Накопитель информации на магнитных вихрях

 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств на магнитных вихрях (MB). Целью изобретения является расширение области применения накопителя путем преобразования исходной последовательности магнитных вихрей в дополнительную ее поспедовательность магнитных вихрей обратной полярности. Накопитель информации на MB содержит диэлектрическую подложку 1, на которой размещены токовые шины 2, отделенные электоо- . изоляцией 3 от сверхпроводящей пленки 4 с канавками 5, образующими каналы продвижения магнитных вихрей 6. Понижения толщины пленки 4 над токовыми шинами 2 за счет изоляции 3 служат фиксации MB 6. Слой 7 изоляции размещен параллельно Токовым шинам и имеет толщину, равную 1,5-2 глубинам кана1вки 5, т.е. полностью перекрьгаает сверхпроводящую пленку. Поверх слоя . эЛектроизоляц1ш 7 размещен генератор MB. обратной полярности в виде токовой петли 8, расположенной над соответствующей токовой шиной на другой стороне пленки 4, магнитосвязанной со всеми канавками 5 и изолированной от них. МБ обратной полярности обозначены светлыми кружками. 4 ил. i (Л С

СО}ОЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (51)5 G 11 С 11/14

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТКОЙ (46) 07.09.90.Вюл. 11 33 " (21) 4063744/24-24 (22) 27,03.86 (71). Донецкий физико-технический институт АН УССР (72) А.М.Гряяин и В.В.Пермяков ,(53) 681.327.66(088.8) (56) Электронная промышленность, 1983, У 8, с. 20-25.

Авторское свидетельство СССР

Ф 1290929, кл. С 11 С 11/14, 1985. (54) НАКОПИТЕЛЬ ИНФОРМАЦИИ НА МАГНИТНЫХ ВИХРЯХ (57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств на магнитных вихрях (ИВ). Целью изобретения является расширение области применения какопителя путем преобразования исход ной последовательности магнитных вихрей в дополнительную ее последовательность магнитных вихрей обрат„,SU„„1414183 А1 ной полярности. Накопитель информации на МВ содержит диэлектрическую подложку 1, на которой размещены токовые шины 2, отделенные электоо- иэоляцией 3 от сверхпроводящей пленки 4 с канавками 5, образующими каналы продвижения магнитных вихрей

6. Понижения толщины пленки 4 над токовычи шинами 2 эа счет изоляции

3 служат местами фиксации МВ 6.

Слой 7 изоляции размещен параллельно токовым шинам и имеет толщину, равную 1,5-2 глубинам канавки 5, т.е. полностью перекрывает сверхпроводящую пленку. Поверх слоя . электроизоляцйи 7 размещен генератор МВ. обратной полярности в.виде токовой петли 8, расположенной над соответствукицей токовой шиной на другой стороне пленки 4, магнитосвязанной со всеми канавками 5 и изолированной от них. МВ обратной полярности обозначены светлыми кружками. 4 ил.

1414183

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств на магнитных вихрях, (МВ).

Целью изобретения является расшиение области применения накопитея путем преобразования исходной йоследовательности магнитных вихрей в дополняющую ее последовательность магнитных вихрей обратной полярности, На фиг, 1 показан предложенный

Накопитель, разрез вдоль канала продвижения МВ; на фиг. 2 - то же, в плане на фиг. 3 показано движение

Последовательности MB в момент возбуждения полного пакета вихрей обратной полярности, на фиг. 4 — момент аннигиляции последовательностей МВ прямой и обратной полярности.

Накопитель информации на МВ содержит диэлектрическую подложку на которой размещены токовые шины 2, отделенные электроизоляцией 3 от сверхпроводящей пленки 4 с канавками

5, образующими каналы продвижения магнитных вихрей 6. Понижения толщины пленки 4 над токовыми шинами 2 эа счет изоляции 3 служат местами фиксации МВ 6. Слой 7 электроизоляции размещен параллельно токовым шинам и имеет толщину, равную 1,5-2 глубинам кананки 5, т.е. полностью перекрывает снерхпронодящую пленку.

Поверх слоя электроизоляции 7 размещен.генератор МВ обратной полярности в виде токовой петли 8, расположенной над соответствующей токовой шиной на другой стороне пленки 4, магнитосвяэанной со всеми .канавками 5 и изолированной от них. МВ обратной полярности 9 обозначены светлыми кружками.

Накопитель информации на магнитных нихрях работает следующим образом.

Действием токовых шин 2 от одной до другой точки фиксации, которые образованы выступами электроиэоляции 3, в сверхпроводящей пленке 4 вдоль канавок 5 продвигаются MB 6, чередование которых над одной шиной н разных канавках отражает записанную информацию, например по принципу М — "единица" вакансия — "ноль".

Совокупность всех MB и вакансий во всех рассматриваемых каналах продвижения над одной токовой шиной ðàñсматринаетгя как информационная последовательность, которая продвигается целиком, сохраняя свой порядок (информацию).

Для осуществления преобразования на пути информационной последовательности возбуждают последовательность магнитных вихрей обратной полярности, пропуская ток по петле 8 (фиг.З).

Этот процесс можно рассматривать как ввод MB обратной полярности через край пленки между токоподводами

15 петли 8 до полного заполнения всех каналов, охватынаемых петлей, вихрями. При последующем продвижении та же система токовых шин 2 продвигает вихри обратной полярности 9 н об20 ратном направлении и сближает после-довательность магнитных вихрей 6 и последовательность МВ обратной лов лярности 9. При встрече последовательностей МВ разнополярные МВ ан25 нигилируют, а последовательность

MB 9 превращается н последователь-:ность, дополняющую исходную информационйую последовательность, т.е. места вакансий заполняются МВ, и

3Q наоборот. Эта послег.онательность выполнена на MB 9 обратной полярности и при деястнии токовых шин (прямом или реверсивном) всегда движется навстречу последовательностям, выполненным на МВ 6, что позволяет легко вводить их во взаимодействие, производя физическое вычитание последовательностей, Это может быть использовано, например, н схеме сов40 падения при сравнении двух последо» вательностей NB с разными полярностями: наличие остатка после взаимной аннигиляции буде" указывать на несовпадение.

Характерный диаметр МВ порядка

О, 1 мкм. Толщина сверхпронодящей пленки порядка, мкм, размеры шин и проводников петли 0,2-0,5 мкм, ширина канавки 0,2-1 мкм, глубина канавки 20-507 толщины пленки, которая в местах фиксация NB тоньше на

5-10Х. Размеры сраннинаемых (преоб.ф разуемых) последовательностей 1010 бит, время сравнения i мкс .

Формула изобретения

Накопитель информация на магнитных вихрях, содержащий диэлектрическую подложку, на которой распо1414183

Ф

7 ф

Э

Составитель В.Гордонова

Техред Л.Сердюкова Корректор JI.Ïèëèïåíêî

Редактор Т.Орловская

Тираж 487 Подписное

ВПИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д, 4/5

Заказ 33I 9

Производственно-полиграфическое предприятие, r. Ужгород, ул. Проектная, 4 ложена сверхпроводящая пленка, в углублениях которой со стороны. подложки размещены изолированные от сверхпроводящей пленки токовые шины, а на другой стороне сверхпроводящей пленки сформированы каналы продвижения магнитных вихрей в ниде канавок, расположенных перпендикулярно токовым шинам, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью расширения области применения накопителя путем преобразования исходной последовательности магнитных вихрей в допол» няющую ее последовательность магнитных вихрей обратной полярности, он содержит генератор магнитных вихрей обратной полярности в виде то. ковой петли, расположенной над соответствующей токовой шиной на

10 другой стороне сверхпроводящей пленки, магнитосвязанной со всеми канавками и изолированной от них.