Устройство для ускоренного выращивания кристаллов из расплава
Рй 132613
Класс 12с 2
СССР С СОЮЗИАЯ
1 ГЛ ..:; —.;:0
Т . 11H.. гг1 nq
Брб 1 0 rвд
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕ .ТЕПЬСТВУ
Поописнпя грг1ппа М 89
H. Н, Шефталь, И. В. Степанов, M. А, Васильева и В. Я, Хаимов-Мальков
УСТРОЙСТВО ДЛЯ УСКОРЕННОГО ВЫРАЩИВАНИЯ
КРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА
Заявлено 25 ноября 1959 г. за No 645071/23 в Комитет по делам изобретений н открытий при Совете Министров СССР
Опубликовано в «Б|оллетене изобретений» М 20 за 1960 г.
Известны разнообразные конструкции кристаллизационных установок для скоростного выращивания монокристаллов из расплава методом опускания тигля. Например, описана трубчатая вертикальная печь с узким металлическим кольцом-диафрагмой, расположенным в нижней части печи и нагреваемым до высокой температуры.
Предлагаемое устройство позволяет производить сильное локальное охлаждение расплава, что улучшает и ускоряет процесс вырашивания кристаллов. Это достигается наличием в нижней части трубчатой вертикальной печи охлаждаемого сосуда с легкоплавким металлом, в который погружается тигель с кристаллизуемым веществом.
На чертеже представлено устройство в разрезе.
Тигель 1 с расплавом на креплении, устроенном сверху, перемещается из обогреваемой верхней части трубчатой вертикальной печи в не обогреваемую нижнюю часть, где соосно с тиглем установлен сосуд 2, заполненный легкоплавким металлом или сплавом (олово, сплав
Розе или Вуда) .
Стенки сосуда охлаждаются током протекающей жидкости (вода, антифриз) или охлажденного газа. Сосуд имеет широкий слив 8, расположенный немного ниже его верхнего края, и приемник 4 для вытекающего из слива металла.
Для успешного действия устройства расплав перегревается значительно выше температуры плавления, примерно на 200 и более. Горячий тигель с расплавом опускается в охлаждяемый сосуд с легкоплавким металлом и плавит последний, что приводит в результате интенсивного теплообмена к резкому охлаждению растугцего кристалла прп одновременном перегреве расплава. Вытекающий из слива металл собирается в приемник. № 132б13
Устройство значительно повышает чистоту (однородность) и скорость выращивания монокристаллов.
Очистка кристалла от нерастворимых частиц коллоидных размеров и молекулярных примесей с применением охладителя намйого выше, чем без него.
Предмет изобретения
Редактор Н. И. Мосин Текред А. A. Камышникова
Корректор В П. Фомина
Подп. к печ. 25.Х-60 г. Формат бум. 70X108 / 6 Объем 0,17 и. л.
Зак. 8817 Тираж 700 Цена 25 коп.; с 1.1-61 r, — 3 кот.
ЦБТИ при Комитете по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, Центр, М. Черкасский пер., д. 2/6.
Типография ЦБТИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР, Москва, Петровка, 14.
Устройство для выращивания кристаллов из расплава методом опускания тигля, нагреваемого в трубчатой вертикальной печи с обогреваемой верхней частью и не нагреваемой нижней частью, о т л ичающееся тем, что в нижней не нагреваемой части печи помещен охлаждаемый сосуд с легкоплавким металлом, снабженный сливом и приемником для метала, вытекающего из сосуда при погружении в него тигля с кристаллизуемым веществом.
