Полупроводниковый прибор

Авторы патента:

H01L31/0352 - отличающиеся формой или формами, относительными размерами или расположением полупроводниковых областей

H01L29/20 - содержащие, кроме легирующих материалов и других примесей, только соединения типа A_IIIB_V

Изобретение относится к функциональной микроэлектронике, микрофотоэлектронике, вычислительной технике. Целью изобретения является расширение функциональных возможностей полупроводникового прибора за счет обеспечения управляемого переключения прибора из низкоомного в одно из более высокоомных состояний при пропускании через прибор тока выше порогового значения, обеспечения возможности записи и сохранения информации о величине и полярности напряжения, прилагаемого к прибору при записи, обеспечения непрерывной регистрации поглощенного прибором излучения. Полупроводниковый прибор содержит полуизолирующую подложку на основе соединения A³B³ легированного компенсирующей примесью с глубоким уровнем с концентрацией в интервале 510¹⁵-510¹⁶см³. На подложке расположена полупроводниковая пленка из соединения A³B³ с двумя омическими контактами. Величина произведения толщины пленки на концентрацию электронов в ней находится в интервале 510¹⁰-10¹²см^-2. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к функциональной микроэлектронике, микрофотоэлектронике, вычислительной технике и может быть использовано в полупроводниковых монолитных интегральных схемах, запоминающих и логических устройствах, фотоприемных устройствах. Целью изобретения является расширение функциональных возможностей полупроводникового прибора за счет обеспечения управляемого переключения прибора из низкоомного в одно из более высокоомных состояний при пропускании через прибор тока выше порогового значения, обеспечения возможности записи и сохранения информации о величине и полярности напряжения, прилагаемого к прибору при записи, обеспечения непрерывной регистрации поглощенного прибором излучения, осуществления записи высокоомного состояния только при приложении к прибору напряжения одной полярности и его стирания при приложении к прибору напряжения противоположной полярности, обеспечения расширения диапазона волн излучения, регистрируемого прибором, при сохранении неизменным времени теплового стирания высокоомного состояния. На фиг. 1 изображен полупроводниковый прибор; на фиг. 2 полупроводниковая пленка, сужающаяся от одного контакта к другому. Предлагаемый полупроводниковый прибор содержит омические контакты 1 и 2, полупроводниковую пленку 3, полуизолирующую подложку 4. В полупроводниковом приборе подложка 4 выполнена из полуизолирующего арсенида галлия, компенсированного глубокой примесью (хромом) с концентрацией 10¹⁶ см^-3, полупроводниковая пленка 3 из арсенида галлия получена методом эпитаксиального наращивания на полуизолирующую подложку и имеет толщину 7 мкм и концентрацию электронов 7. Толщина переходного слоя в пленке 1,2 мкм, произведение концентрации на толщину пленки 610¹¹ см^-2. Длина l₁ суженного участка пленки 50 мкм, ширина 20 мкм. Для расширения диапазона длин волн излучения в полупроводниковом приборе подложкой 4 из полуизолирующего арсенида галлия, компенсированного глубокой примесью с концентрацией 10¹⁶ см^-3, полупроводниковая пленка выполняется из n= Ga As Sb толщиной 11 мкм с концентрацией электронов 710¹⁴ см^-3. Произведение концентрации на толщину пленки равно 8 10¹¹ см^-2. Ширина запрещенной зоны материала пленки у поверхности равна 1,2 эВ, а у границы раздела пленка подложка 1,5 эВ.

Формула изобретения

1. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР на основе соединений А³В⁵, представляющий собой полупроводниковую пленку с двумя омическими контактами, выполненную на полуизолирующей подложке, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей за счет обеспечения управляемого переключения прибора из низкоомного в одно из более высокоомных состояний, обеспечения возможности записи и сохранения информации о величине и полярности напряжения, прилагаемого к прибору при записи, обеспечения непрерывной регистрации поглощенного прибором излучения, полуизолирующая подложка выполнена из материала, легированного компенсирующей примесью с глубоким уровнем с концентрацией в интервале 5

10¹⁵ 5

10¹⁶ см^-³, а величина произведения толщины пленки на концентрацию электронов в ней лежит в интервале 5

10¹⁰ - 10¹² см^-². 2. Прибор по п.1, отличающийся тем, что, с целью осуществления записи высокоомного состояния только при приложении к прибору напряжения одной полярности и его стирания при приложении к прибору напряжения противоположной полярности, пленка между контактами выполнена сужающейся от одного контакта к другому. 3. Прибор по п.1, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона длин волн излучения, регистрируемого прибором, полупроводниковая пленка выполнена варизонной с запрещенной зоной, уменьшающейся к поверхности.

РИСУНКИ

Рисунок 1, Рисунок 2

Патент 161439 // 161439

Полупроводниковый материал для свч транзисторов // 970906

Диод // 389732

Полупроводниковый кристаллический материал // 293395

Устройства, основанные на избирательно эпитаксиально выращенных материалах iii-v групп // 2643931

Изобретение относится к области изготовления электронных устройств, в частности устройств на основе материалов III-V групп. Способ изготовления устройства на основе материала III-V групп включает этапы, на которых в изолирующем слое на кремниевой подложке формируют канавку, в канавку наносят первый буферный слой на основе материала III-V групп на кремниевую подложку, на первый буферный слой наносят второй буферный слой на основе материала III-V групп, слой канала устройства на основе материала III-V групп наносят на второй буферный слой на основе материала III-V групп. Изобретение обеспечивает интеграцию устройств на основе материалов III-V групп n-типа и p-типа на кремниевой подложке. 3 н. и 15 з.п. ф-лы, 16 ил.

Фотопреобразователь // 2359361

Изобретение относится к области производства твердотельных фоточувствительных полупроводниковых приборов, а именно к области производства преобразователей мощности света в электрический ток, и может быть использовано при изготовлении указанных приборов

Фотоэлектрический элемент // 2415495

Изобретение относится к фотоэлектрическому элементу (фотоэлементу), включающему в себя по меньшей мере первый переход между парой полупроводниковых областей, при этом по меньшей мере одна из этой пары полупроводниковых областей включает в себя по меньшей мере часть сверхрешетки, содержащей первый материал с распределенными в нем образованиями второго материала, причем образования имеют достаточно малые размеры, так что эффективная ширина запрещенной зоны сверхрешетки по меньшей мере частично определяется этими размерами, при этом между полупроводниковыми областями предусмотрен поглощающий слой, и при этом поглощающий слой содержит материал, предназначенный для поглощения излучения с возбуждением в результате этого носителей заряда, и имеет такую толщину, что уровни возбуждения определяются самим этим материалом

Солнечный модуль и комбинированная солнечно-энергетическая установка на его основе // 2455584

Изобретение относится к гелиотехнике, может быть использовано для преобразования солнечной энергии в электрическую и тепловую энергию и касается солнечного модуля, включающего концентратор, в фокусе которого расположен фотовольтаический преобразователь солнечной энергии, с контактами подключения батарей накопителей электрической и тепловой энергии и системой жидкостно-проточного теплосъема, при этом фотовольтаический преобразователь выполнен в виде полой трубки из теплопроводящего материала, на внешней поверхности которой нанесена полупроводниковая структура и внутри которой циркулирует теплоноситель, а также комбинированной солнечно-энергетической установки, включающей указанные выше солнечные модули

Структура для приемника ик-излучения // 1810932

Полупроводниковый комбинированный приемник электромагнитного излучения // 2578103

Использование: для регистрации электромагнитного излучения со сложным спектральным составом. Сущность изобретения заключается в том, что полупроводниковый комбинированный приемник электромагнитного излучения включает соосно расположенные каналы регистрации оптического и жесткого электромагнитного излучения, созданный на основе чередующихся эпитаксиально согласованных слоев чувствительных в соответствующих спектральных диапазонах полупроводниковых материалов с электронно-дырочными переходами или без них, чувствительные слои располагают по разные стороны подложки, толщина чувствительного к жесткому электромагнитному излучению материала приемника на два порядка больше, чем у чувствительного материала фотоприемника, в качестве фильтра для приемника жесткого электромагнитного излучения, обрезающего излучение оптического диапазона, используют слой чувствительного к этому излучению полупроводникового материала, на основе которого формируют фотоприемник оптического диапазона. Технический результат: обеспечение возможности упрощения конструкции и расширение возможностей систем регистрации электромагнитного излучения. 1 ил.

Способ детектирования электромагнитных волн в терагерцовом диапазоне // 2599332

Изобретение относится к области измерительной техники и касается способа детектирования электромагнитных волн в терагерцовом диапазоне. Способ включает в себя направление потока терагерцового излучения на преобразователь с формированием в последнем сигнала, регистрируемого детектором. В качестве преобразователя используют систему квантовых точек в матрице с терагерцовой прозрачностью, помещенную во внешнее магнитное поле с индукцией В=ħ×ν/g×µБ, в качестве детектора используют магнитометр, который регистрирует изменение намагниченности системы квантовых точек. Интенсивность излучения определяют как jвн=1/[g×µБ×n×b/ΔJ×(1+b·j0)-b], где В - индукция внешнего магнитного поля; ħ - постоянная Планка; ν - частота регистрируемого излучения; g - множитель Ланде; µБ - магнетон Бора; jвн - интенсивность регистрируемого излучения; n - объемная плотность квантовых точек; b=с2/4πν3 - параметр, определяемый частотой; j0 - интенсивность фонового (теплового) терагерцового излучения. Технический результат заключается в упрощении способа детектирования. 1 з.п. ф-лы.

Спин-детектор свободных электронов на основе полупроводниковых гетероструктур // 2625538

Использование: для поляризованных светодиодов и спин-транзисторов. Сущность изобретения заключается в том, что спин-детектор содержит подложку, на которой последовательно выполнены: барьерный слой, первый слой из GaAs или из AlxGa1-xAs, второй слой с квантовыми ямами из InxGa1-xAs или из GaAs, третий слой из GaAs или из AlxGa1-xAs, третий слой с квантовыми ямами из InxGa1-xAs или из GaAs, четвертый слой из GaAs или из AlxGa1-xAs, первый слой с квантовыми ямами из InxGa1-xAs или из GaAs, второй слой из GaAs, ферромагнитный слой и защитный слой. Технический результат: обеспечение возможности проведения измерения спиновой поляризации с пространственным разрешением, измерения трех компонент спина в одной структуре, повышения стабильности гетероструктуры Pd/Fe/GaAs (001) к деградации электрофизических и оптических свойств, а также возможность прогрева до температуры 200°С и отсутствие реактивации. 12 з.п. ф-лы, 2 ил.

Фотопреобразователь // 2648310

Использование: для преобразования оптического сигнала в электрический, а также энергии электромагнитного излучения указанного диапазона в электрическую энергию. Сущность изобретения заключается в том, что фотопреобразователь представляет собой массив полупроводниковых нанопроводов, сформированных в пористой матрице диэлектрика, на противоположных сторонах которой сформированы эмиттерный и коллекторный контакты так, что граница между контактом и нанопроводом представляет собой гетеропереход, в котором нанопровод является потенциальным барьером для основных носителей заряда. Технический результат: обеспечение возможности упрощения изготовления в виде массива наногетероструктурных элементов. 7 з.п. ф-лы, 2 ил.