Низковольтный опорный элемент

 

Изобретение относится к электротехнике и молсет быть использовано в устр-вах формирования низковольтного опорного напряжения. Цель изобретения - расширение диапазона напряжения и тока устр-ва. Цель достигается включением транзисторов 3,5 и 4,6 по схеме Дарлингтона, а также выполнением диодного элемента на двух транзисторах 7 и 8. Участки экспоненциальных вольт-амперных характеристик этих пар транзисторов увеличиваются в два раза. Диапазон токов устр-ва ограничен снизу значением порогового напряжения используемых.транзисторов, а сверху - шириной запрещенной зоны полупроводника, из которого изготовлены транзисторы. 1 ил. Н2 (Л со ел О5

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН

„„80„„1315961 (50 4 С 05 Р 1/56

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ABTQPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

f10 ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 4012939/24-07 (22) 28.01.86 (46) 07.06.87. Бюп. ¹ 21 (75) А.Л.Якимаха (53) 621.316.722.1(088.8) (56) Электроника, 1969, № 7, с.30-31.

Патент ФРГ № 3146770, кл. G 05 F 1/56, 1983. (54) НИЗКОВОЛЬТНЫЙ ОПОРНЫЙ ЭЛЕМЕНТ (57) Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в устр-вах формирования низковольтного опорного напряжения. Цель изобретения — расширение диапазона напряжения и тока устр-ва. Цель достигается включением транзисторов 3,5 и 4,6 по схеме Дарлингтона, а также выполнением диодного элемента на двух транзисторах 7 и 8. Участки экспоненциальных вольт-амперныххарактеристик этих пар транзисторов увеличиваются в два раза. Диапазон токов устр-ва ограничен снизу значением порогового напряжения используемых транзисторов, а сверху — шириной запрещенной зоны полупроводника, из которого изготовлены транзисторы. 1 ил.

1315961

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в устройствах формирования низковольтного опорного напряжения.

Целью изобретения является расширение диапазона напряжения и тока опорного элемента.

На чертеже представлена принципиальная электрическая схема опорного элемента. 3

Устройство содержит включенные между первым 1 и вторым 2 выводами первый 3, второй 4, третий 5, четвертый 6, пятый 7 и шестой 8 транзисторы. Диодный элемент выполнен на пятом

7 и шестом 8 транзисторах, Первый 1 вывод соединен с эмиттером транзистора 3, база которого соединена с эмиттером транзистора 5, база которого соединена с коллекторами транзисторов 4 и 7 и эмиттером транзистора

8, база которого соединена с базой транзистора 7, эмиттер которого соединен с коллекторами транзисторов 3 и 8 и с базой транзистора 6, эмиттер которого соединен с базой транзистора

4, эмиттер которого соединен с вторым выводом 2 элемента. Первый .3, третий 5 и пятый 7 транзисторы имеют один вид проводимости, второй 4, четвертый 6 и шестой 8 транзисторы

«противоположный тип провоцимости, Устройство работает следующим образом.

При включении элемента в электрическую цепь, через котору«о протекает постоянный электрический ток, íà нем формируется стабильное напряжения

U12 равное двум пороговым напряжени

I ям П- (П«. — пороговое напряжение, разделяющее два режима работы биполярного транзистора и р-и-перехода с экспоненциальным и квадратичными вольт-амперными характеристиками), Основная часть тока протекает через транзисторы 3,4.,7 и 8.

Поскольку токи баз транзисторов

3 и 4 не протекают через транзисторы

7 и 8, то тем самым улучшается стабильность опорного напряжения. Уменьшение доли остаточного напряжения коллектор-эмиттер насыщенных транзисторон 3 и 4 в общем напряжении также способствует повышению стабильности напряжения опорного элемента.

Для нормальной работы устройства должны быть обеспечены идентичные параметры биполярных транзисторов противоположного типа проводимости.

При изготовлении устройства по планарной биполярной технологии необходимо обеспечить одинаковые геометри5 чесхие размеры первого 3 и второго 4 транзисторов

8з К 8+ где S u S — площадь транзисторов 3 и 4;

Ю

К вЂ” коэффициент пропорциональности, зависящий от степени легирования областей баз транзисторов

Зи4, 15

Геометрические размеры транзисторов 7 и 8 могут быть в два раза меньшими по сравнению с транзисторами 3 и 4 соотвегственно.

Поскольку токи, протекающие через транзисторы 5 и 6, значительно меньше, чем токи, протекающие через транзисторы 3 и 4, то геометрические размеры транзисторов 5 и 6 должны быть более чем на порядок меньше размеров транзисторов 3 и 4.

Увеличение напряжения стабилизации в два раза осуществляется как за счет выполнения диодного элемента на

ЗО двух транзисторах 7 и 8, так и за счет включения транзисторов 3 и 5, а также транзисторов 4 и 6 по схеме

Дарлингтона, когда участки экспоненциальных вольт-амперных характеристик пар транзисторов 3 и 5, 4 и 6 и 7 и 8 увеличиваются в два раза, Диапазон токов элемента ограничен снизу значением порогового напряжения используемь«х транзисторов, а сверху— шириной запрещенной зоны полупроводника, из которого изготовлены транзисторы.

Предлагаемое устройство по сравнению с известным имеет более широкий диапазон напряжения и тока опор41 ного элемента, а также более высокую стабильность напряжения.

Формул а изобретения

5Î

Низковольтный опорный элемент, содержащий последовательно включенные между первым и вторым выводами соответственно первый транзистор первого типа проводимости, диодный элемент и второй транзистор второго типа проводимости, причем эмиттеры транзисторов соединены соответственно с первым и вторым выводами, о т л и ч а ющ ий с я

131596

Составитель В.Есин

Редактор Л.Олийнык Техред Т.Колб

Редактор А.Шандор

Заказ 2362/50 Тираж 863

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Подписное

Производственно-полиграфическое предприятие, r. Ужгород, ул. Проектная, 4 тем, что, с целью расширения диапазона напряжения и тока, в него введены третий и четвертый транзисторы первого и второго типа проводимости соответственно, а диодный элемент выпол.нен на пятом и шестом транзисторах первого и второго типа проводимости соответственно, причем база первого транзистора соединена с эмиттером третьего транзистора, база которого соединена с коллекторами второго и

1 4 пятого;транзисторов и с эмиттером ше" стого транзистора, база второго транзистора соединена с эмиттером четвертого транзистора, база которого соединена с коллекторами первого и шестого транзисторов и эмиттером пятого транзистора, коллектор третьего транзистора соединен с коллектором четвертого транзистора, а база пятого транзистора соединена с базой шестого транзистора.