Способ определения толщины кристаллической пластины
СОЮЗ СОВЕТСНИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ
РЕСПУБЛИН (19) (11) 2 А1
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Н А BTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР
ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 4012019/24-28 (22) 13. 01. 86 (46) 07.05.87. Бюл. № 17 (71) Иркутский государственный университет им.А.А.Жданова (72) Ю.Г.Зоткин, М.С.Мецик, В.В.Афанасьев, В. А.Кузнецова и Л.А.Щербаченко (53) 531.717(088.8) (56) Перевертаев В.Д., Щербаченко Л.А., Таращинский Б.И., Зоткин Ю.Г. Измерение толщины тонких жидких пленок между пластинками слюды с помощью лазерного интерферометра. -Коллоидный журнал, M., 1980, № 3. (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЗПНИЯ ТОЛЩИНЫ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ ПЛАСТИНЫ .(57) Изобретение относится к измерительной технике и может быть исполь(51) 4 G 01 В 9/02. G 01 N 21/41 зовано для измерения толщины кристаллических пластин. Целью изобретения является повышение точности измерения за счет устранения неоднозначности показателя преломления анизотропных кристаллов и повышения контрастности интерференционной картины, достигаемых благодаря предварительной взаимной ориентации пластины и лазера. На обе стороны пластины наносят полупрозрачное покрытие ° Пластину освещают лазерным пучком, лучи, отразившиеся от пластины, образуют интерференционную картину, которую наблюдают на экране. Вращая пластину вокруг оси пучка, устанавливают ось индикатрисы пластины параллельно плоскости поляризации. В этом положении измеряют углы, а толщину пленки вычисляют.
130882
Способ определения толщины кристаллической пластины, заключающийся в том, что наносят на обе стороны контролируемой пластины полупрозрачные покрытия, освещают ее сфокусированным пучком лазерного излучения, регистрируют интерференционную картину, образующуюся на выходе пучка из пластины, измеряют угловое положение двух максимумов интерференционной картины и определяют толщину пластины, отличающийся тем что, с целью повышения точности определения толщины, перед измерением углового положения максимумов пластину ориентируют таким образом, что ось ее оптической индикатрисы параллельна вектору поляризации излучения лазера, измеряют угловое положение интерференционного максимума, порядок которого отличается от порядка второго из измеряемых максимумов на величину равнуюразности порядков интерференциидвух первыхизмеряемых максимумов,а толщину Й пластины определяют по формуле
2 значения угловых положений э соответственно первого, второго и третьего измеряемых интерференционных максимумов.
Тираж б78 Подписное г. Ужгород, ул. Проектная, 4
Указанная ориентация контролируемой пластины перед измерениями исклю- 55 чает возможность падения контраста интерференционной картины в резульВНИИПО Заказ 1788/31
Произв.-полигр. пр-тие, Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения толщины кристаллических пластин.
Цель изобретения — повышение точности измерения за счет устранения неоднозначности показателя преломле" ния анизотропных кристаллов и повышения контрастности интерференционной картины, достигаемых благодаря пред- 10 варительной взаимной ориентации испытуемой пластины и лазерного пучка, а также измерению углового положения дополнительно третьего интерференционного максимума.
Способ осуществляется следующим образом.
На обе стороны контролируемой пластины наносят полупрозрачные покрытия.
Затем пластину освещают лазерным пуч- 20 ком, сфокусированным с помощью оптической системы. При этом лучи, отразившиеся полупрозрачными покрытиями, различное число раз взаимодействуют, 25 на выходе из пластины, образуя интерференционную картину, которую можно наблюдать на экране, установленном за пластиной. При непараллель-. ности оси оптической индикатрисы пластины и.плоскости поляризации лазерного пучка наблюдаются две системы концентрических эллипсов. Вращая пластину вокруг оси пучка, устанавливают ось индикатрисы пластины параллельно плоскости поляризации, 35 что соответствует моменту исчезновения одной иэ систем эллиптических полос на экране. В этом положении измеряют углы К,, с и Ф., образуемые с осью освещающего пучка тремя 40 интерференционными максимумами, попарно отличающимися друг от друга на одинаковую величину разности Р порядков интерференции. После этого толщину d пластины определяют по фор- 45 муле где — длина волны излучения лазера.
9 г тате наложения друг на друга систем полос. Тем самым создаются условия для повышения точности фиксации положения интерференционных максимумов.
Одновременно измерение положения . третьего интерференционного максимума тозволяет исключить из математической зависимости для определения толщины пластины величину показателя преломления и, следовательно, уменьшить до нуля влияние на результат измерения неоднозначности показателя преломления.
Формула из обре те ни я
2(2 sin2 i — sin2 i — sin2 i ) г 1 з где % — длина волны излучения лазера;
P — разность порядков интерференции между вторым и первым, третьим и вторым измеряемыми максимумами;
