Способ изготовления полупроводниковых чувствительных элементов датчиков
Способ изготовления полупроводниковых чувствительных элементов датчиков, заключающийся в формировании тензорезисторов, тонкопленочных проводников и контактных площадок и утоньшении кристаллов путем травления, отличающийся тем, что, с целью повышения точности изготовления, уменьшения трудоемкости и увеличения выхода годных, после формирования схемы пластину со стороны тензосхемы закрывают промежуточным слоем адгезионного материала типа полимерного лака, не доходящем до края пластины от 3 до 5 мм, после чего на указанный слой наносят слой кислотощелочестойкого герметизирующего компаунда, перекрывающего слой адгезионного материала, и проводят травление в щелочном или кислотном травителе до образования необходимой перемычки.
Похожие патенты:
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к технологии изготовления фотоприемников и сверхбыстродействующих схем на подложках из антимонида индия
Способ изготовления полевых транзисторов // 1085437
Устройство для изготовления светодиодов // 972616
Способ изготовления диодов шоттки // 818372
Изобретение относится к электронике, преимущественно к технологии изготовления интегральных механоэлектрических преобразователей
Способ изготовления тиристоров // 2106038
Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении микроактюаторов, микрофонов, полевых транзисторов, электретных элементов и др
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении приборов на основе арсенида галлия
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении приборов на основе арсенида галлия
Способ изготовления магнитодиода // 2304322
Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано при изготовлении миниатюрных полупроводниковых магнитодиодов для измерительных устройств, основанных на применении гальвано-магнитных принципов преобразования информации
Изобретение относится к области неорганической химии, конкретно к легированным марганцем тройным арсенидам кремния и цинка, расположенным на монокристаллической подложке кремния, которые могут найти применение в устройствах спинтроники, для инжекции электронов с определенным спиновым состоянием
Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для изготовления датчиков скорости потока газа и жидкости в аэродинамике, химии, биологии и медицине
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для изготовления многоэлементных ИК-фотоприемников
Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники и может быть использовано для разработки новых более совершенных наноприборов, таких как фотодетекторы, сенсоры, полевые транзисторы, светодиоды и т.д
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в полупроводниковых датчиках и модульных устройствах вычислительных машин