Прецизионный транзисторный усилитель напряжения с большим входным сопротивлением
Класс 2|аз-, 18„
Мв )44|Ос| ссс|
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Подписная грргпа Л"" 8?
Ю. Л. Куркин и Н. С. Куркина
ПРЕЦИЗИОННЫЙ ТРАНЗИСТОРНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ
НАПРЯЖЕНИЯ С БОЛЬШИМ ВХОДНЫМ СОПРОТИВЛЕНИЕМ
Заявлено 28 марта 1960 г. за Ке 6602!3/26 9 в Комитет по делам изобрстений и открытий при Совете й1инистров СССР
Опубликовано в «Бюллетене изобретений» No 2 за 1962 г.
Известны транзисторные усилители с высоким входным сопротивлением. Основной недостаток подобных устройств состоит в том, что входное сопротивление зависит от коллекторного сопротивления входного и последуюгцего транзисторов.
В описываемом усилителе высокое входное сопротивление (порядка 600 мом) обеспечивается применением последовательно-параллельной отрицательной обратной cBH=- позволяющей устранить шунтирующее действие входа коллекторными сопротивлеHèÿми входного н Ilоследующих транзисторов. Кроме того, в усилителе вместо опорных батарей включены опорные диоды, что уменьшает габариты усилителя и расход энергии от источников питания.
Принципиальная схема усилителя приведена на чертеже.
Усиливаемый сигнал подается на зажимы 1 — 1 и поступает на базу транзистора 2. Эмиттерная шина первых трех транзисторов (2, 8 и
4) со структурой р — п — р присоединена через общее сопротивление 5 к положительному полюсу источника питания. Выходной транзистор 6 со структурой n — р — n работает на сопротивление 7 нагрузки.
Между эмиттерной шиной первых треx транзисторов и нагрузкой включено сопротивление обратной связи 8. Кроме того. обратной связью охвачен каждый транзистор с помощью сопротивлений 9, 10, 11 и 12.
Комбинированная последовательно-параллельная отрицательная обратная связь устраняет шунтирующее действие входа коллекторным сопротивлением транзистора 2 и последующих транзисторов, что позволяет получить очень высокое входное сопротивление усилителя. Смещения на транзисторы 3, 4 и б подают с помощью опорных диодов 18, 14 и 15.
Описанный усилитель может быть использован, например, в вычислительных машинах для анализа атомных струкгур кристаллов.
Предмет изобретения
Составитель Г. А. Емельянов
Редактор 3. А. Москвина
Техред А. Л. Резник Корректор В. П. Фомина
Подп, к печ, 2.1-62 г
Зак. 13114
Формат бум. 70 ;108" /1в
Тираж 650
ЦБТИ при Комитете по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, Центр М. Черкасский пер., д. 2/6.
Объем 0,18 изд. л.
Цена 4 коп.
Типография ЦБТИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР, Москва, Петровка, 14.
Прецизионный транзисторный усилитель напряжения с большим входным сопротивлением, с локальными и общей обратной связью, включением коллектора предыдущего транзистора к базе последующего, включением опорных диодов в цепях эмиттеров всех транзисторов, кроме выходного, о т,л и ч а ю шийся тем, что, с целью увеличения входного сопротивления, эмиттерная шина первых трех транзисторов со структурой «р — n — р» присоединена к положительному зажиму источника питания через общее эмиттерное сопротивление, а между эмиттерной шиной и незаземленным зажимом нагрузки, к которому включен опорный диод коллекторной цепи выходного транзистора структуры «n — р — и», включено сопротивление обратной связи, причем эмиттер выходного транзистора присоединен к источнику питания.
