Высоковольтный переключатель

 

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в импульсных модуляторах, преимущественно для формирования импульсов запуска, поступающих на сетку мощных модуляторных ламп. Высоковольтный переключатель содержит транзисторы 1.1-1.М., ограничительные диоды (Д) 2.1-2.М, зарядные Д 3.1 - 3.(М-1), разделительные Д 4.1-4.(М-1) защитный Д 5, резисторы 6.1-6.М и 7.1-7.М, конденсаторы 8.1-8.М, источник 9 питания, общую 10 и выходную 11 шины, нагрузку 12. Изобретение уменьшает длительность среза выходных импульсов за счет увеличения скорости рассасывания неосновных носителей заряда в базах транзисторов. 1 ил. .-ч,.1 о - L -Ф Г In 252. т I y S I (Л СО 4 00 . О2 .1 Г Мб./ 8.1 ф;./ 7-.f Мб./ С) ./

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК (19) (11) А1 (5D4 НОЗ К 6

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ

К А ВТОРСНОМЪГ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 3953876/24-21 (22) 06.09,86 (46) 23.10.87. Бюл. К- 39 (72) В.С.Уманский (53) 621.382(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

Р 841115, кл. Н 03 К 17/08, 1981.

Авторское свидетельство СССР

Ф 1162031, кл. Н 03 К 17/60, 1985. (54) ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ (57) Изобретение относится к импульсной технике и может быть использо вано в импульсных модуляторах, преимущественно для формирования импульсов запуска, поступающих на сетку мощных модуляторных ламп. Высоковольтный переключатель содержит транзисторы 1.1-1.M., ограничительные

1 диоды (Д) 2.1-2.М, зарядные Д 3.1

3.(1и-1), разделительные Д 4.1-4.(М-1), защитный Д 5, резисторы 6. 1-6. М и

7.1-7.М, конденсаторы 8.1-8.М, источник 9 питания, общую 10 и выходную

11 шины, нагрузку 12. Изобретение уменьшает длительность среза выходных импульсов за счет увеличения скорости рассасывания неосновных носителей заряда в базах транзисторов.

1 ил.

47178

2 импульсных модуляторах различного назначения, преимущественно для формирования импульсов запуска, поступающих на сетку мощных модуляторных ламп.

Цель изобретения — уменьшение длительности среза выходных импульсов за счет увеличения скорости рассасывания неосновных носителей заряда в базах транзисторов.

На чертеже представлена схема высоковольтного переключателя.

Высоковольтный переключатель со" держит М транзисторов 1.1-1.M, M ограничительных диодов 2.1-2.М, М-1 зарядных диодов 3.1-3.(М-1), M-1 разделительных диодов 4.1-4.(М-1), защитный диод 5, M первых резисторов 6.1-6,М, М вторых резисторов

7.1-7.M, M конденсаторов 8.1-8.М, источник 9 питания, эмиттер первого транзистора 1.1 подключен к общей шине 10 и первому выводу источника 9 питания, а база — к выходной шине

11, база каждого транзистора 1.1

1.M через соответствующий первый резистор 6.1-6.М соединена с общей шиной 10, каждый зарядный диод 3.1

3.(М-1) включен параллельно соответ- ствующему первому резистору 6.2-6.М, каждый ограничительный диод 2.1-2,М подключен обратно-параллельно переходу база-эмиттер соответствующего транзистора 1.1-1.M коллектор каждого транзистора 1.1-1.M через соответствующий второй резистор 7.1-7.N соединен с вторым выводом источника

9 питания и первыми выводами разделительных диодов 4.1-4.(М-1), коллектор каждого предыдущего транзистора 1. 1-1.(М-1) через соответствующий конденсатор 8.1-8.(M-1) подключен к эмиттеру последующего транзистора 1.2-1,N, коллектор М-ro транзистора 1.М через M-й конденсатор

8,М соединен с первыми выводами нагрузки 12 и защитного диода 5, вторые выводы которых подключены к общей шине 10.

Высоковольтный переключатель также содержит (М-1) импульсных трансформаторов 13.1-13.(M-1) и (N-1) стабилитронов 14. 1-14 ° (M-1), причем второй вывод каждого разделительного диода 4,,1-4.(М-1) через первичную обмотку соответствующего импульсного

10

20

30

13

Йзобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в трансформатора 13.1-13.(М-1) и соответствующий стабилитрон 14,1-14.(M-1) которые соединены параллельно, подключен к коллектору соответствующего транзистора 1. 1-1.(М-1),. первичная .обмотка каждого импульсного трансформатора 13.1-13.(М-1) включена параллельно переходу. база-эмиттер соответствующего транзистора

1.2-1.N.

Высоковольтный переключатель работает следующим образом.

В паузах между импульсами запуска все транзисторы 1.1-1 M заперты. В это время происходит заряд всех конденсаторов в 8.1-8.M через соответствующие резисторы 7.1-7.М и диоды 2.2-2.М, 3.1-3.(М-1) и 5 от источника 9 до напряжения этого источника. Диоды 4,1-4,(N-1) в это время заперты, При поступлении на входную шину 11 очередного положительного

- импульса запуска транзистор 1.1 отпирается, а к эмиттеру следующего транзистора 1.2 подключается отрицательный перепад напряжения от верхней обкладки конденсатора 8.1. Это вызывает запирание диодов 2.2 и

3,1 и отпирание транзистора 1.2. Его базовый ток протекает через баэаэмиттерный переход, резистор 6.2, открытый транзистор 1,1 и конденсатор 8.1.

После отпирания транзистора.1,2 к эмиттеру транзистора 1,М прикладывается отрицательный перепад напряжения от верхней обкладки кон40 денсатора 8.(M-1). Этим аналогично указанному достигается запирание диодов 5, 2.M и 3.(М-1) и отпирание транзистора 1.M. При этом на нагруз- . ке 12 формируются фронт и вершина

45 ., отрицательного импульса с амплитудой в M раз большей, чем напряжение источника 9 питания. Диоды 4. 1-4. (М-1) остаются во время импульса в запертом состоянии. Во время импульса происходит частичный разряд конденсаторов 8.1-8.М.

При поступлении на входную шину

11 очередного отрицательного импульса сброса транзистор 1.1 запирается.

Транзисторы 1.2 и 1.N при этом еще остаются открытьп и . Поэтому, например, потенциал коллектора транзисто-. ра 1.1 оказывается более высоким,чем напряжение источника 9 питания. Это

Составитель Д.Иванов

Техред И.Попович Корректор М.Демчик

Редактор И.Шулла

Заказ 5127/51 Тираж 899 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д.4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, r.Óæãoðoä, ул.Проектная,4

3 13471 вызывает протекание тока через первичную обмотку трансформатора 13.1 и диод 4.1. На .вторичной обмотке возникает отрицательный импульс, ограничиваемый по амплитуде диодом 2 ° 2, поступающий на базу транзистора 1.2 и его запирающий. Аналогично происходит запирание транзистора 1.M в результате протекания тока через первичную обмотку трансформатора

13.(M-1) и диод 4.(M-1) и образования отрицательного импульса на диоде 2.M и база-эмиттерном переходе транзистора 1.М. Последнее обеспечивает его запирание, Благодаря наличию стабилитронов 14.1-14.(М-1) ис. ключаются перенапряжения на коллекторах транзисторов, обусловленные протеканием токов через индуктивности рассеяния трансформаторов 13.1

13. (М-1) .

Длительность среза выходных импульсов предлагаемого высоковольт25 ного переключателя меньше, чем у известных за счет увеличения скорости рассасывания неосновных носителей заряда в базах транзисторов.

Формула и з о б р е т е н и я

Высоковольтный переключатель, содержащий M транзисторов, М ограничительных диодов, M-1 зарядных диодов, М-1 разделительных диодов, за- 35 щитный диод, М первых резисторов, M вторых резисторов M конденсаторов, источник питания, эмиттер пер78

4 вого транзистора подключен к общей шине и первому выводу источника питания, а база — к входной шине, база каждого транзистора через соответствующий первый резистор соединена с общей щиной, каждый зарядный диод включен параллельно соответствующему первому резистору, каждый ограничительный диод подключен обратно-параллельно переходу база-эмиттер соответствующего транзистора, коллектор каждого транзистора через соответствующий второй резистор соединен с вторым выводом источника питания и первыми выводами разделительных диодов, коллектор каждого . предыдущего транзистора через соответствующий конденсатор подключен к эмиттеру последующего транзистора, коллектор М-го транзистора через M-й, конденсатор соединен спервыми выводами нагрузки и защитного диода, вторые выводы которых подключены к общей шине, отличающийся тем, что, с целью уменьшения длительности среза выходных импульсов, введены M-1 импульсных трансформаторов и M-1 стабилитронов, причем второй вывод каждого разделительного диода через первичную обмотку соответствующего импульсного трансформатора и соответствующий стабилитрон,. которые соединены параллельно,подключен к коллектору соответствующего транзистора, первичная обмотка каждого импульсного трансформатора вклю-. чена паралельно переходу база эмиттер соответствующего транзистора.