Способ уменьшения емкости туннельных диодов, основанный на уменьшении площади p-n перехода

Класс 2)g 11в2 № 148143 ссср

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Подписная группа М 97

Л. А. Логунов

СПОСОБ УМЕНЬШЕНИЯ ЕМКОСТИ ТУННЕЛЬНЫХ ДИОДОВ, ОСНОВАННЫЙ НА УМЕНЬШЕНИИ ПЛОЩАДИ р-и ПЕРЕХОДА

Заявлено 7 мая 1960 г. за Ке 665612/26 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Опубликовано в «Бюллетене изобретений» Ме 12 за 1962 г.

Известные способы уменьшения емкости туннельных диодов, основанные на уменьшении площадки р — п переходов, являются малоэффективными и не могут быть применены для диодов малых габаритов.

Предлагаемый способ отличается тем, что выпрямляющий контакт вплавляют в полупроводниковую пластину, тонкий поверхностный слой которой имеет малое удельное сопротивление, необходимое для получения туннельного эффекта, Это позволяет значительно увеличить эффективность способа уменьшения емкости туннельных диодов

Описываемый способ заключается в том, что рабочую площадь р — и перехода туннельного диода уменьшают за счет изменения электрической структуры исходного материала, для чего на полупроводник наносят тонкий слой материала того же типа, но с меньшим удельным сопротивлением.

Во время вплавления выпрямляющего контакта происходит проплавление поверхностной пленки и образование надежного р — n перехода как с пленкой, так и с основной массой полупроводникового кристалла.

Применяя тонкие поверхностные слои низкоомного материала, можно получить туннельные диоды с очень малой емкостью. На полупроводниковый кристалл поверхностный слой наносят, например, при помощи диффузии примесей или осаждением низкоомного материала из газовой фазы и т. д.

Государственнь и комитет радиоэлектронной промышленности отмечает эффективность предлагаемого способа и возможность использования его при разработке новых туннельных диодов. № 148143

Предмет изобретения

Способ уменьшения емкости туннельных диодов, основанный на уменьшении площади р — и перехода, отличающийся тем, что, с целью увеличения эффективности способа, выпрямляющий контакт вправляют в полупроводниковую пластину, тонкий поверхностный слой которой имеет малое удельное сопротивление, необходимое для получения туннельного эффекта, Редактор Т. Ф. Загребельная Техред А. А. Камышникова Корректор В. Андрианов

Типография ЦБТИ, Москва, Петровка, 14

Подп. к печ. 23.IV-62 г. Формат бум, 70Х108 / а

Зак. 3893 Тираж 1000

ЦБТИ Комитета по делам изобретений и открытий при

Москва, Центр, М. Черкасский пер„

Объем 0,18 изд. л.

Цена 4 коп.

Совете Министров СССР д. 2/6.