Устройство для детектирования амплитудно-модулированных сигналов

 

Изобретение относится к радиои импульсной технике и обеспечивает повышение точности детектирования путем уменьшения порога детектирования. Устройство содержит транзисторы (Т) 1,2, резисторы 3,4 и катушку индуктивности 5. Подбором номинала резистора 4 добиваются, чтобы в отсутствие входного сигнала рабочая точка Т 2 установилась в районе перегиба вольт-амперной характеристики (БАХ) коллекторного перехода. Благодаря идентичности ВАХ транзисторов 1,2 напряжения на базах Т 1,2 равны, токи коллекторов равны и падения напряжения на резисторах 3,4 примерно равны. Напряжение на коллекторе Т 1 практически равно напряжению на переходе база-эмиттер Т 2, Величина этого напряжения определяет порог детектирования устройства. При поступлении входного сигнала на коллекторе Т 2 появляется переменная составляющая несущей частоты сигнала. При поступлении на базу Т 2 положит.полуволны ток коллектора увеличивается, а при отрицат. полуволне - уменьшается. При этом за счет нелинейности ВАХ среднее значение коллекторного тока за период увеличивается с ростом амплитуды входного сигнала. Это приводит к увеличению среднего значения падения напряжения на резисторе 4, уменьшению среднего значения напряжения на коллекторе Т 2, уменьшению токов базы и коллектора Т 1 и увеличению среднего значения потенциала на выходе . 1 ил. О с б сл СО 00 00 4:: Выл.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (191 (11) (59 4 Н 03 D 1/18 Б,: ц

@ &-.ам а,»

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н АВТОРСКОМ,Ф СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

flO ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 3729915/24-09 (22) 25.04.84 (46) 23.03.87. Бюл. 9 11 (71) Новгородский политехнический институт (72) А.А. Пустовалов, И.В. Сорокин и В.Г. Татаринов (53) 621.376 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

Ф 553725, кл. Н 03 D 1/18, 22.02.75.

Патент Японии У 51-36028, кл. Н 03 D 1/18, 06.10.77. (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ДЕТЕКТИРОВАНИЯ

АМПЛИТУДНО-МОДУЛИРОВАННЫХ СИГНАЛОВ (57) Изобретение относится к радиои импульсной технике и обеспечивает повышение точности детектирования путем уменьшения порога детектирования.

Устройство содержит транзисторы (Т)

1,2, резисторы 3,4 и катушку индуктивности 5. Подбором номинала резистора 4 добиваются, чтобы в отсутствие входного сигнала рабочая точка

Т 2 установилась в районе перегиба вольт-амперной характеристики (ВАХ) коллекторного перехода. Благодаря идентичности ВАХ транзисторов 1,2 напряжения на базах Т 1,2 равны, токи коллекторов равны и падения напряжения на резисторах 3,4 примерно равны.

Напряжение на коллекторе Т 1 практически равно напряжению на переходе база-эмиттер Т 2. Величина этого напряжения определяет порог детектирования устройства. При поступлении входного сигнала на коллекторе Т 2 появляется переменная составляющая несущей частоты сигнала. При поступлении на базу Т 2 положит.полуволны ток коллектора увеличивается, а при отрицат. полуволне — уменьшается. При этом эа счет нелинейности ВАХ среднее значение коллекторного тока за период увеличивается с ростом амплитуды входного сигнала. Это приводит к увеличению среднего значения падения напряжения на резисторе 4, уменьшению среднего значения напряжения на коллекторе Т 2, уменьшению токов базы и коллектора Т 1 и увеличению среднего значения потенциала на выходе. 1 ил.

98840 2

20

Формула изобретения

Составитель Г. Каракозов

Техред Н.Глущенко Корректор С. Шекмар

Редактор В. Петраш

Заказ 895/56

Тираж 902 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб,, д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, r. Ужгород, ул. Проектная,4

1 l2

Изобретение относится к радио- и импульсной технике и может быть использовано для амплитудного детектирования радиосигналов.

Цель изобретения — повышение точности детектирования путем уменьшения порога детектирования.

На чертеже показана электрическая принципиальная схема устройства для детектирования амплитудно-модулированных сигналов.

Устройство содержит первый транзистор 1, второй транзистор 2, первый резистор 3, второй резистор 4 и катушку 5 индуктивности.

Устройство работает следующим образом.

При отсутствии входного сигнала на базе и коллекторе второго транзистора 2 рабочая точка второго транзистора 2 устанавливается в районе перегиба вольт-амперной характеристики (ВАХ) коллекторного перехода, что достигается соответствующим подбором номинала второго резистора 4.

Так как транзисторы изготовлены в одном кристалле (транзисторная сборка), то ВАХ их идентичны, причем напряжение на базе транзистора 1 равно напряжению на базе транзистора 2, поэтому токи коллекторов транзисторов

1 и 2 практически равны, вследствие чего падение напряжения на первом резисторе 3 примерно равно падению напряжения на втором резисторе 4 и составляет почти полное напряжение питания. Напряжение на коллекторе первого транзистора 1 практически равно напряжению на переходе базаэмиттер второго транзистора 2.Величина этого напряжения определяет порог детектирования предлагаемого устройства.

При подаче на вход сигнала,подлежащего детектированию, на коллекторе второго транзистора 2 появляется переменная составляющая несущей частоты сигнала. При положительной полярности полуволны переменной составляющей на базе второго транзистора 2 ток коллектора увеличивается и, наоборот, при отрицательной полярности ток уменьшается, при этом за счет нелинейности ВАХ среднее значение коллекторного тока за период увеличивается с ростом амплитуды сигнала на входе, что приводит к увеличению среднего значения падения напряжения на резисторе 4 и соответственному уменьшению среднего значения напряжения на коллекторе второго транзис; тора 2, что, в свою очередь, ведет к уменьшению токов базы и коллектора первого транзистора 1 и значительному увеличению среднего значения потенциала на выходе.

Таким образом, на выходе детектора получается напряжение, среднее значение которого пропорционально амплитуде входного сигнала, т.е. огибающей входного сигнала.

Устройство для детектирования амплитудно-модулированных сигналов,.содержащее первый и второй транзисторы одной структуры, эмиттеры которых соединены с общей шиной, первый и второй резисторы, причем первый резистор включен между коллектором первого транзистора и шиной источника питания, второй резистор подключен к коллектору второго транзистора, а между базой и коллектором второго транзистора включен двухполюсник, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения точности детектирования путем уменьшения порога детектирования, база первого транзистора соединена с коллектором второго транзистора, другой вывод втдрого резистора соединен с шиной источника питания, двухполюсник выполнен в виде катушки индуктивности, а величина сопротивлений резисторов выбрана одинаковой.