Схема задержки импульсов

№ f36777

Класс 21а<, 36,, 42m, 14

ЗСИ .

СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Подписная группа Ло 8б

А. Д. Бех

СХЕМА ЗАДЕРЖКИ ИМПУЛЬСОВ

Заявлено 21 июля 1960 г..за № 671255 26 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Опубликовано B «Бюллетене изобретений» М 6 за 1961 г.

Известны схемы, использующие явление рассасывания неосновных носителей в базе транзисто",à для промежуточного запоминания (задержки) импульсов.

Недостатком этих схем является невозможность регулировки времени за держки.

Предлагаемая схема отличается от известных тем, что дает возможность регулировать время задержки импульсов, Это достигается тем, что в эмиттерную цепь триода включено coIIpoTt1Bление для изменения степени насыщения триода.

На чертеже изображена предлагаемая схема.

Задерживаемый импульс U,, через согласующий трансформатор 1 поступает на базу нормально закрытого полупроводникового триода 2 и в зависимости от величины обратной связи, регулируемой потенциометром 8 в цепи обратной связи, в различной степени насыщает транзистор. На трансформаторе -1 в точке 5 за счет переходного процесса формируется двухполярный импульс, отрицательная волна которого оказывается задержанной по отношению к переднему фронту положительного импульса на время рассасывания неосновных носителей в базе триода, определяемое степенью насыщения триода.

Степень насыщения триода изменяется с изменением глубины отрицательной обратной связи. Таким образом, изменяя глубину отрицательной обратной связи с помощью потенциометра 8, имеется возможность изменять время задержки отрицательного импульса.

Этот импульс поступает на усилитель, выполненный на триоде б, предназначенный для формирования импульса, равного по амплитуде и длительности задерживаемому. № 136777

Предмет изобретения

Редактор М. П. Золотарев Техред А, А. Кудрявицкая Корректор Г. С, Голубятникова

Объем 0,17 усл. п. л.

Цена 3 коп, открытий

Формат бум. 70 108 /и

Тираж 800

ЦБТИ при Комитете по делам изобретений и при Совете Министров СССР

Москва, Центр, М. Черкасский пер., д.

Подп к печ, 3/ ч — 61 г

Зак, 939/2

2/6

Типография, пр. Сапунова, 2.

Схема задержки импульсов на полупроводниковом триоде, с использованием явления раесасывания неосновных .носителей в базе триода, О т л и ч а }О щ а я с я тем, что, с целью регулировки времени за держки импульсов, в эмиттерную цепь триода включено сопротивление для изменения степени насыщения триода,