Невзаимное устройство

 

Изобретение относится к радиотехнике СВЧ и может использоваться в приемопередающих системах, радиоизмерительной технике и технике средств связи. Цель изобретения - расширение полосы рабочих частот. Пластина 1 из полупроводникового материала с высокой подвижностью носителей и идентичные дополнительные пластины 5 изолированы друг от друга слоями диэлектрика 2. На пластины, помещенные в постоянное магнитное поле магнитной системы 4 намотаны катушки индуктивности (КИ) 3. Пластины 1 и 5 имеют толщину, равную половине длины волны в полупроводнике, а слои диэлектрика 2 имеют толщину не менее 0,01 толщины пластин. При подаче на КИ 3 высокочастотного напряжения с частотой резонанса геликоновой волны в пластинах 1 и 5 возникают стоячие геликоновые волны, которые связаны через общую КИ 3 и образуют систему связанных геликоновых резонаторов. Выполнение слоев диэлектрика 2 из немагнитного материала с высокой теплопроводностью позволяет отводить тепло от пластин 1 и 5. 1 з.п. ф-лы. 1 ил. i W С 4ib .4 (

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУ БЛИН

А1

Ш4 Н 01 P 1/32

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3894037/24-09 (22) 06.05.85 (46) 15.02.87. Бюл. У 6 (71) Киевский политехнический институт им. 50-летия Великой Октябрьской социалистической революции (72) В.С.Вунтесмери (53) 621.372.85(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

9 254601, кл. Н 01 P .1/32, 1966.

Annalles de Radioelectricite.

Т. 19, 1964, 9 77, р. 232 †2. (54) НЕВЗАИМНОЕ УСТРОЙСТВО (57) Изобретение относится к радиотехнике СВЧ и может использоваться в приемопередающих системах, радиоизмерительной технике и технике средств связи. Цель изобретения— расширение полосы рабочих частот.

Пластина 1 из полупроводникового ма...80„„12 444 териала с высокой подвижностью носителей и идентичные дополнительные пластины 5 изолированы друг от друга слоями диэлектрика 2. На пластины, помещенные в постоянное магнитное поле магнитной системы 4 намотаны катушки индуктивности (КИ) 3 ° Пластины

1 и 5 имеют толщину, равную половине длины волны в полупроводнике, а слои диэлектрика 2 имеют толщину не менее

0,01 толщины пластин. При подаче на

КИ 3 высокочастотного напряжения с частотой резонанса геликоновой волны в пластинах 1 и 5 возникают стоячие геликоновые волны, которые связаны через общую КИ 3 и образуют систему связанных геликоновых резонаторов.

Выполнение слоев диэлектрика 2 из немагнитного материала с высокой теплопроводностью позволяет отводить тепло от пластин 1 и 5. 1 з.п. ф-лы.

1 ил.

1290444 лопроводностью позволяет отводить тепло от пластины 1 и дополнительных пластин 5.

Изобретение относится к радиотех— нике СВЧ и может использоваться в

Формула изобретения

2. Устройство по п. 1, о т л и— ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения уровня рабочей мощности, слои диэлектрика выполнены из теплопроводящего немагнитного материала и их длины выбраны превышающими длину пластины.

Составитель Ю.Капустин

Техред A. Кравчук Корректор М.Демчик

Редактор Т.Парфенова

Заказ 7912/53

Тираж 647

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д, 4/5

Подписное

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 приемо-передающих системах, радиоизмерительной технике и технике средств связи, 5

Целью изобретения является расширение полосы рабочих частот и повышение уровня рабочей мощности.

На чертеже представлено невзаимное устройство. 1О

Устройство содержит пластину 1, выполненную из полупроводникового материала с высокой подвижностью носителей, слои диэлектрика 2, катушки индуктивности 3, магнитную систему 4, 15 дополнительные пластины 5.

Невзаимное устройство работает следующим образом.

При подключении к одной из кату- 20

meK индуктивностей 3 высокочастотного напряжения с частотой резонанса геликоновой волны в пластине 1 и в каждой из дополнительных пластин 5, изолированных слоями диэлектрика 2, воз- 5 никают стоячие геликоновые волны, которые оказываются сильно связанными через общую катушку индуктивности 3, образуя систему связанных гелико= новых резонаторов. 30

Выполнение слоев диэлектрика 2 из .немагнитного материала с высокой теп1. Невзаимное устройство, содер— жащее пластину, выполненную из полупроводникового материала с высокой подвижностью носителей, толщина которой равна половине длины волны в полупроводнике, помещенную в постоянное магнитное поле, и катушки индуктивности, намотанные на нее, о тл и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью расширения полосы рабочих частот, введены N дополнительных пластин, идентичных пластине, при этом между пластиной и первой дополнительной пластиной, а также между соседними дополнительными пластины расположены введенные слои диэлектрика, толщины которых выбраны менее 0 01 толщины пластины.