Способ обращения к накопителю

 

Изобретение относится к вычислительной .технике, в частности к запоминающим устройствам. Целью изобретения является увеличение числа годных накопителей запоминающих устройств за счет снижения требований к годности элементов памяти резервных разрядов ., увеличения степени использования годных элементов памяти накопителя и сокращения оборудования для резервных разрядов накопителя. Способ обращения к накопителю заключается в том, что при записи подают информационные сигналы в годные и резервные разряды ячеек накопителя, а при считывании информации из тех же ячеек памяти накопителя блокируют сигналы, считанные из дефектных информационных элементов памяти, при этом число резервных разрядов накопителя выбирают равным К, где га - максимальное число дефектных элементов памяти в ячейке памяти,при условии, что в каждой ячейке памяти резервные разряды содержат не более К-т дефектных элементов памяти, а сумма всех дефектных элементов в К резервных разрядах наибольшая. i (Л

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК (19) (11) 151) 4 G 11 С 29/00

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К A ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

00 ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 3986932/24-24 (22) 11. 11.85 (46) 23.12.87. Бюл. У 47 (72) О.А.Алексеев (53) 681.327 (088.8) (56) Патент США Р 3422402, кл. 340172,5, опублик.1969 °

Авторское свидетельство СССР

Р 907587, кл. G t 1 С 29/00, 1980. (54) СПОСОБ ОБРАЩЕНИЯ К НАКОПИТЕЛЮ (57) Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к запоминающим устройствам. Целью изобретения является увеличение числа годных накопителей запоминающих устройств за счет снижения требований к годности элементов памяти резервных разрядов., увеличения степени использования годных элементов памяти накопителя и сокращения оборудования для резервных разрядов накопителя. Способ обращения к накопителю заключается в том, что при записи подают информационные сигналы в годные и ре. зервные разряды ячеек накопителя, а при считывании информации из тех же ячеек памяти накопителя блокируют сигналы, считанные из дефектных информационных элементов памяти, при этом число резервных разрядов накопителя выбирают равным К, где K m, m — максимальное число дефектных элементов памяти в ячейке памяти,при условии, что в каждой ячейке памяти резервные разряды содержат не более

К-m дефектных элементов памяти, а сумма всех дефектных элементов в К резервных разрядах наибольшая.

13

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к запоминающим устройствам.

Цель изобретения - увеличение числа годных накопителей запоминающих устройств за счет снижения требований к годности элементов памяти резервных разрядов, увеличения степени использования годных элементов памяти накопителя и сокращения оборудования для резервных разрядов накопителя, Способ осуществляют следующим образом.

Сначала проверяют работоспособность всех элементов памяти во всех разрядах ячеек памяти накопителя запоминающего устройства. Запоминают адрес ячеек с дефектными элементами памяти и номера их дефектных разрядов. Определяют m — - максимальное число дефектных элементов памяти в ячейке памяти для коррекции дефектных элементов разрядов К(К m). Первым в качестве резервного выбирают разряд, содержащий наибольшее количество дефектных элементов памяти.

Следующие К-1 резервные разряды выбираются так, чтобы в резервных разрядах в каждой ячейке памяти было не более К-m дефектных элементов памяти и сумма всех дефектных элементов всех К резервных разрядов получилась наибольшей. Таким образом, наибольщая часть дефектных элементов памяти исключается из обращения, а остальные дефектные элементы памяти заменяются годными в резервных разрядах этих же ячеек.

61635 2

В случае обращения к накопителю при записи информационные сигналы подают в годные и соответствующие резервные разряды ячеек накопителя, а при считывании информации из этих же ячеек памяти накопителя информации считывается из годных и соответствующих резервных разрядов ячеек накопителя, при этом сигналы из дефектных элементов памяти выбранной ячейки памяти блокируются, При обращении к ячейке, все разряды которой годные (а элементы памяти резервных

1r разрядов этой ячейки могут быть дефектными), информационные сигналы подаются и снимаются с годных разрядов, а резервные разряды при этом блокируются.

Формула изобретения

Способ обращения к накопителю, заключающийся при записи в подаче информационных сигналов в годные и резервные разряды ячеек памяти нако26 пителя, а при считывании информации из тех же ячеек памяти накопителя— в блокировке сигналов, считанных из дефектных информационных элементов памяти, отличающийся тем, что, с целью увеличения числа годных накопителей, число резервных разрядов накопителя выбирают равным

К (где КВ ш, ш — максимальное число дефектных элементов памяти в ячейке памяти) при условии, что в каждой

Зб ячейке памяти резервные разряды содержат не более К-m дефектных элементов памяти, а сумма всех дефектньтх элементов памяти в К резервных аО ра "ядах наибо" шая

Составитель В.Рудаков

Техред. M.Äèäûê

Корректор Г.Решетник

Редактор В.Петраш

Заказ 6297/52

Тираж 588 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г.Ужгород, ул.Проектная,4