Свч-транзистор
СОЮЗ СОВЕТСНИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ
РЕСПУ БЛИН (191 (Ц) (51)5 Н 01 L 29/73
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР
ЦО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ .. -
К А ВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (46) 30. 08. 92, Бюл. 5"- 32 (2i) 4122186/25 (22) l7.09.86 (72) В.Л.Аронов, В.А.Васипьев, Ю.И,Морозов, И.Б.Десятов и А.В.Родионов (53) 62l.382 {088.8) (56) Федотов Я.А.Основы физики полупроводниковых приборов. М.t Советское радио, 1970s с ° 502.
Технические условия аА0,339455 на транзистор 2Т994.. (54) СВЧ-ТРАНЗИСТОР (57) Изобретение относится к полулро-,. водниковой технике и направлено на улучшение электрических характеристик транзистора. Цель — снижение длительности фронтов радиоимпульса усипиваемого транзистором сигнала. СВЧ-транзистор, включающий кристаллы с электродами и корпус с выв(дами, содержит дополнительные проводники, размещенные внутри корпуса и соединя.ощие входные электроды кристаллов с общим электродом транзистора. Индуктивность
L совокупности этих проводников удов-! летворяет условиям l0L„@Lb(U@z„z /2) м (фь/Х д ) ° Где Lose индуктивность общего электрода транзистора,Ug,e,e s.c максимальное обратное напряжение
Эмиттер-база; Х „импульсны ток эмиттера посМе завершения переходного процесса; < - требуемая длительность фронта радиоимпульса. Изобрете. ние позволяет расширить область при= @ менения СВЧ-транзистора. l un.
I467345 щ (Бдs MIKc о щ 2 Z л.и индуктивность общего электрода транзистора, включающая индуктивность базы и внешнюю индуктивность монтажа; импульсный ток эмиттера после завершения переходного процесса; максимальное обратное напряжение эмиттер-база; требуемая длительность фронта радиоимпульсов.
1 . макс
Составитель Н.1 усельников
Техред К.дидык Корректор Э....Лончакова
Редактор Н. Коляда
Заказ 3475
Тираж
Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
ll3035, Иосква, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Ю Ь»
Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектиля, 4
Изобретение относится к полупроводниковой технике.
Целью изобретения является снижение длительности фронтов радиоим ульса усиливаемого транзистором сиг5 нала.
Изобретение иллюстрируется чертеяюм.
СВЧ мощный импульсный транзистор включает в себя корпус 1,являющийся общим электродом, с внешними входными
2 и выходными 3 выво ами, кристаллы активной структуры 4, согласующие емкости 5, эмиттерные 6, базовые 7, коллекторные 8 проводники и дополнительные проводники 9, соединяющие входные электроды l0 кристаллов с общим электродом.
Пример конкретной реализации.
СВЧ транзисторы были собраны на базе и в корпусе транзистора 27994.
Параметры транзистора имеют следуюэначения: Ь@„ 0,0l нГн, L
6 03 нГк. 25
Фврмула изобретения, СВЧ-транзистор,включенный по схезю е общей базой, содержащий корпус с выводами, в котором расположены кристаллы с входными эмиттерными и выходными коллекторными электродами, отличающийся тем, что, с целью снижения длительности фронтов радиоимпульса усипенного транзистором сигнала, входные эмиттеряые электроды кристаллов соединены с общим базовым электродом транзистора проводниками, размещенными внутри корпуса, причем индуктивность совокупности проводников удовлетворяет условиям
