Ячейка для измерения диэлектрической проницаемости материалов
Изобретение обеспечивает повышение точности измерений диэл. проницаемости анизотропных диэлектриков. Ячейка содержит линзу, вьшолненную из диэл. материала в форме правильной четырехугольной пирамиды (ПЧП) 1, на смежных боковых поверхностях которой расположены диэл.стаканы (ДС) 2, 3 для подключения стандартных лучеводов. Исследуемый образец (ИО) помещается на основании ПЧП 1. Через ДС 2 на основание ПЧП I направляется волна , поляризованная параллельно плоскости падения. Волна, поляризованная перпендикулярно плоскости падения, поворачивается на 90° вращателем плоскости поляризации и поступает на основание ПЧЛ 1 через ДС 3. На границе ПЧП - ИО излучение испытывает полное внутреннее отражение, смещаясь при этом в плоскости падения вдоль границы ПЧП - ИО. Смещения фиксируются жидкокристаллическими индикаторами 4,5, расположенными на других смежных боковых поверхностях ПЧП 1. При вращении ИО относительно ячейки по показаниям индикаторов 4, 5 судят об анизотропии ИО. 2 ил. с (6 (Л со ISD N5 со 4 4%г./
СОЮЗ СОВЕТСНИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИН
„„БО„„1З22194 (51)4 С 01 R 27 26
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Н Д ВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР
ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 3864048/24-09 (22) 04.03.85 (46) 07.07.87. Бюл. 11> 25 (71) Институт прикладной физики
АН БССР (72) В.А. Конев, В.Н. Цвирко, Н.В. Любецкий и С.А. Тиханович (53) 621.317.39(088.8) (56) Конев В.А., Пунько Н.Н. и др.
Контроль диэлектрической проницаемости и плотности методом полного внут реннего отражения в миллиметровом диапазоне волн. Повышение надежности авиационной техники средствами неразрушаемого контроля: Тезисы докладов
4-й отраслевой научно-технической конференции. Саратов, 1983, с. 434.
Авторское свидетельство СССР
11- 1272279, . G 01 R 27/26, 1984. (54) ЯЧЕЙКА ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ МАТЕРИАЛОВ (57) Изобретение обеспечивает повы— шение точности измерений диэл. проницаемости анизотропных диэлектриков.
Ячейка содержит линзу, выполненную из диэл. материала в форме правильной четырехугольной пирамиды (ПЧП) 1, на смежных боковых поверхностях которой расположены диэл.стаканы (ДС) 2, 3 для подключения стандартных лучеводов. Исследуемый образец (ИО) помещается на основании ПЧП 1. Через ДС 2 на основание ПЧП I направляется волна, поляризованная параллельно плоскости падения. Волна, поляризованная перпендикулярно плоскости падения, поворачивается на 90О вращателем плоскости поляризации и поступает на основание ПЧП 1 через ДС 3. На границе ПЧП вЂ” ИО излучение испытывает полное внутреннее отражение, смещаясь при этом в плоскости падения вдоль границы ПЧП вЂ” ИО. Смещения фиксируются жидкокристаллическими индикаторами 4,5, расположенными на других смежных боковых поверхностях
ПЧП 1. При вращении ИО относительно ячейки по показаниям индикаторов 4, 5 судят об анизотропии ИО. 2 ил.
1322194
Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в химической и электронной промышленности для измерения анизотропии диэлектрических материалов, 5
Цель изобретения — повышение точ.ности измерений диэлектрической проницаемости анизотропных диэлектриков .
На фиг. 1 приведена конструкция ячейки для измерения диэлектрической проницаемости материалов; на фиг. 2— вид А на фиг. 1 °
Ячейка содержит линзу, выполненную в форме правильной четырехуголь15 ной пирамиды 1, первый 2 и второй
3 диэлектрические стаканы для подключения стандартных лучеводов диаметром 20 мм, установленные на смежных боковых поверхностях, жидкокристаллические индикаторы 4 и 5, например, на основе смеси гистерезисного типа с микрометрическими шкалами, установленные на двух других поверхностях. 25
Ячейка для изменения диэлектрической проницаемости материалов работает следующим образом.
Исследуемый образец помещается на основании правильной четырехугольной пирамиды 1, выполненной из диэлектрического материала, с углом между гранью и основанием большим критического
4.> arcsxn n« .Линейно поляризованные электромагнитные волны, излучаемые
СИЧ-генератором, разделяются на две
35 волны делителем луча. Волна, поляризованная параллельно плоскости падения,поступает через диэлектрический стакан 2 на основание правильной че- 4 тырехугольнои, пирамиды, на котором находится исследуемый образец. Волна, поляризованная перпендикулярно плоскости падения, поворачиватеся на 90 о вращателем плоскости поляризации и поступает через диэлектрический стакан 3 на основание правильной четы- рехугольной пирамиды 1. На границе пирамида-исследуемый образец излучение испытывает полное внутреннее етражение„ смещаясь при этом в плоскости падения вдоль границы пирамидаисследуемый образец.
Смещения фиксируются жидкокристаллическими индикаторами 4 и 5, расположенными I3 двух взаимно ортогональных плоскостях, с микрометрическими шкалами, п1зоградуированными в единицах диэлекгрической проницаемости контролируемого материала. По величинам диэлектрической проницаемости в двух взаимно перпендикулярных направлениях, считываемьгх с индикаторов, при вращении образца относительно ячейки либо устройства относительно о образца (достаточно поворота на 90 ) вокруг оси судят об анизотропии исследуемого диэлектрика.
Формула изобретения
Ячейка для измерения диэлектрической проницаемости материалов, содержащая линзу, одна боковая поверхность которой параллельна . поверхности исследуемого материала, первый и второй диэлектрические стаканы, о т,л ич а ю щ а я с я тем, что, с целью повышения точности измерений диэлектрической проницаемости анизотропных диэлектриков, линза выполнена в форме правильной четырехугольной пирамиды, основание которой обращено к исследуемому материалу, а первый и второй диэлектрические стаканы расположены на смежных боковых поверхностях, а на двух других расположены введенные жидкокристаллические индикаторы.
1322194
Составитель Е. Адамова
Редактор M. Бланар Техред И.Попович Корректор С. Черни
Заказ 2859/41 Тираж 730 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Производственно-полиграфическое предприятие, r. Ужгород, ул. Проектная, 4
