исполнения квантрона с двумя активными элементами и двумя лампами накачки. Квантрон состоит из цилиндрического отражателя 1 и установленных в нем ламп 2 накачки и активных элементов 3. Перегородки 4 расположены между активными элементами 3 в плоскостях, проходящих через продольную ось лампы 2 накачки. Перегородки 4 выполнены из материала, поглощающего излучение на длинах волн генерации. Указанное расположение перегородок 4 позволяет наилучшим образом ослабить в квантроне с несколькими активными элементами 3 излучение усиленной люминесценции, распространяющееся внутри отражателя в направлениях, отличных от направления излучения генерации. При этом не происходит потерь излучения лампы 2 накачки в перегородках 4, так как эти перегородки не загораживают активные элементы 3 от излучения накачки. В варианте исполнения квантрона моноимпульсного лазера с двумя лампами 2 накачки и двумя активными элементами 3 использована одна перегородка 4. Указанные особенности конструкции квантрона моноимпульсного лазера позволяют повысить энергию излучения в моноимпульсном режиме в 3,5 раза и в 1,7 раза по сравнению с прототипом для вариантов, изображенных на фиг. 1 и фиг. 2 соответственно.

Формула изобретения

КВАНТРОН МОНОИМПУЛЬСНОГО ЛАЗЕРА, содержащий цилиндрический отражатель и расположенные в нем активные элементы и по крайней мере одну лампу накачки, продольные оси которых параллельны, отличающийся тем, что, с целью повышения энергии излучения в моноимпульсном режиме работы, в отражателе дополнительно установлена по крайней мере одна перегородка из материала, поглощающего излучение на длинах волн генерации, причем перегородка установлена между активными элементами в плоскости, проходящей через продольную ось лампы накачки.

РИСУНКИ

Рисунок 1, Рисунок 2



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к квантовой электронике и может быть использовано при разработке гелий-неоновых лазеров коаксиальной конструкции Целью изобретения является порьшзение надежности и устойчивости зажигания лазера

Изобретение относится к квантовой электронике и может быть использовано для получения мощного лазерного излучения

Изобретение относится к способу возбуждения лазерного экрана электронно-лучевых приборов (ЭЛП), которые могут быть использованы в системах отображения информации, оптической растровой микроскопии и т.д

Изобретение относится к области электротехники, а именно - к устройствам для возбуждения активной среды лазера, и может найти гпирокое применение при создании могчных перестраиваемых лазеров на растворах органических соединений

Изобретение относится к лазерной технике, а точнее к блокам генерации излучения лазера с поперечной прокачкой газового потока

Изобретение относится к квантовой электронике, а именно к устройству формирования объемного самостоятельного разряда (ОСР) для накачки импульсно-периодических лазеров и может быть использовано в решении технологических и лазерно-химических задач

Изобретение относится к квантовой электронике и может быть применено в качестве плазмолистовых электродов в щелевых разрядных камерах, открывающих перспективное направление в создании нового поколения мощных газоразрядных лазеров без быстрой прокачки рабочей смеси

Изобретение относится к области квантовой электроники и может использоваться при создании мощных и сверхмощных газовых лазеров непрерывного и импульсно-периодического действия

Изобретение относится к лазерной технике, в частности к осветителям твердотельных лазеров
Изобретение относится к квантовой электронике, а конкретнее к лазерам с длиной волны излучения более 1,4 мкм

Изобретение относится к физике газового разряда и может быть использовано для повышения вкладываемой электрической мощности в плазму газового разряда

Изобретение относится к квантовой электронике и может быть использовано при создании компактных газовых лазеров с повышенной удельной объемной мощностью излучения
Наверх