Способ определения коэрцитивной силы монокристаллических пленок феррит-гранатов

 

С(Ж)З СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (59 4 С 11 С 11/14

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ABTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 4307622/24-24 (22) 27. 07. 87 (46) 15.12.88. Бкл. У 46 (71) Донецкий физико-технический институт АН УССР (72) Ф.Г.Барьяхтар, Ю.А.Кузин и А.М.Редченко (53) 681, 327.66 (088. 8) (56) IEEE Trans. Magn., 1971, ч. 7, Ф 3, р. 586.

AIP Conf Proceed, 1973,у. 10, р. 286. (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИ11 КОЭРЦИТИВНОЙ

СИЛЫ ИОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК ФЕРРИТ-ГРАНАТОВ (57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть исполь" зовано при определении параметров монокристаллических пленок ферритгранатов для устройств хранения и переработки информации. Целью иэобре„,SU„„14448 7 А1 тения является повышение точности и упрощение способа определения коэрцитивной силы. Предлагаемый способ включает воздействие на пленку с лабиринтной структурой периодической последовательностью импульсов однородного магнитного поля смещения длительностью 0,3-1 мкс с монотонно изменяемой амплитудой в диапазоне

0,05-5 Э ° При этом коэрцитивную силу определяют как амплитуду импульсов поля смещения, при которой величина регистрируемого магнитооптического сигнала, пропорционального смещению доменных границ, претерпевает скачкообразное изменение. Способ позволяет д повысить точность измерения до 1-2%, упростить процесс определения коэрцитивной силы, который может быть легко автоматизирован. 1 ил.

1444887

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при определении параметров монокристаллических пленок феррит-гранатов для устройств хранения и переработки информации.

Целью изобретения является повышение точности и упрощение способа определения коэрцитивной силы. 10

На чертеже показана зависимость смещения доменных границ лабиринтной доменной структуры (в относительных единицах) от амплитуды импульсного магнитного поля. 15

Предлагаемый способ заключается в сле дующе м.

На магнитную пленку с лабиринтной структурой (в отсутствие других магнитных полей) воздействуют периоди- 20 ческой последовательностью импульсов однородного, магнитного поля Н, направленного вдоль оси легкого намагничивания пленки, и регистрируют магнитооптический сигнал, например, на ос-25 нове эффекта Фарадея с помощью фотоэлектронного умножителя. Магнитооптический сигнал пропорционален смещению доменных границ происходящего под воздействием импульсов магнитно- 30

ro поля, т.е. амплитуда импульсов сигнала на выходе фотоэлектронного умножителя пропорциональна величине смещения доменных границ. Зависимость относительного смещения доменных гра- 35 ниц Х от величины амплитуды поля Н имеет два участка с существенно различным наклоном. При этом точка излома на графике зависимости X=f (Н) оказывается однозначно связана с коэрци- 40 тивной силой Нс пленки. Как слева, так и справа от точки излома амплитуда фотоотклика при линейном увеличении амплитуды импульсов магнитного поля изменяется также линейно. Одна- 45 ко в момент, когда амплитуда импуль" сов переменного магнитного поля достигает значения коэрцитивной силы (Н=Н ), амплитуда фотоотклика претерпевает скачкообразное увеличение. я)

Поэтому значение козрцитивной силы определяют как амплитуду импульсов поля смещения при монотонном изменении амплитуды поля смещения в диапазоне 0,05-5 Э, при которой величина магнитооптического сигнала претерпевает скачкообразное изменение.

Экспериментально установлено, что наиболее оптимальная длительность импульсов магнитного поля составляет

0,3-1,0 мкс при длительности фронта около 10 нс, а величину дискретного изменения амплитуды импульсов можно взять равной 0,05 Э. Погрешность измерения Н при этом составляет 1-2Х и обусловлена главным образом погрешностью измерения амплитуды импульсов однородного магнитного поля смещения.

Предлагаемый способ определения коэрцитивной силы позволяет почти на порядок повысить точность измерения значения Н, а также устранить значительную методическую погрешность, свойственную известному способу. Способ при этом упрощается, процесс OIIределения Н ускоряется и может быть легко автоматизирован.

Формула изобретения

Способ определения коэрцитивной силы монокристаллических пленок феррит-гранатов, основанный на воздействии на пленку с лабиринтной доменной структурой переменным магнитным полем смещения, налравленным вдоль оси легкого намагничивания, регистрации магнитооптического сигнала, пропорционального смещению доменных границ„ отличающийся тей, что, с целью упрощения способа и повышения точности определения коэрцитивной силы, воздействие. на пленку осуществляют периодической последовательностью импульсов однородного магнитного поля смещения длительностью

0,3-1 мкс с монотонно изменяемой амплитудой в диапазоне 0,05"5 Э, а коэрцитивную силу определяют как амплитуду импульсов поля смещения, при которой величина магнитооптического сигнала претерпевает скачкообразное изменение.

1444887

Составитель Г.Аникеев

Техред М.Ходанич Корректор А. Обручар

Редактор И. Рыбченко

Заказ 65 Г1/54 Тираж 590 Подпи сно е

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д, 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Способ определения коэрцитивной силы монокристаллических пленок феррит-гранатов Способ определения коэрцитивной силы монокристаллических пленок феррит-гранатов Способ определения коэрцитивной силы монокристаллических пленок феррит-гранатов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано в запоминающих устройствах на плоских магнитных доменах

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано при построении запоминающих устройств на вертикальных блоховских линиях (ВБЛ)

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающего устройства с произвольной выборкой

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных пленках (ЦМП)

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении дополнительных устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД) Целью изобретения является повьппение надежности устройства

Изобретение относится к оВласти вычислительной техники и может быть использовано в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на основе цилиндрических магнитных доменов

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих и логических устройств на плоских магнитных доменах (ПМД)

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для построения информационных систем сверхбольшой емкости на магнитных вихрях (MB)

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)
Наверх