Интегральная схема

Авторы патента:

H01L23/52 - электрические соединения внутри прибора, например между компонентами прибора в процессе его работы

Изобретение относится к микроэлектронике и предназначено для создания интегральных схем, имеющих защиту контактных площадок от коррозии. Цель изобретения - повышение выхода годных схем путем повышения надежности защиты контактных площадок от коррозии. Интегральная схема включает кремниевую подложку, металлическую разводку, контактные площадки или металлические шины и элемент защиты контактных площадок от коррозии. Элемент защиты выполнен в виде металлического кольца шириной h. Кольцо охватывает контактные площадки или металлические шины по периметру интегральной схемы. Элемент соединен с i-й контактной площадкой или шиной, имеющей омическое сопротивление R_i с кремниевой подложкой. Величины h и R_i выбраны из соотношения где a - площадь контактной площадки; n - число контактных площадок или шин интегральной схемы. Металлическое кольцо выполнено из материала металлической разводки. Повышение надежности защиты от коррозии контактных площадок достигается тем, что почти весь коррозионный процесс протекает на защитном кольце. Введение защитного кольца позволяет более чем в 50 раз снизить плотность токов коррозии через контактные площадки. 1 з. п. ф-лы, 2 ил., 1 табл.

Изобретение относится к микроэлектронике и предназначено для создания интегральных схем, имеющих защиту контактных площадок от коррозии. Цель изобретения повышение выхода годных схем путем повышения надежности защиты контактных площадок от коррозии. На фиг. 1 показана кремниевая пластина с интегральной схемой, имеющей защитное кольцо, фрагмент; на фиг. 2 поперечное сечение структуры интегральной схемы с защитным кольцом (введены следующие обозначения: 1 интегральные схемы, 2 дорожка скрайбирования, 3 контактные площадки, 4 элемент защиты контактных площадок от коррозии (защитное кольцо), 5 контактная площадка, имеющая наименьшее омическое сопротивление с кремниевой подложкой, 6 кремниевая подложка, 7 диффузионные области, 8 пленка термического окисла, 9 металлическая разводка, 10 пассивирующий слой (пунктиром показана гальваническая цепь металл кремний внешняя среда металл). Интегральная схема представляет собой кристалл с восемью выводами, т.е. с восемью контактными площадками. Размер контактных площадок 100х100 мкм, площадь контактной площадки 10000 мкм², размер кристалла 2х2 мкм. Металлическое кольцо шириной h, равной 25 мкм, расположено вокруг контактных площадок по периметру интегральной схемы и соединено с контактной площадкой. Для определения омических сопротивлений контактных площадок с кремниевой подложкой были проведены измерения сопротивления на токе 10 мА между зондом, установленным на дорожку скрайбирования (подложка), и зондом, установленным на i-тую контактную площадку. В результате получены следующие значения сопротивлений для соответствующих контактных площадок: R₁ 270 Ом, R₂ 290 Ом, R₃ 310 Ом, R₄ 340 Ом, R₅ 380 Ом, R₆ 440 Ом, R₇ 540 Ом, R₈ 760 Ом. Для первой контактной площадки A h/ 0,25; B 1,097 В таблице сведены данные, иллюстрирующие эффективность защиты контактных площадок от коррозии при подключении защитного металлического кольца к первой и пятой контактным площадкам. Как следует из таблицы, предложенная интегральная схема по сравнению с известной обладает более высоким коэффициентом выхода годных благодаря повышению эффективности защиты контактных площадок от коррозии. Способ изготовления предложенной схемы более прост, поскольку для формирования защитного элемента по коррозии не требуется дополнительных операций.

Формула изобретения

1. ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА, включающая кремниевую подложку со сформированными в ней активными и пассивными элементами, металлическую разводку, контактные площадки или металлические шины и элементы защиты контактных площадок от коррозии, отличающаяся тем, что, с целью повышения выхода годных схем путем повышения надежности защиты контактных площадок от коррозии, элемент защиты контатных площадок от коррозии выполнен в виде металлического кольца шириной h, охватывающего контактные площадки или металлические шины по периметру интегральной схемы и соединенного с i - й контактной площадкой или шиной, имеющей омическое сопротивление R_i с кремниевой подложкой, причем h и R_i выбраны из соотношений

где a - площадь контактной площадки; n - число контактных площадок или шин интегральной схемы. 2. Схема по п.1, отличающаяся тем, что металлическое кольцо выполнено из материала металлической разводки.

РИСУНКИ

Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3

Похожие патенты:

Свч биполярный транзистор // 1137966

Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к конструкциям СВЧ биполярных транзисторов

Полупроводниковый диод // 858490

Точечный диод // 565593

Устройство для присоединения выводов полупроводниковых приборов // 564666

Канальный транзистор с изолированными затворами // 292327

Патент 154611 // 154611

Устройство для формовки точечных полупроводниковых диодов // 129260

Устройство для автоматического регулирования режима формовки полупроводниковых, в частности, селеновых элементов // 109351

Способ охлаждения полупроводниковых диодов // 108625

Устройство для настройки кристаллических детекторов // 96421

Полупроводниковое устройство (варианты) и способ формирования воздушных зазоров внутри структуры (варианты) // 2204181

Многоконтактное электрическое соединение // 2207661

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при разработке и изготовлении гибридных интегральных микросхем

Устройство памяти и/или обработки данных и способ его изготовления // 2237948

Способы самовосстанавливающегося соединения многоконтактных приборов или микросхем и устройство для его осуществления // 2270493

Изобретение относится к соединению устройств ввода-вывода или устройств центрального процессора или передаче информации или других сигналов между этими устройствами

Микросхема с оптоволоконными многоконтактными соединениями // 2350054

Изобретение относится к соединению устройств ввода-вывода информации или других сигналов между этими устройствами

Микропрофиль структуры вакуумной интегральной свч-схемы и способ его изготовления // 2404481

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в производстве электровакуумных приборов, вакуумных интегральных СВЧ-схем и других микросхем

Электронный модуль // 2438209

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к печатным платам с высокой плотностью размещения компонентов, которые используются, например, в устройствах для определения местоположения и азимута

Полупроводниковое устройство и способ для его изготовления // 2544887

Изобретение относится к полупроводниковым устройствам. В полупроводниковом устройстве, включающем в себя множество единичных ячеек, расположенных в ряд в одном направлении, и группу межсоединений, которая содержит первое межсоединение и второе межсоединение, второе межсоединение имеет модуль Юнга выше, чем модуль Юнга первого межсоединения, и расположено вдоль концевого участка в упомянутом одном направлении. Изобретение обеспечивает уменьшение разрушений полупроводникового устройства по причине короткого замыкания межсоединения при уменьшенной ширине концевого участка. 5 н. и 15 з.п. ф-лы, 4 ил.

Способ формирования коммутирующей перемычки // 2579166

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано при изготовлении больших интегральных схем (БИС), в том числе БИС на основе комплементарных транзисторов со структурой металл-окисел-полупроводник (КМОП БИС), программируемых матричных БИС, программируемых логических интегральных схем (ПЛИС), однократно программируемых постоянных запоминающих устройств (ППЗУ). Технический результат от использования изобретения заключается в повышении надежности перемычки и металлизации в целом путем предотвращения диффузии атомов алюминия в структуру перемычки и сохранения технологии формирования шин металлизации на планарной поверхности, уменьшения топологического размера перемычки и повышения однородности ее слоев по толщине, увеличения сопротивления перемычки в выключенном состоянии и повышения воспроизводимости напряжения пробоя перемычки. В способе формирования коммутирующей перемычки между шинами двух уровней металлизации, включающем процессы формирования переходного отверстия в межуровневой изоляции к шине первого уровня металлизации, осаждения слоев перемычки и металлизации второго уровня в переходное отверстие и формирование перемычки и шины металлизации второго уровня, согласно изобретению формирование перемычки производят одновременно с формированием промежуточного межуровневого соединения посредством последовательного осаждения слоев перемычки и слоев промежуточного межуровневого соединения на основе пленок нитрида титана и вольфрама в переходное отверстие диаметром d, в промежуточном изолирующем слое толщиной h к шине металлизации первого уровня с отношением h/d, обеспечивающим однородное осаждение слоев перемычки, и последующей химико-механической полировкой осажденных слоев, а соединение перемычки с шинами металлизации второго уровня осуществляют за счет контактной площадки перемычки на основе пленок титана и нитрида титана и дополнительного межуровневого соединения к контактной площадке на основе пленок титана, нитрида титана и вольфрама. 10 ил.

Способ соединения многоуровневых полупроводниковых устройств // 2629904

Изобретение относится к технологии многоуровневых полупроводниковых устройств. Способ изготовления многослойного полупроводникового устройства включает формирование кромок на первом и втором кристаллах, формирование слоев перераспределения, проходящих по меньшей мере по одному из соответствующих первого и второго кристаллов и соответствующим кромкам, укладывание второго кристалла поверх первого кристалла, просверливание одного или более переходных отверстий через кромки после укладки, которые взаимодействуют с первым и вторым кристаллами через кромки. При этом способ дополнительно содержит этапы, на которых формируют первую восстановленную панель кристаллов, включающую первое множество кристаллов, сформированных на рамке панели, причем первое множество кристаллов включает в себя первый кристалл, и формируют вторую восстановленную панель кристаллов, включающую второе множество кристаллов, сформированных на другой рамке панели, причем второе множество кристаллов включает в себя второй кристалл, и кристаллы из первого и второго множества кристаллов сортируют для обеспечения использования только работоспособных кристаллов для формирования первой и второй восстановленных панелей, при этом на этапе формирования кромок окружают периферию кристаллов первой и второй восстановленных панелей. Изобретение обеспечивает улучшение характеристик полупроводниковых устройств. 3 н. и 16 з.п. ф-лы, 11 ил.