Реберная диэлектрическая линия
Изобретение относится к технике СВЧ. Цель изобретения - уменьше ние потерь. Линия содержит диэл. подложку (ДП) I и две пары металлич. ребер (МР) 2,3 и 4,5. МР расположены перпендикулярно ДП 1. Каждая пара МР со стороны концов, удаленных от ДП 1 соединена металлич. экранами 6 и 7. Расстояние о между концами МР разных пар, обращенными к ДП 1, выбрано из условия O :7k/2, где . d - толщина ДП; Л - длина волны в свободном пространстве. Электромагн. волна распространяется по линии. Направления эл. поля рабочей волны между МР 2,4 и 3,5 противоположны. Большая часть энергии рабочей волны распространяется в зазорах между ДП 1 и МР 2-5. Это обеспечивает уменьшение потерь эн.ергии в диэлектрике. Экраны 6 и 7 предотвращают возможность излучения энергии, распространяющейся в области между МР 2,3 и 4,5 каждой пары. 1 ил. с (Л
СОЮЗ СОВЕТСНИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИН (19) (11) А1 д1)4 Н 01 Р 3/!8
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР
ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ
1, Жеящ-,, в 1
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ :, ц
Н А BTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ К fg р . (21) 4149425/24-09 (22) 20.11.86 (46) 23.04.88.Бюл. !) 15 (71) Московский институт электронного машиностроения (72) В,И.Гвоздев, Е,И.Нефедов, А.Д.Симонов, T.Þ.×åðíèêoâà и И.Г.Шрамков (53) 621.373.826 (088.8) (56),Нефедов Е.И., Фиалковский А.Г.
Полосковые линии передачи. - M.: Наука, 1980, с.65, рис.2.3.
Там же,с.63, рис.2.25. (54) РЕБЕРНАЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ЛИНИЯ (57) Изобретение относится к технике СВЧ. Цель изобретения - уменьшение потерь. Линия содержит диэл. подложку (ДП) l и две пары металлич. ребер (MP) 2,3 и 4,5. МР расположены перпендикулярно ДП 1. Каждая пара
MP со стороны концов, удаленных от
ДП 1 соединена металлич. экранами
6 и 7. Расстояние с) между концами
MP разных пар, обращенными к ДП !, выбрано из условия d < Q c Ъ/2, где
d — толщина ДП; % - длина волны в свободном пространстве. Электромагн. волна распространяется по линии. Направления эл. поля рабочей волны между MP 2,4 и 3,5 противоположны. Большая часть энергии рабочей волны распространяется в зазорах между ДП l и МР 2-5. Это обеспечивает уменьшение потерь энергии в диэлектрике. Экраны 6 и 7 предотвращают возможность а
Ю излучения энергии, распространяющейся в области между MP 2,3 и 4,5 каждой пары. 1 ил.
l390664 чения энергии, распространяющейся в области между металлическими ребрами 2,3 и 4,5 каждой пары.
Изобретение относится к технике
СВЧ и может быть использовано в ка-
Формула из обретения
Составитель С.Подковырин
Техред М. Ходанич, едактор И,Горная
Корректор А.Зимокосов
Заказ 1773/49
Тираж 632
Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по лелам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб,, д. 4/5
Производственно-полиграфическое предприятие, r. Ужгород, ул..Проектная, 4 честве линии передачи в приемопередающих ус тр ойс тв ах . 5
Цель изобретения - уменьшение потерь.
На чертеже представлена конструкция реберной диэлектрической линии.
Реберная диэлектрическая линия 10 состоит из диэлектрической подложки
1 и двух пар металлических ребер 2,3 и 4,5. Каждая пара металлических ребер 2,3 и 4,5 соединена металлическими экранами 6 и 7. 15
Линия работает следующим образом.
Электромагнитная .волна распространяется по реберной диэлектрической линии. Направления электрического поля рабочей волны между металличес- 20 кими ребрами 2„.4 и 3,5 противоположны. Большая часть энергии рабочей волны распространяется в зазорах между диэлектрической подложкой 1 и металлическими ребрами 2 — 5, что обес- 25 печивает уменьшение потерь энергии в диэлектрике. Металлические экраны
6 и 7 предотвращают воэможность излуРеберная диэлектрическая линия, содержащая диэлектрическую подложку и две пары металлических ребер, рас. положенных по разные стороны диэлект рической подложки одна под другой, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения потерь, металлические ребра расположены перпендикулярно диэлектрической подложке, каждая пара металлических ребер со стороны концов, удаленных от диэлектрической подложки, соединена металлическими экранами, а расстояние а между концами металлических ребер разных пар, обращенными к диэлектрической подложке, выбрано из условия аспас A /2 где d — толщина диэлектрической подложки;
9, — длина волны в свободном пространстве °

