Способ записи информации в накопителе на магнитных вихрях
СОЮЗ СОБЕТСНИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕО (ИХ
РЕСПУБЛИН
11 C 7/ОО
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К А BTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ
ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТИРЫТИЯМ
ПРИ П(НТ ССОР (21) 3954927/24-24 (22) 20.09.85 (46) 23,03.90. Бюл. Х 11 (71) Донецкий физико-технический институт АН УСС1 (72) А,М.Гришин.и В.В.Пермяков (53) 681,327,66(088.8) (56) Электронная промьппленност . K 8, 1983, с, 20-25.
Эшенфельдер А, Физика и техн .ка цилиндрических ма. нитных доменов.
М.: Мир, 1983, (54) (57) СПОСОБ ЗАПИСИ И11ФОРМА1(ИИ В
НАКОПИТЕЛП НА:1АГНИТНЬ1Х ВИХРЯХ, сноИзобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на магнитных вихрях (МВ).
Целью изобретения является снижение потребляемой мощности при записи информации в накопителе путем использования внутренних уровней энергии
MI3, На чертеже приведена диаграмма состояний уровней энергии MR, В соответствии с предложенным способом запись информации в накопителе на МВ осуществляют следующим образом.
Генерируют МВ в локальных участках сверхпроводника второго ро..;а, воздействуют на эти участки электромагнитным излу ением в миллиметрогом диапазоне длин волн и переводят соответствующие МВ из основного энергетического состояния в возбужденное, При
„„SU„„ IÄ449Ù А 1 ванный на генерации магнитных вихрей в локальных участках сверхпроводника зторого род», отличающийся тем, яо, r целью снижения потребляемой мощности гри записи информации в накоп,теле путем использования внут" ренних ровней энергии магнитных вихрей, bo÷äå;tcòçóþò на локальные участки сверхп,оводника второго рода электромагнитным излучением и миллиметровом цнапазоце длин волн и переводят соответствующие магнитные вихри из основного энергетического состоянгя в возбужденное. .ом МВ, находящийся в основном энергетическом состоянии, можно принять за информационный "О", а возбужденный
МВ независимо от вида и степени релак сании начального возбуждения — эа информационную
Поскольку число внутренних энергетических уровней составляет порядка и
10, а их общая энергия равна энергии образования МЬ, то и энергия возбуждения отдельных локальных уровней в
1О раз меньше энергии возбуждения МВ
Таки.r образом, способ записи на внутренних уровнях энергии на несколько порядков экономичнее способа записи информации путем образования отдельных МВ, Сущность предложенного способа записи информации состоит в следующем.
Магнитный вихрь, находящийся в основном (невозбужденном) состоянии имеет набор локальных уровней энер1345904
8 ь юру
r (ìþì) Редактор Л,Письман Техред M.Õoäàíè÷ Корректор О.Кравцова
Заказ 997 тираж 486 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Производственно-издательский коьйинат "Патент", r.ужгород, ул. Гагарина,101 гии 1, число которых порядка 10з (см,чертеж). При возбуждении МВ, например, под действием внешнего излучения с энергией кванта электроны переходят с основных (низколежащих) на возбужденные (высокие) уровни 2.
Энергия МВ при этом возрастает на суммарную энергию всех возбужденных уровней. Однако, даже при десятках 10 таких возбужденных уровней общая добавка к энергии МВ составляет порядка процента его общей энергии и, следовательно, суммарная энергия эа" писи на внутренних уровнях энергии 15 на несколько порядков экономичнее записи путем образования отдельных
МВ. В то же время, переход от отдельных ИВ к решеткам МВ позволяет максимально упростить структуру системы 20 продвижения, выбрать шаг ее структуры много большим параметра решетки и, таким образом, обеспечить плотную упаковку МВ, теоретический предел которой лежит эа 10 на см
1О
Важным вопросом является вопрос о сохранности информации на возбужденных уровнях и сохранности самих МВ, Поскольку существование МВ осуществляется в сверхпроводниках при предельно низких температурах, то основной . механизм, раэрушающий информацию при комнатных температурах в виде тепловых флуктуаций, в данном случае практически отсутствует. Сохранение метастабильных уровней энергии как носителей информации также представляется долговременным при наличии защиты от внешних магнитных и электро" магнитных полей, что при низких температурах достаточно легко осуществляется с помощью экранирования с исполь зованием сверхпроводников.
