Устройство для испытания полупроводниковых приборов при криогенных температурах

 

Изобретение отноеттся к конт- 1 оль80 йзмерительнЫ1 технике. Цель изобретения - стабилизация температурного режима испытуемого полупроводникового прибора (П). Электроды исштуемого П 7 через отверстия 6 сосуда 4 размещаются в пазах кон- Ti KTHoft колодки на-панели измерительвой устаиовки Ь. 1фиоге1(ная жидкость (Ж), залитая в сосуд 4, вызывает затвердение его стенок. прои Ьходит обжатие электродов П 7 и, тек самлм, самогерметизация всего сосуда 4. После окончания бурного испарения Ж сосуд 4 закрывают крышкой 5 и проводят испытания П 7. По окончаний испытаний Ж испаряется из измерительна камеры 2. Выполне1«е измерительвой камеры.. 2 из зластичного материала с толщиной стеной , 3d $ D i 5d (где D - толщина стенок измерительной камеры, d - диаметр электродов П Д позволяет стабилизировать температурный режим П 7 на уровне температуры кипящей Ж. Отсутствие удлиненшлх соединительных проводников устраняет условия возникновения автогенерации в измерительной системе. I ил. (Л ьо со s 4 СП м

дв 4 0 Ol R 31/26

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н АВЧОРСНОМУ СВИ1ФТВЬС У

Ф\

МЮ

° °

М °

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

AO ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЗ (46) 07.05.88. Бюп. У 17 (21). 3861895/24-21 (22) 27.02.85 (72) В,И.Кабанов и Е.С.Васильева . (53) 62!.382. 3(088,8). (56) Аронов В.Л., Федотов Я.А. Испы" таиие и исследование полупроводниковых приборов. И.! Высщая акола, 1975 ° с. 233-234. (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИСПЫТАНИЯ ПОЛУ.-ПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ ПРИ КРИО! ЕН . НЦХ Т!!ИПЕРАТУРАХ (57) Изобретение относится к контрольно измерительной технике. Цель изобретения - сФабилиэация температурного реиииа испытуемого нопупро- воднйкового прибора (П). Электроды испытуемого П 7 через отверстия 6 . сосуда 4 размещаются в пазах кон.тактной колодки на.панели измеритель,ной установки I. Криогениая кядкость „,SV„„1292457 А1 (Ж), залитая в сосуд 4, вызывает затвердение его стенок. При этом происходит ойкатие электродов П 7 и, тем семам, самогериетизацня всего сосуда 4.. После окончания бурного испарения Ж сосуд 4 закрывают крьйпкой 5 и проводят кс ытания П 7. По окончании испытаний Ж испаряется as иэмерительидй камеры 2 ° Выполнение . измерительной кайеры-. 2 из эластичного материала с толщиной стеной, М с Э и Ы (где D - толщина стенок измерительной камеры, d - диаметр электродов П ф, позволяет стабилизировать температурный режим П 7 на уровне теипературы кипящей Ж. Отсут- р ствие удлиненных соединительных проводников устраняет условия возникновения автогенерацин в измерительной системе. ил.! l 29245

Изобретение относится к контрольно измерительной технике и направле» но на испытание полупроводниковых приборов при криогенных температурах, 5

Келью изобретения является стабилизация температурного режима испытуемого полупроводникового прибора.

На чертеже представлено схематическое изображение устройства для испытания полупроводниковых приборов при криогенных температурах, Устройство содержит измерительную установку l и измерительную камеру

2, закрепленную на столике 3. Измерительная камера 2 состоит из сосу- . да 4 для криогенной жидкости и крьппки 5, причем в дне сосуда.4 имеются отверстия 6 под электроды испытуемо» го полупроводникового прибора 7, Устройство для испытания полупроводниковых приборов при криогенных температурах работает следующим образом, 25

В отверстия 0 эластичного дна сосуда 4 вставляются электроды испытуе-. мого полупроводникового прибора 7 так, чтобы сам прибор находился внутри сосуда 4, а его электроды о6жнмались эластичным дном сосуда 4.

Измерительную камеру 2 устанавливают в отверстие столика 3. При этом борта сосуда 4 в форме фланца, упираясь в верхнюю поверхность столика 3, .фиксируют измерительную камеру 2 в вертикальном положении, а столик располагают на такой высоте, чтобы концы электродов испытуемого полупроводникового прибора вошли в пазы контактной колодки на панели измерительной установки 1. Затем в сосуд

4 заливают криогенную жидкость, например жидкий азот. При этом эластич« ное дно и стенки. сосуда 4 при охлаж" денни начинают затвердевать. Проис- 45 ходит обжатие электродов испытуемого полупроводникового прибора и тем самим самогерметизации всего сосуда

4. При достаточном охлаждении сосуда бурное испарение криогенной жидкости прекращается. Заполненный сосуд 4 накрывают крышкой 5 и проводят испытания полупроводникового прибора при помощи измерительной установ7 2 кн 1. После окончания испытаний криогенная жидкость испаряется из измерительной камеры 2 ° Сосуд 4, нагреваясь, приобретает прежнее свойство эластичности, и испытуемый полупроводниковый прибор свободно вынимается из измерительной камеры 2.

Сосуд 4 изготавливается из эластичного материала, например резины с толщиной стенок 3-/5 мм. При толщине стенок менее 3 мм ухудшается качество обжатия электродов испытуемого прибора, а толщина более 5 мм приводит к затрате большего количества криогенной жидкости на охлаждение сосуда, Используя измерительную камеру из эластичного материала, самогерметизируемого при охлаждении, удалось стабилизировать температурный ре:жим испытуемого полупроводникового прибора на уровне температуры кипящей криогенной жидкости. Отсутствие удлиненных сзедииительных проводников между испытуемым прибором и измерительной установкой устраняет . условия возникновения автогенерации в измерительной системе

Формула изобретения

Устройство для испытания полупроводниковых приборов при криогенных температурах, содержащее измерительную камеру, одна стенка которой расположена параллельно панели измерительной установки,, о т л и ч а ющ е е с я тем, что| с целью стабн» лизации температурного режима, измерительная камера выполнена из эластичного материала, а в ее стенке, расположенной паралЛельно панели измерительной установки, выполнены отверстия под электроды испытуемого полулроводникового прибора, при. этом толщина стенок измерительной камеры выбирается из следующих условий:

3d а а 5d где Р— толщина стенки измерительной камеры;

d — диаметр электрода испытуемого полупроводникового прибора.

)292457

Составитель С.Фоменко

Техред Д.Олейник Корректор О.Луговая

Редактор О,Стеннна

Заказ 3381 Тирах 772 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений.и открытий

113035, Москва, й-35 ° Раувская наб., д. 4/5

Производственно-полигра4ическое предприятие ° г. Ухгород, ул, Проектная, 4